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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)“內(nèi)部存儲(chǔ)器的故障修復(fù)方法及設(shè)備”專利公布

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天眼查顯示,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司“內(nèi)部存儲(chǔ)器的故障修復(fù)方法及設(shè)備”專利公布,申請(qǐng)公布日為2024年3月12日,申請(qǐng)公布號(hào)為CN117687818A。


本公開(kāi)提供一種內(nèi)部存儲(chǔ)器的故障修復(fù)方法及設(shè)備,該方法包括:通過(guò)預(yù)先訓(xùn)練得到的第一測(cè)試條件對(duì)第一內(nèi)部存儲(chǔ)器的主陣列進(jìn)行故障測(cè)試,得到第一故障單元,該訓(xùn)練過(guò)程包括根據(jù)第二測(cè)試條件的實(shí)際故障率對(duì)第二測(cè)試條件進(jìn)行調(diào)整的過(guò)程,第一測(cè)試條件是訓(xùn)練結(jié)束時(shí)的第二測(cè)試條件,第二測(cè)試條件的實(shí)際故障率是通過(guò)第二測(cè)試條件檢測(cè)出來(lái)的故障單元在后端測(cè)試時(shí)未出現(xiàn)故障的概率。其中,后端測(cè)試使用的測(cè)試條件與第二測(cè)試條件不同。從而根據(jù)實(shí)際故障率訓(xùn)練第一測(cè)試條件可以得到更好的第一測(cè)試條件,以優(yōu)化對(duì)第一故障單元的修復(fù),有助于提高整體良率。

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