騰訊科技（深圳）有限公司日前提交了名為“掩膜生成模型訓(xùn)練方法、掩膜生成方法及裝置和存儲介質(zhì)”的發(fā)明專利申請，申請?zhí)朇N202311005424.2，公開號CN116720479A。

根據(jù)專利文本介紹，隨著超大規(guī)模集成電路的特征尺寸持續(xù)縮短且已低于光刻工藝使用的光源波長，使得干涉現(xiàn)象和衍射現(xiàn)象十分明顯，導(dǎo)致通過掩膜曝光在晶圓上的圖案與所需的圖案相去甚遠(yuǎn)，極大影響芯片的性能、產(chǎn)能和良率。為了解決這一問題，深度學(xué)習(xí)技術(shù)目前已經(jīng)被應(yīng)用到芯片設(shè)計和制造的各個領(lǐng)域中，為保證掩膜版的較高質(zhì)量，需要保證生成的掩膜的復(fù)雜度較低。該申請實施例提供一種掩膜生成模型訓(xùn)練方法、掩膜生成方法及裝置和存儲介質(zhì)，可以降低掩膜的復(fù)雜度。

該專利所描述的專利方法包括：獲取訓(xùn)練樣本集，一訓(xùn)練樣本包括芯片樣本的目標(biāo)版圖和目標(biāo)版圖的掩膜，針對至少一訓(xùn)練樣本，以芯片樣本的目標(biāo)版圖作為掩膜生成模型的輸入，得到目標(biāo)版圖的預(yù)測掩膜，將目標(biāo)版圖的預(yù)測掩膜輸入光刻物理模型，得到該預(yù)測掩膜對應(yīng)的晶圓圖案，其中核函數(shù)通過對光刻系統(tǒng)(例如193納米的環(huán)形光源)的交叉?zhèn)鬟f系數(shù)進(jìn)行奇異值分解得到。根據(jù)芯片樣本的目標(biāo)版圖包括的多個圖形的周長之和與目標(biāo)版圖的預(yù)測掩膜的周長，確定目標(biāo)版圖的預(yù)測掩膜的復(fù)雜度，根據(jù)芯片樣本的目標(biāo)版圖、目標(biāo)版圖的預(yù)測掩膜對應(yīng)的晶圓圖案、目標(biāo)版圖的掩膜、目標(biāo)版圖的預(yù)測掩膜和目標(biāo)版圖的預(yù)測掩膜的復(fù)雜度，對掩膜生成模型的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，直到滿足停止訓(xùn)練條件，得到已訓(xùn)練的掩膜生成模型。