1.“玉淵譚天”刊文：H20既不環(huán)保、也不先進、更不安全

2.從Fabless到IDM，長晶科技深筑功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢

3.臺積電2nm機密泄露，日本東京電子陷入困境

4.英特爾CEO陳立武將于周一會見特朗普，力圖化解“立即辭職”危機

5.換取出口許可！英偉達、AMD擬向美國政府上繳15%在華銷售AI芯片收入

6.新突破！國產(chǎn)光刻機陸續(xù)交付

1.“玉淵譚天”刊文：H20既不環(huán)保、也不先進、更不安全

8月10日，中央廣播電視總臺旗下的新媒體賬號“玉淵譚天”刊文《美國如何給芯片安“后門”》。

文章指出，今年5月，美國眾議員比爾·福斯特（Bill Foster）牽頭提出一項法案，要求美國商務(wù)部強制美國芯片企業(yè)在受出口管制的芯片中加入“后門”。比爾·福斯特想要實現(xiàn)的，總結(jié)起來就是兩件事，一個是“追蹤定位”，一個是“遠程關(guān)閉”?！坝駵Y譚天”從專業(yè)人士處了解到，比爾·福斯特的判斷是準確的，這兩項功能，從技術(shù)上完全可以實現(xiàn)。

文章認為，無論從哪個角度講，H20對于中國來說，都算不上是一款安全的芯片。除了不安全，H20也不先進。根據(jù)相關(guān)機構(gòu)數(shù)據(jù)，相比于H20的標準版——H100，H20的整體算力只有約20%，其GPU核心的數(shù)量比H100減少41%，性能降低28%，這也導(dǎo)致H20無法滿足萬億級大模型訓(xùn)練需求。

除了不先進，H20也不環(huán)保。去年7月，國家發(fā)展改革委聯(lián)合有關(guān)部門印發(fā)了一個名叫《數(shù)據(jù)中心綠色低碳發(fā)展專項行動計劃》的文件?！缎袆佑媱潯分刑岬剑?030年底，全國數(shù)據(jù)中心平均電能利用效率、單位算力能效和碳效達到國際先進水平。一般來說，對于采用14nm以下工藝的服務(wù)器GPU，節(jié)能水平的能效比需達到0.5TFLOPS/W，先進水平需達到1.0TFLOPS/W。根據(jù)相關(guān)機構(gòu)測算，H20的能效比大約為0.37TFLOPS/W，不滿足0.5TFLOPS/W的節(jié)能水平。我們都知道，算力某種程度上也是電力，人工智能的發(fā)展會新增大量的能源需求。而這些新增的需求，也需要符合中國綠色轉(zhuǎn)型的節(jié)奏。

文章指出，當一款芯片，既不環(huán)保，也不先進，更不安全時，作為消費者，我們當然可以選擇，不買。

2.從Fabless到IDM，長晶科技深筑功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢

打造從芯片設(shè)計、芯片制造到封裝測試的“全鏈條”產(chǎn)業(yè)體系，牢牢掌握芯片制造自主權(quán)，年銷售產(chǎn)品超300億顆需要多久？長晶科技的答案是——6年。

作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件企業(yè)，江蘇長晶科技股份有限公司（以下簡稱“長晶科技”）正以務(wù)實的態(tài)度推動產(chǎn)業(yè)的長遠發(fā)展，不斷突破功率半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)壁壘，加速推進關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新和高端半導(dǎo)體產(chǎn)品國產(chǎn)化落地，在國產(chǎn)替代“突圍戰(zhàn)”中攻堅克難，連續(xù)6年被中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會評為“中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)”！

“雙輪驅(qū)動”，提升本土競爭力

2018年11月，長晶科技在南京江北新區(qū)成立，圍繞成品（分立器件、電源管理IC）和晶圓兩大主營業(yè)務(wù)，聚焦消費、工業(yè)、汽車、新能源四大領(lǐng)域，形成了覆蓋二極管、三極管、MOSFET、IGBT單管／模塊、第三代半導(dǎo)體，以及以LDO、DC-DC、鋰電保護為代表的電源管理IC產(chǎn)品。

 圖片來源：長晶科技

全球功率半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢。市場研究機構(gòu)Omdia預(yù)測，2027年全球市場規(guī)模有望達到596億美元。中國作為該領(lǐng)域全球最大的消費國，占據(jù)約三分之一的市場份額，發(fā)展?jié)摿︼@著。然而，目前我國功率半導(dǎo)體市場對國際領(lǐng)先企業(yè)依賴度較高，本土供應(yīng)商面臨著追趕的壓力。

