天眼查顯示，長鑫存儲技術有限公司“半導體結構及其形成方法、存儲器”專利公布，申請公布日為2024年3月12日，申請公布號為CN117693185A。

本公開是關于半導體技術領域，涉及一種半導體結構及其形成方法、存儲器，本公開的形成方法包括：提供基底，基底包括襯底和絕緣介質層，襯底包括多個沿第一方向間隔分布的第一溝槽，絕緣介質層填充各第一溝槽；對基底進行圖案化蝕刻，以形成多個沿第二方向間隔分布的第二溝槽，第二方向與第一方向相交；在各第二溝槽內分別形成字線結構；在相鄰的兩個字線結構之間形成氣隙；對氣隙進行封口。本公開的形成方法可減小寄生電容，降低功耗，提高產品穩(wěn)定性。