近日，東芯股份在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，目前針對(duì)SLC NAND產(chǎn)品，三星已經(jīng)退出該市場(chǎng)，我們判斷未來海外IDM玩家例如美光、海力士、鎧俠等也會(huì)逐步退出小容量NAND市場(chǎng)。利基型DRAM方面，2024年上半年三星以及海力士也針對(duì)利基型DDR3市場(chǎng)進(jìn)行逐步退出策略，相信未來利基市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局還是會(huì)以大陸和臺(tái)灣廠商為主。

車規(guī)產(chǎn)品目前東芯股份的SLC NAND Flash及NOR Flash均有產(chǎn)品通過AEC-Q100測(cè)試，并已實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)產(chǎn)品銷售。東芯股份表示，公司將繼續(xù)在嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)應(yīng)用環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)下開發(fā)新的高可靠性產(chǎn)品，擴(kuò)大車規(guī)級(jí)產(chǎn)品線豐富度。

在利基型DRAM方面，東芯股份的DRAM產(chǎn)品主要分成兩大類，一類是標(biāo)準(zhǔn)DDR3，另外一類是低功耗LPDDR1、LPDDR2，以及LPDDR4X。東芯股份在DRAM產(chǎn)品方面會(huì)繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品品類，不斷豐富DRAM自研產(chǎn)品組合，提高產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

中大容量NOR方面，東芯股份基于48nm、55nm制程，持續(xù)進(jìn)行64Mb-1Gb的中高容量NOR Flash產(chǎn)品研發(fā)工作，根據(jù)不同容量的目標(biāo)客戶群進(jìn)行精確定位，保證性能、功耗和性價(jià)比的合理匹配?？梢蕴峁┌ㄏM(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電力電表、PC、服務(wù)器等終端所需的產(chǎn)品。