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5G、國防需求助攻,英特磊樂觀明年更旺

來源:愛集微 #英特磊# #砷化鎵#
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芯科技消息(文/羅伊)三五族半導(dǎo)體廠英特磊7日召開財報會,展望后市,董事長暨總經(jīng)理高永中表示,在5G推動下,砷化鎵、磷化銦產(chǎn)品線訂單穩(wěn)定成長,目前用于國防的銻化鎵國際訂單也持續(xù)增加,加上新廠效益顯現(xiàn),若中美貿(mào)易戰(zhàn)不再造成太大影響,明年全年業(yè)績?nèi)杂型暝?0-20%。

回頭展望第4季,高永中指出,延續(xù)第3季各產(chǎn)品線需求強勁,無論是在砷化鎵高速VCSEL,5G相關(guān)HBT、PIN磊芯片或銻化鎵紅外磊芯片等量產(chǎn)訂單均走在成長軌道,整體第4季將是今年業(yè)績高峰,并帶動今年全年同樣較去年成長10-13%。

新訂單方面,高永中透露,已取得大廠新的射頻高頻pHEMT訂單,本季量產(chǎn),預(yù)估明年貢獻業(yè)績;銻化鎵紅外磊芯片方面明年有望再取得國防大廠量產(chǎn)訂單;磷化銦方面與客戶進一步開發(fā)相關(guān)生物感測雷射芯片,預(yù)期都將幫助營收。

為應(yīng)對客戶需求強勁,英特磊將于新廠擴增用于磷化銦的生產(chǎn)機臺認(rèn)證,同時預(yù)計將銻化鎵用的大MBE機臺換成小型機臺,并視訂單需求決定再進一步增加第3臺大型MBE機臺,主要希望未來能更靈活調(diào)度產(chǎn)能。資本支出方面,高永中預(yù)估今年約200萬美元,明年將加倍。

新研發(fā)方面,英特磊已與國外氮化鎵專業(yè)公司合作、共同開發(fā)量產(chǎn)技術(shù),高永中強調(diào),隨未來雙方在技術(shù)、客戶上「互通有無」,樂觀明年起陸續(xù)可見效益顯現(xiàn)。

英特磊第3季合并營收1.83億元新臺幣(單位下同),季增8.7%、年增9.7%,毛利率34.8%,季減0.8個百分點、年增4.5個百分點;稅后凈利2125萬元,季增26.7%,年大幅增209.6%,近5-6季高點,每股盈余0.58元。

英特磊主要產(chǎn)品為砷化鎵、磷化銦及銻化鎵磊芯片,以分子束磊晶法(MBE)生產(chǎn)芯片,與其他用化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)生產(chǎn)的廠商不同,在控制磊晶厚度上較有優(yōu)勢。

第3季產(chǎn)品比重方面,以砷化鎵為最多,占49.3%,磷化銦占36.8%第二,銻化鎵13.7%第三。毛利表現(xiàn)方面,銻化鎵最優(yōu),磷化銦第二,接著是砷化鎵。高永中會中多次表示,銻化鎵是他中長期最看好的超級之星(Superstar),成長動能最好。(校對/ Jurnan )

英特磊總經(jīng)理高永中。圖片來源:芯科技

責(zé)編: 編輯部
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