根據(jù)中汽協(xié)發(fā)布數(shù)據(jù)顯示,中國(guó)新能源汽車2024年產(chǎn)銷量突破1280萬(wàn)輛,新能源汽車滲透率達(dá)到40.9%,預(yù)計(jì)2025年新能源汽車滲透率有望超50%,逐步成為主流市場(chǎng)。從續(xù)航里程的提升到智能駕駛技術(shù)的突破,從電池技術(shù)的革新到充電設(shè)施的完善,新能源汽車品牌的競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入白熱化,從價(jià)格為王的性價(jià)比策略到全民普惠的高性能、高品質(zhì)、高科技的駕駛體驗(yàn),ADAS、車載中控、BMS、車身控制模塊、融合域控等應(yīng)用有望加速覆蓋更多大眾車型,將全面帶動(dòng)車規(guī)智能高邊驅(qū)動(dòng)芯片(High-side Driver)需求的蓬勃增長(zhǎng)。
鴻翼芯獨(dú)家采用意法半導(dǎo)體VIPower M-07先進(jìn)垂直工藝,推出業(yè)界領(lǐng)先的單晶圓集成方案(非合封多die晶圓解決方案),車規(guī)級(jí)27mΩ智能高邊驅(qū)動(dòng)芯片HEHSS027D,實(shí)現(xiàn)完全Pin to Pin對(duì)標(biāo)德國(guó)供應(yīng)商主流高邊驅(qū)動(dòng)芯片,且滿足同樣的軟件策略(僅調(diào)整部分閾值)。
?垂直工藝器件結(jié)構(gòu)原理圖(資料來(lái)源于網(wǎng)絡(luò))
VIPower(Vertical Intelligent POWER)以其獨(dú)特的垂直功率結(jié)構(gòu)(Vertical DMOS),垂直導(dǎo)電通道設(shè)計(jì),顯著降低導(dǎo)通電阻(RDS(on)),提升功率密度和效率,大幅提升芯片耐高壓和大電流導(dǎo)通能力。
HEHSS027D 內(nèi)部集成了Power MOS+驅(qū)動(dòng)電路+保護(hù)與診斷功能,通過(guò)在Power MOS內(nèi)部嵌入溫度和電流傳感器,可以更準(zhǔn)確的監(jiān)控芯片的溫度和與溫度,實(shí)現(xiàn)精確的限流、過(guò)溫和過(guò)流保護(hù),VIPower工藝大幅提升了芯片的電流采樣系數(shù)K值的穩(wěn)定性。
?VIPower方案與傳統(tǒng)合封方案對(duì)比
HEHSS027D 實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先的單晶圓集成方案,通過(guò)P burried layer隔離,將平面工藝和垂直工藝集成在同一個(gè)die上,區(qū)別于傳統(tǒng)國(guó)產(chǎn)高邊芯片的多die分離集成,可大幅減少寄生電容、電阻影響,提高芯片集成度和可靠性,提高晶圓、封測(cè)質(zhì)量管控的可控性,同時(shí)在抗信號(hào)干擾(高速信號(hào)、電源噪聲、EMC等)能力上更優(yōu)。
?HEHSS027D 核心功能參數(shù)對(duì)比
01 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
高邊開(kāi)關(guān)也叫高邊驅(qū)動(dòng)(HSD),位于電源和負(fù)載之間,主要作用是調(diào)整功率、驅(qū)動(dòng)負(fù)載。其優(yōu)勢(shì)在于斷開(kāi)時(shí),負(fù)載兩端均處于低電位,降低了意外短路的可能性,同時(shí)高邊驅(qū)動(dòng)可直接在負(fù)載路徑中檢測(cè),電流檢測(cè)精度更高,但也因此對(duì)芯片導(dǎo)通電阻、可靠性、高控制精度等各方面都有著更高要求。一般而言,Rds(on)越小,導(dǎo)通損耗也會(huì)越小、效率越高,工作溫升則越低,意味著能夠提升整車的續(xù)航水平。
?HEHSS027D內(nèi)部框圖結(jié)構(gòu)
鴻翼芯HEHSS027D 雙通道智能高邊針對(duì)車身應(yīng)用中阻性、感性及鹵素?zé)糌?fù)載等應(yīng)用場(chǎng)景, 涵蓋了車內(nèi)飾燈、頭尾燈、座椅和方向盤(pán)及后視鏡加熱、電磁閥、門(mén)鎖、電機(jī)等多種應(yīng)用場(chǎng)景。具備全面的保護(hù)和診斷功能, 包括過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、感性負(fù)載關(guān)斷鉗位保護(hù)、電池反接和欠壓保護(hù)、高精度電流檢測(cè)、過(guò)溫過(guò)流診斷以及輸出開(kāi)路和輸出對(duì)電池短路診斷等。
02 產(chǎn)品亮點(diǎn)
a) 集成電源防反接保護(hù)
HEHSS027D 集成了電源防反接保護(hù), 無(wú)需外圍增加防反二極管的額外電路成本。在防反電路中,電路內(nèi)置了NMOS實(shí)現(xiàn)單向?qū)üδ?,?dāng)電源正常接通時(shí),其漏極與源極之間形成導(dǎo)電通道,電路正常工作;而當(dāng)電源反接時(shí),NMOS則會(huì)自動(dòng)關(guān)閉,從而起到保護(hù)作用。
?電源16V供電,反接于VCC-Module_GND(VCC=0V,Module_GND=16V),觀察基于IC_GND的波形,包括VCC,VOUT0,VOUT1,Module_GND
