杭州光學精密機械研究所官方公眾號日前介紹，9月4日，國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項“大尺寸氧化鎵半導(dǎo)體材料與高性能器件研究”項目啟動會在杭州富陽順利召開。

該項目由中國科學院上海光學精密機械研究所牽頭，聯(lián)合廈門大學、吉林大學、中國電子科技集團公司第五十五研究所、北京中材人工晶體研究院有限公司、復(fù)旦大學、電子科技大學、杭州光學精密機械研究所、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司多家單位協(xié)同攻關(guān)。

文章介紹，項目計劃面向發(fā)展氧化鎵基日盲紫外探測及功率電子器件的迫切需求，以解決氧化鎵單晶襯底和外延薄膜缺陷與摻雜機制，微觀電子結(jié)構(gòu)、薄膜物性和器件性能構(gòu)效關(guān)系等關(guān)鍵科學問題為基礎(chǔ)，突破6英寸單晶熱場設(shè)計、高質(zhì)量外延膜生長、器件核心結(jié)構(gòu)設(shè)計等關(guān)鍵技術(shù)，研制出新一代高性能氧化鎵基功率及探測器件。

文章展望，本項目的實施將打通氧化鎵材料、外延到器件的全鏈路，研究成果有望逐步應(yīng)用于電動汽車、光伏變電、艦艇綜合電力、雷達探測、日盲紫外預(yù)警及環(huán)境監(jiān)測等方向，對推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化和經(jīng)濟發(fā)展具有積極的意義。同時也有助于打破國外相關(guān)技術(shù)封鎖，提升我國在該領(lǐng)域日趨激烈的國際競爭中的地位，推動我國在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。