【編者按】2024年，集成電路行業(yè)在變革與機遇中持續(xù)發(fā)展。面對全球經(jīng)濟的新常態(tài)、技術創(chuàng)新的加速以及市場需求的不斷變化，集成電路企業(yè)如何在新的一年里保持競爭力并實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展？為了深入探討這些議題，《集微網(wǎng)》特推出展望2025系列報道，邀請集成電路行業(yè)的領軍企業(yè)，分享過去一年的經(jīng)驗與成果，展望未來的發(fā)展趨勢與機遇。 

本期企業(yè)視角來自：Tokyo Electron (TEL)

在人工智能（AI）熱潮以及新能源汽車市場的帶動下，2024年全球半導體銷售額預計將同比增長16%，達到創(chuàng)紀錄的6112億美元。這也推動了對于半導體制造設備的需求，SEMI預計2024年全球半導體設備市場規(guī)模將有望同比增長6.5%，達到1130億美元，2025年全球半導體設備市場規(guī)模將比同比增長7.1%至約1210億美元，2026年將進一步增長到1390億美元。

TEL指出，雖然針對先進邏輯制程的投資有所放緩，但在人工智能需求更加旺盛的加持下，WFE(晶圓制造設備)市場發(fā)展良好，超過了2024年初的預期。目前，對人工智能服務器的投資將繼續(xù)保持強勁勢頭，這部分資本支出約占整個WFE支出的15%，同比增長高達1.5倍，其中約一半用于HBM應用。與此同時，面向搭載人工智能的個人電腦和智能手機的提前投資也已啟動，在WFE投資占比也增加到了15%。在極其強勁的人工智能需求的推動下，DRAM（尤其是HBM）的投資尤為活躍。先進邏輯/晶圓代工方面，投資主要集中在工藝微縮（如4納米、3納米和2納米）和大規(guī)模量產(chǎn)，當然先進封測的需求在快速增長。

人工智能的應用，離不開最先進的半導體技術的強力支撐。技術創(chuàng)新的不斷演進，推動了半導體器件向更大容量、更高速度和更低功耗的方向發(fā)展。在此背景下，TEL重點關注全環(huán)繞柵極（GAA）、晶圓背面供電網(wǎng)絡（Backside PDN）和高帶寬存儲器（HBM）等技術熱點。2024年，TEL多款設備和技術都取得了市場良好的反饋，其中包括面向DRAM的High-k薄膜沉積設備、面向NAND的24腔單晶圓清洗設備及適用于HBM的臨時鍵合設備和適用于最先進邏輯（Backside PDN）的鍵合設備等等。

此外，TEL的新型低溫刻蝕技術自2023年推出以來，備受市場關注，該技術適用于400層以上3D NAND閃存加工過程，實現(xiàn)高深寬比刻蝕。與傳統(tǒng)技術相比，刻蝕超過10μm深孔的速度提升2.5倍，功耗降低40%以上。此外，該技術用HF取代了91%的CF系氣體，與上一代設備相比，保持同等以上工藝性能的前提下減少了80%的碳足跡。這款新型低溫刻蝕設備，已被多家晶圓代工廠采用，取得重大進展。

隨著人工智能熱潮持續(xù)，AI生態(tài)建設將引爆行業(yè)發(fā)展機遇。TEL強調(diào)，“全球半導體市場規(guī)模到2030年將增長到1萬億美元”這一觀點已成為行業(yè)共識。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha也預測，到2050年，半導體市場的估值將增長到驚人的5萬億美元，市場規(guī)模將比2023年增長10倍。

展望2025年，TEL認為除了人工智能服務器一如既往的強勁需求外，個人電腦和智能手機中的人工智能搭載率也將上升，有望增至總量的40%。根據(jù)研究機構(gòu)預測，2030年人工智能半導體在半導體器件中的比例將增長到70%，因此，人工智能在WFE市場中的應用也將逐步上升。

在這些市場的驅(qū)動下，繼DRAM投資恢復后，隨著庫存調(diào)整的進行，NAND投資也有望恢復。先進邏輯/晶圓代工的資本支出有望切實復蘇，以抵消成熟節(jié)點投資的低迷。TEL預計，這些因素將推動2025年WFE市場實現(xiàn)兩位數(shù)增長。