b) 鉗位電壓Vclamp與反向鉗位電壓Vdemag保護(hù)
鴻翼芯智能高邊開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)Vclamp與Vdemage 鉗位保護(hù)電路,將VDS電壓限制在安全范圍內(nèi),保護(hù)功率 MOS 管免受異常電壓的損害。
在感性負(fù)載(如電機(jī)、電磁閥等)關(guān)閉時(shí),由于電感的儲(chǔ)能特性,電流無(wú)法瞬間中斷,會(huì)產(chǎn)生振蕩電流,振蕩電流會(huì)拉低OUT端電壓。為保護(hù)芯片免于損壞,需要Vdemag(VCC-OUT Clamp)反向鉗位保護(hù),防止OUT端電壓被拉的過(guò)低;同時(shí),為防止VCC端電壓在特殊情況下沖高,超過(guò)耐壓極限,還需要正向鉗位保護(hù)Vclamp(typical 46V),電壓鉗位功能將電壓限制在某一值,實(shí)現(xiàn)電感能量正常耗散而不損壞器件。
?VCC=13V正常帶載1.4mH+3Ω,VIN從5V to 0V時(shí)波形
c) 可靠的短路限流保護(hù)
HEHSS027D 提供了限流保護(hù)的快速響應(yīng)環(huán)路, 當(dāng)有較大的短路過(guò)沖電流出現(xiàn)時(shí), 該環(huán)路具有更快的響應(yīng)速度, 能夠快速關(guān)斷高邊開(kāi)關(guān)的輸出, 從而有效抑制短路時(shí)的過(guò)沖電流, 保證系統(tǒng)長(zhǎng)期安全的運(yùn)行。
?在VIN=0V to 5V前將OUT0短接到GND,觀察OUT電流
d) 等比例電流反射鏡檢測(cè)
負(fù)載電流采用高精度比例電流反射鏡檢驗(yàn),電流檢測(cè)電路ISENSE輸出的電流可以通過(guò)使用外部檢測(cè)電阻RSENSE輕松轉(zhuǎn)換為電壓VSENSE,從而實(shí)現(xiàn)連續(xù)的負(fù)載監(jiān)控和異常狀態(tài)檢測(cè)。
?Current Sense 原理
當(dāng)設(shè)備在正常條件下運(yùn)行(無(wú)故障干預(yù))時(shí),VSENSE計(jì)算可以使用簡(jiǎn)單的方程來(lái)完成:
* CS輸出提供電流:ISENSE = IOUT / K
* RSENSE上的電壓:VSENSE = RSENSE · ISENSE = RSENSE · IOUT / K
* K值表示:IOUT / ISENSE,實(shí)際輸出電流 / 檢測(cè)電流的系數(shù),用來(lái)通過(guò)檢測(cè)電流計(jì)算輸出電流(間接電流檢測(cè))
e)CS引腳報(bào)錯(cuò)策略
在汽車應(yīng)用中,通常會(huì)使用 MCU 和智能高邊開(kāi)關(guān)進(jìn)行實(shí)時(shí)交互,HEHSS027D 通過(guò)高邊開(kāi)關(guān)的故障狀態(tài)CS 引腳的輸出電壓,來(lái)判斷輸出負(fù)載的運(yùn)行狀態(tài)。SEn引腳的高電平信號(hào)輸入,可控制CS引腳診斷狀態(tài)啟動(dòng);通過(guò)SEL0引腳來(lái)選擇檢測(cè)對(duì)應(yīng)通道。
?CS從沒(méi)有輸出到輸出故障電壓再到反饋正常電流值
在發(fā)生過(guò)載或在off-state狀態(tài)下(off-state下可進(jìn)行short-to-VCC和 open load診斷),故障報(bào)錯(cuò)由CS引腳反饋,此時(shí),將CS引腳的電壓拉高至“故障”電壓源VSENSEH。SEL0引腳可根據(jù)每種工作模式定義的多路復(fù)用器地址碼(multiplexer addressing)的特定配置,定位通道故障狀態(tài)及觸發(fā)保護(hù)功能。
更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參見(jiàn)產(chǎn)品規(guī)格書(shū)
HEHSS027D 產(chǎn)品特點(diǎn)
工作電壓:4~28V
工作溫度:-40℃~125℃
典型Rds(on)值:27 mΩ(IOUT = 3 A; Tj = 25°C)
額定負(fù)載能力:5.1A(單通道)
典型限流值:61A
靜態(tài)電流:0.5μA
支持PWM控制和直流控制兩種控制方式
封裝:ESSOP-14
符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)
CS電流檢測(cè)診斷功能:
- 模擬反饋:采用高精度比例負(fù)載電流反饋
- 過(guò)載和短接地診斷
- off狀態(tài)開(kāi)載檢測(cè)
- 輸出短接VCC檢測(cè)
- 采樣功能enable/disable
過(guò)壓鉗位
欠壓關(guān)斷
限流
過(guò)溫關(guān)斷
快速熱瞬態(tài)的自限制
專用FaultRST引腳可配置故障鎖存或自動(dòng)啟動(dòng)模式
短路保護(hù)
負(fù)載開(kāi)路和負(fù)載短電源診斷
靜電放電保護(hù)
電源防反接保護(hù)
送樣渠道
HEHSS027D 產(chǎn)品目前可提供樣品,如需申請(qǐng)樣品或訂購(gòu),您可郵件至
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