2024年7月25日，由浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心牽頭起草的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開(kāi)通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》、T/CASAS 35—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》已形成委員會(huì)草案，兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)草案按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成。起草組召開(kāi)了多次正式或非正式的專(zhuān)題研討會(huì)，得到了很多CASAS正式成員的支持。委員會(huì)草案已經(jīng)由秘書(shū)處郵件發(fā)送至聯(lián)盟常務(wù)理事及理事單位。
T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開(kāi)通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》描述了用于零電壓軟開(kāi)通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法。適用于進(jìn)行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景。可應(yīng)用于以下器件：
a) GaN增強(qiáng)型和耗盡型分立電力電子器件；
b) GaN集成功率電路；
c) 以上的晶圓級(jí)及封裝級(jí)產(chǎn)品。
T/CASAS 35—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》描述了用于第三象限續(xù)流模式（包括硬關(guān)斷和零電流關(guān)斷）的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）電力電子動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法。適用于進(jìn)行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景?？蓱?yīng)用于以下器件：
a) GaN增強(qiáng)型分立電力電子器件；
b) GaN集成功率電路；
c) 以上的晶圓級(jí)及封裝級(jí)產(chǎn)品。
2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)
由賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 036—202X《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度測(cè)定 輝光放電質(zhì)譜法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨》已完成征求意見(jiàn)稿的編制，該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成，起草組召開(kāi)了多次正式或非正式的專(zhuān)題研討會(huì)。根據(jù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2024年7月25日起開(kāi)始征求意見(jiàn)，截止日期2024年8月24日。征求意見(jiàn)稿已經(jīng)由秘書(shū)處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至：casas@casa-china.cn。
T/CASAS 036—202X《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度測(cè)定 輝光放電質(zhì)譜法》規(guī)定了采用輝光放電質(zhì)譜法測(cè)定等靜壓石墨構(gòu)件純度的方法，包括術(shù)語(yǔ)和定義、試驗(yàn)原理、試驗(yàn)環(huán)境、儀器設(shè)備、試劑與材料、試樣、試驗(yàn)步驟、試驗(yàn)結(jié)果及試驗(yàn)報(bào)告。
本文件適用于單個(gè)雜質(zhì)元素含量范圍為0.01mg/kg～5mg/kg的碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度的測(cè)定，所述構(gòu)件包括碳化硅單晶生長(zhǎng)爐中的加熱器、坩堝、籽晶托等內(nèi)部構(gòu)件。碳化硅粉體合成用加熱器、坩堝等石墨熱場(chǎng)部件，以及碳化硅外延生長(zhǎng)用石墨基材的純度測(cè)定可參考本文件。
T/CASAS 048—202X《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨》描述了碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)識(shí)、包裝、運(yùn)輸和貯存等。
本文件適用于純度要求達(dá)到5N5（質(zhì)量分?jǐn)?shù)99.9995%）以上的碳化硅單晶生長(zhǎng)用或碳化硅粉體合成用等靜壓石墨，包括碳化硅單晶生長(zhǎng)用加熱器、坩堝、籽晶托等內(nèi)部構(gòu)件，以及碳化硅粉體合成用加熱器、坩堝等石墨熱場(chǎng)部件。
