天眼查顯示，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司近日取得一項(xiàng)名為“碳化硅復(fù)合籽晶及晶體生長(zhǎng)裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN221918322U，授權(quán)公告日為2024年10月29日，申請(qǐng)日為2023年11月30日。

本申請(qǐng)公開了一種碳化硅復(fù)合籽晶及晶體生長(zhǎng)裝置，該碳化硅復(fù)合籽晶包括中間部和邊緣部。邊緣部連接于中間部的周向側(cè)壁上，且沿中間部的周向環(huán)繞中間部設(shè)置；其中，中間部設(shè)置為偏軸籽晶，邊緣部至少部分設(shè)置為正軸籽晶。上述，小平面區(qū)域?yàn)槠S籽晶，籽晶表面的臺(tái)階能充當(dāng)模板，使籽晶多型體在升華生長(zhǎng)法中能得到復(fù)制，降低了小平面產(chǎn)生晶型轉(zhuǎn)變問題的可能性。在非小平面區(qū)域即在碳化硅復(fù)合籽晶較邊緣的區(qū)域具有正軸籽晶來(lái)生長(zhǎng)碳化硅晶體。正軸籽晶臺(tái)階密度較小，改善了碳化硅復(fù)合籽晶邊緣的非小平面區(qū)域臺(tái)階束聚集問題。使得非小平面區(qū)域不容易產(chǎn)生堆垛層錯(cuò)，通過上述碳化硅復(fù)合籽晶生長(zhǎng)碳化硅晶體，能減少碳化硅晶體的缺陷。