8月22日，揚(yáng)杰科技發(fā)布2024年上半年業(yè)績報告稱，報告期內(nèi)，公司不斷加大Mosfet、IGBT、SiC等產(chǎn)品在工業(yè)、光伏儲能、新能源汽車、人工智能等市場的推廣力度，整體訂單和出貨量較去年同期提升，H1實(shí)現(xiàn)營收2,865,255,202.25元，同比增長9.16%

另外，歸屬于上市公司股東的凈利潤為424,843,451.68元，較上年同期增長3.43%；歸屬于上市公司股東的扣除非常性損益的凈利潤為422,451,942.72元，較上年同期增長3.04%。

基于Fabless模式的8吋、12吋平臺的Trench 1200V IGBT芯片，揚(yáng)杰科技完成了10A-200A全系列的開發(fā)；在G2和G3平臺方面，目前已經(jīng)成功開發(fā)應(yīng)用于變頻器、光儲、電源領(lǐng)域的1200V/35A～200A、950V/200A、650V/50A～100A等多款I(lǐng)GBT芯片，對應(yīng)的PIM和6單元功率模塊1200V/10A～200A、半橋模塊50A～900A也同步投放市場。報告期內(nèi)，揚(yáng)杰科技新能源汽車PTC用1200V系列單管大批量交付車企客戶。

第三代半導(dǎo)體芯片方面，650V/1200V/1700V的SiC SBD產(chǎn)品完成了2A-60A的全系列開發(fā)，報告期內(nèi)揚(yáng)杰科技在SiC SBD市場份額持續(xù)增加；SiC MOS的G1、G2、GH系列產(chǎn)品已開發(fā)上市，型號覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-1000 mΩ，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量出貨，其中1200V SiC MOS平臺的比導(dǎo)通電阻（RSP）可對標(biāo)國際水平。

車載模塊方面，揚(yáng)杰科技自主開發(fā)的車載碳化硅模塊已經(jīng)研制出樣，目前已經(jīng)獲得多家Tier1和終端車企的測試及合作意向，計劃于2025年完成全國產(chǎn)主驅(qū)碳化硅模塊的批量上車。

隨著經(jīng)營規(guī)模的持續(xù)擴(kuò)大，揚(yáng)杰科技逐步邁向集團(tuán)化、國際化。目前，揚(yáng)杰科技在全球多個國家/地區(qū)設(shè)立了在地化研發(fā)、制造與銷售網(wǎng)絡(luò)，其中研發(fā)中心6個、晶圓與封測工廠15個，基于本土客戶的定制化要求，將全球最佳實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)融入本土化產(chǎn)品開發(fā)。報告期內(nèi)，越南工廠及揚(yáng)州車規(guī)級晶圓和封裝工廠建設(shè)項(xiàng)目進(jìn)度不斷加快，持續(xù)聚焦在功率半導(dǎo)體賽道深耕發(fā)展。