天眼查顯示，上海陸芯電子科技有限公司“外延結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件”專利獲授權(quán)，授權(quán)公告日為7月7日，授權(quán)公告號為CN114566538B。

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專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種外延結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件，外延結(jié)構(gòu)包括：鈍化層；勢壘層，勢壘層位于所述鈍化層的一側(cè)；其中，所述勢壘層的表面包括至少一個勢壘層凹槽，至少一個勢壘層凹槽位于結(jié)構(gòu)設(shè)定區(qū)域，且所述至少一個勢壘層凹槽的開口朝向鈍化層。勢壘層表面的勢壘層凹槽可以引入更多的電場集中區(qū)域，進(jìn)而削弱在柵極靠近漏極的邊緣處因電場集中效應(yīng)產(chǎn)生的峰值電場的強(qiáng)度，減少柵極邊緣因該峰值電場的作用變?yōu)闀幌葳宸@的熱電子的數(shù)量，進(jìn)而縮短了在半導(dǎo)體器件開關(guān)時陷阱的充放電時間，即縮短了半導(dǎo)體器件開啟和關(guān)斷的時間，提高器件的響應(yīng)速度。（校對/趙碧瑩）