EXIM?濺射設(shè)備，融入TEL獨創(chuàng)的產(chǎn)品理念，在推出后的十多年間，極大地推動了先進半導(dǎo)體器件的大規(guī)模生產(chǎn)。特別是面向下一代存儲，EXIM?在濺射工藝中展現(xiàn)的產(chǎn)品性能和運行穩(wěn)定性，贏得了卓越的聲譽，確立了作為大規(guī)模量產(chǎn)設(shè)備的穩(wěn)固地位。

LEXIA?-EX繼承了EXIM?獨特的超高真空腔室設(shè)計，實現(xiàn)薄膜厚度、薄膜品質(zhì)和薄膜成分的均一性，具備高生產(chǎn)性和設(shè)備可擴展性（模組的搭載數(shù)量的調(diào)整）。與上一代產(chǎn)品相比，LEXIA?-EX的最大產(chǎn)能達到100wph，提升20%以上，占地面積減少了約40%，二氧化碳排放量降低了14%。此外，在現(xiàn)有的四個陰極*1沉積腔室的基礎(chǔ)上，我們還開發(fā)了配備兩個超大陰極的dPVD*2（雙PVD）沉積腔室，進一步提升生產(chǎn)率。LEXIA?-EX可實現(xiàn)單層薄膜的高效均勻沉積，適用于面向DRAM 電容器的下一代硬掩膜和面向先進邏輯器件的功能薄膜等單層厚膜工藝。

*1 陰極：用于材料沉積的電極

*2 PVD：物理氣相沉積

LEXIA 和 EXIM 是Tokyo Electron在日本和/或其他國家的注冊商標(biāo)或商標(biāo)。

人工智能時代，對于半導(dǎo)體器件的性能和能效的提高尤為關(guān)注，而采用永久性晶圓鍵合技術(shù)的三維集成已成為半導(dǎo)體器件持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵。作為實現(xiàn)高度集成化和器件微縮化的關(guān)鍵技術(shù)，永久性晶圓鍵合工藝在各種半導(dǎo)體器件上的應(yīng)用更加廣泛。而伴隨鍵合次數(shù)的增加，技術(shù)難度也更具挑戰(zhàn)性。其中，永久性晶圓鍵合工藝過程中，會對硅晶圓進行拋光和研磨從而去除多余部分。這個過程由于大量地使用冷卻水，從而導(dǎo)致良率降低，僅能獲得有限的有效芯片數(shù)量。解決這一難題的關(guān)鍵，是需要引入具備可持續(xù)發(fā)展且有助于提高生產(chǎn)率的創(chuàng)新技術(shù)。

在此背景下，Ulucus? LX應(yīng)運而生。它采用了TEL的激光剝離技術(shù)，能夠在單臺設(shè)備內(nèi)完成激光照射、晶圓分離和晶圓清潔。該設(shè)備使用涂布顯影設(shè)備LITHIUS Pro? Z的平臺，集成了先進的激光控制技術(shù)、晶圓分離技術(shù)及NS和CELLESTA?系列的單晶圓清洗設(shè)備的清洗技術(shù)。

該設(shè)備能夠取代永久性晶圓鍵合工藝中，包括晶圓背面研磨、拋光和化學(xué)刻蝕在內(nèi)的多個工序，從而減少90%以上的去離子水消耗量*。此外，該設(shè)備還省去了傳統(tǒng)的切邊工序，大幅提升每片晶圓上的有效芯片數(shù)量。此外，針對該設(shè)備剝離出的硅晶圓的再利用技術(shù)，也在開發(fā)過程中。

*TEL基于與傳統(tǒng)晶圓背面研磨和切邊工藝的對比，得出的估算值。

Ulucus、LITHIUS Pro 和 CELLESTA 是Tokyo Electron集團在日本和/或其他國家的注冊商標(biāo)或商標(biāo)。