天眼查顯示，比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司“功率器件及其制備方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年12月31日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119230590A。

本發(fā)明公開了一種功率器件及其制備方法。該功率器件包括襯底；第一導(dǎo)電類型的外延層，設(shè)置在所述襯底上，所述外延層上設(shè)有有源區(qū)和設(shè)置在所述有源區(qū)外圍的終端區(qū)；第二導(dǎo)電類型的第一注入?yún)^(qū)，所述第一注入?yún)^(qū)包括主結(jié)，所述主結(jié)設(shè)置在所述終端區(qū)靠近所述有源區(qū)的位置；第一防擊穿結(jié)構(gòu)，包括分壓深凹槽和場(chǎng)氧化層；所述分壓深凹槽設(shè)置在所述主結(jié)之外的終端區(qū)內(nèi)，所述分壓深凹槽的槽深大于所述主結(jié)的結(jié)深；所述場(chǎng)氧化層填充在所述分壓深凹槽內(nèi)并延伸至所述分壓保護(hù)區(qū)外覆蓋所述分壓深凹槽的表面。該功率器件具有保障其防擊穿效果，制備工藝簡單，成本較低的優(yōu)點(diǎn)。