根據(jù)SEMI最新的全球晶圓廠預(yù)測(cè)季度報(bào)告，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體行業(yè)將在2025年啟動(dòng)18個(gè)新晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目。新項(xiàng)目包括3座200毫米和15座300毫米晶圓設(shè)施，其中大部分預(yù)計(jì)將于2026年至2027年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。
SEMI表示，2025年，美洲和日本是領(lǐng)先地區(qū)，各計(jì)劃建設(shè)4個(gè)項(xiàng)目。中國(guó)大陸、歐洲&中東地區(qū)并列第三，各計(jì)劃建設(shè)3個(gè)項(xiàng)目。中國(guó)臺(tái)灣計(jì)劃建設(shè)2個(gè)項(xiàng)目，而韓國(guó)和東南亞各計(jì)劃建設(shè)1個(gè)項(xiàng)目。
新半導(dǎo)體晶圓廠開(kāi)始建設(shè)
“半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)到了一個(gè)關(guān)鍵時(shí)刻，投資推動(dòng)著尖端和主流技術(shù)的發(fā)展，以滿(mǎn)足不斷變化的全球需求?！盨EMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示，“生成式人工智能（AI）和高性能計(jì)算（HPC）正在推動(dòng)尖端邏輯和存儲(chǔ)領(lǐng)域的進(jìn)步，而主流節(jié)點(diǎn)繼續(xù)支撐汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵應(yīng)用。2025年將開(kāi)始建設(shè)18座新的半導(dǎo)體晶圓廠，這表明該行業(yè)致力于支持創(chuàng)新和顯著的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)。”
2024年第四季度的《世界晶圓廠預(yù)測(cè)》報(bào)告涵蓋2023年至2025年，報(bào)告顯示全球半導(dǎo)體行業(yè)計(jì)劃開(kāi)始運(yùn)營(yíng)97座新的高容量晶圓廠。其中包括2024年的48個(gè)項(xiàng)目和2025年將啟動(dòng)的32個(gè)項(xiàng)目，晶圓尺寸從300毫米到50毫米不等。
先進(jìn)節(jié)點(diǎn)引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)擴(kuò)張
預(yù)計(jì)半導(dǎo)體產(chǎn)能將進(jìn)一步加速，預(yù)計(jì)年增長(zhǎng)率為6.6%，到2025年每月晶圓（WPM）總數(shù)將達(dá)到3360萬(wàn)片（以200mm當(dāng)量計(jì)算）。這一擴(kuò)張將主要由HPC應(yīng)用中的前沿邏輯技術(shù)和邊緣設(shè)備中生成式AI的日益普及所推動(dòng)。
半導(dǎo)體行業(yè)正在加大力度構(gòu)建先進(jìn)的計(jì)算能力，以應(yīng)對(duì)大型語(yǔ)言模型（LLM）不斷增長(zhǎng)的計(jì)算需求。芯片制造商正在積極擴(kuò)大先進(jìn)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能（7nm及以下），預(yù)計(jì)到2025年，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能將以行業(yè)領(lǐng)先的16%的年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，增幅超過(guò)每月30萬(wàn)片，達(dá)到每月220萬(wàn)片。
受中國(guó)大陸芯片自給自足戰(zhàn)略和汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用預(yù)期需求的推動(dòng)，主流節(jié)點(diǎn)（8nm~45nm）預(yù)計(jì)將再增加6%的產(chǎn)能，在2025年突破每月1500萬(wàn)片的里程碑。
成熟技術(shù)節(jié)點(diǎn)（50nm及以上）的擴(kuò)張更為保守，反映出市場(chǎng)復(fù)蘇緩慢和利用率低。預(yù)計(jì)該部分將增長(zhǎng)5%，到2025年達(dá)到每月1400萬(wàn)片。
代工廠部分產(chǎn)能繼續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)
代工廠供應(yīng)商預(yù)計(jì)將繼續(xù)成為半導(dǎo)體設(shè)備采購(gòu)的領(lǐng)先者。預(yù)計(jì)代工部門(mén)的產(chǎn)能將同比增長(zhǎng)10.9%，從2024年的每月1130萬(wàn)片增至2025年創(chuàng)紀(jì)錄的每月1260萬(wàn)片。
整體存儲(chǔ)部門(mén)的產(chǎn)能擴(kuò)張有所放緩，2024年和2025年分別增長(zhǎng)3.5%、2.9%。然而，強(qiáng)勁的生成式AI需求正在推動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的重大變化。高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）正經(jīng)歷顯著增長(zhǎng)，導(dǎo)致DRAM和NAND閃存部門(mén)的產(chǎn)能增長(zhǎng)趨勢(shì)出現(xiàn)分歧。
預(yù)計(jì)DRAM部門(mén)將保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2025年將同比增長(zhǎng)約7%，達(dá)到每月450萬(wàn)片。相反，3D NAND的安裝容量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)5%，在同一時(shí)期達(dá)到每月370萬(wàn)片。
SEMI《世界晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告》的最新更新版于2024年12月發(fā)布，列出了全球超過(guò)1500個(gè)設(shè)施和生產(chǎn)線(xiàn)，包括180個(gè)預(yù)計(jì)在2025年或之后開(kāi)始運(yùn)營(yíng)的高產(chǎn)量設(shè)施和生產(chǎn)線(xiàn)。（校對(duì)/李梅）
