1月3日，東芯股份發(fā)布公告稱，公司擬使用最高不超過人民幣10.8億元的部分暫時(shí)閑置募集資金進(jìn)行現(xiàn)金管理。投資種類：安全性高、流動(dòng)性好、滿足保本要求產(chǎn)品（包括但不限于協(xié)定性存款、結(jié)構(gòu)性存款、定期存款、大額存單、通知存款、收益憑證等）。

東芯股份是國內(nèi)少有的可以同時(shí)提供SLC NAND、NOR、DRAM和MCP存儲(chǔ)芯片企業(yè)，是國內(nèi)領(lǐng)先的2D SLC NAND Flash供應(yīng)商。經(jīng)過多年的技術(shù)積累和研發(fā)投入，公司在各類型存儲(chǔ)芯片的核心設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)都擁有自主研發(fā)能力與核心技術(shù)。在下游應(yīng)用方面，網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品占公司總體出貨量的一半，而消費(fèi)電子領(lǐng)域產(chǎn)品占三成左右，其余產(chǎn)品分布在監(jiān)控安防和工業(yè)類應(yīng)用等。

SLC NAND是NAND產(chǎn)品最基礎(chǔ)的形態(tài)，相對(duì)其他NAND產(chǎn)品可靠性更高，隨著5G宏基站的逐步建設(shè)以及各類5G應(yīng)用的推廣，公司高容量的SLC NAND產(chǎn)品的需求會(huì)持續(xù)旺盛。

不久前，東芯股份在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司先進(jìn)制程的1xnm SLC NAND Flash產(chǎn)品的研發(fā)工作已取得階段性進(jìn)展。同時(shí)，基于48nm、55nm制程，東芯股份持續(xù)進(jìn)行64Mb-1Gb的中高容量NOR Flash產(chǎn)品研發(fā)工作。在DRAM領(lǐng)域，公司將繼續(xù)進(jìn)行新產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)，以助力公司產(chǎn)品多樣性發(fā)展。此外，公司以存儲(chǔ)為核心，向“存、算、聯(lián)”一體化領(lǐng)域進(jìn)行技術(shù)探索，積極滿足客戶需求。