為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，長晶科技確立了“研發(fā)引領(lǐng)”與“供應(yīng)鏈協(xié)同”并重的發(fā)展戰(zhàn)略。

一方面，持續(xù)投入研發(fā)以提升技術(shù)實力，組建了具有豐富研發(fā)經(jīng)驗和行業(yè)經(jīng)驗的核心團隊；同時，積極與電子科技大學(xué)等國內(nèi)知名高校開展產(chǎn)學(xué)研合作，并建立了國家級博士后科研工作站、江蘇省企業(yè)技術(shù)中心、江蘇省工程技術(shù)研究中心等省級以上研發(fā)平臺，實現(xiàn)了涵蓋MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體等高性能產(chǎn)品的成果轉(zhuǎn)化。

另一方面，通過一系列并購整合與投資，不斷強化市場競爭力：在晶圓制造環(huán)節(jié)，長晶科技于2022年3月完成對江蘇新順微電子股份有限公司5吋和6吋晶圓制造資源的整合，一舉補足公司在分立器件晶圓制造領(lǐng)域的能力，依托該平臺的技術(shù)升級和持續(xù)優(yōu)化，形成了涵蓋二極管芯片、三極管芯片和MOSFET芯片在內(nèi)的三大核心產(chǎn)品系列。目前，相關(guān)產(chǎn)線已具備年產(chǎn)約160萬片晶圓的生產(chǎn)能力。這為公司在功率半導(dǎo)體器件的源頭制造環(huán)節(jié)提供了堅實保障，并提升了在核心部件供應(yīng)的穩(wěn)定性與靈活性；在封測環(huán)節(jié)，繼2020年收購海德半導(dǎo)體后，長晶科技于同年11月投資設(shè)立江蘇長晶浦聯(lián)功率半導(dǎo)體有限公司，布局了自主的封裝測試產(chǎn)線。該產(chǎn)線覆蓋SOT、SOD、TO、DFN、PDFN、IGBT模塊等十余種封裝工藝，產(chǎn)品線包括小信號器件、MOSFET、電源管理IC、車規(guī)級功率器件等，年產(chǎn)能約100億顆電子元器件。2024年12月，江蘇長晶浦聯(lián)功率半導(dǎo)體有限公司車規(guī)級功率器件項目（一期）正式落成。

基于上述布局，長晶科技現(xiàn)已部分具備了功率器件、功率模塊及電源管理IC的全流程制造能力，顯著增強了其在功率半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域的本土供應(yīng)能力。

長晶科技持續(xù)推進其“研發(fā)引領(lǐng)”與“供應(yīng)鏈協(xié)同”雙輪驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略的實施，成功構(gòu)建出覆蓋芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試至銷售的完整產(chǎn)業(yè)鏈，標志著其已實現(xiàn)從Fabless模式向IDM模式的關(guān)鍵轉(zhuǎn)型。目前，長晶科技已成為國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域具備重要影響力的綜合型供應(yīng)商之一。

打造一體化優(yōu)勢，切入車規(guī)級賽道

作為功率半導(dǎo)體“新秀”企業(yè)，一系列重大舉措建設(shè)IDM供應(yīng)鏈體系的背后，到底有怎樣的緊迫性？

從全球市場來看，功率半導(dǎo)體市場集中度頗高，英飛凌、德州儀器、安森美等海外IDM巨頭占據(jù)了中高端產(chǎn)品生產(chǎn)的主導(dǎo)地位。我國功率半導(dǎo)體市場競爭格局較為分散，雖然在一些細分領(lǐng)域取得了顯著進展，并有望在更多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)進口替代，但需要通過內(nèi)部整合資源，形成產(chǎn)業(yè)鏈一體化競爭優(yōu)勢，IDM模式是必經(jīng)之路。

圖片來源：長晶科技

顯然，IDM模式更利于長晶科技整合內(nèi)部資源，實現(xiàn)芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試等環(huán)節(jié)協(xié)同優(yōu)化，從而進行高效的工藝開發(fā)，加速新產(chǎn)品研發(fā)迭代周期；另一方面，IDM 模式使得長晶科技的研發(fā)與工藝優(yōu)化、生產(chǎn)制造的協(xié)同效應(yīng)顯著提升，更有利于技術(shù)的積淀和新工藝、新產(chǎn)品的開發(fā)，從而形成更強的市場競爭力。

更重要的是，近年來以新能源汽車為代表的新型應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?yīng)鏈要求更加全面。因下游汽車類等產(chǎn)品要應(yīng)對復(fù)雜的使用環(huán)境和應(yīng)用工況，導(dǎo)致整車廠商對車規(guī)級功率半導(dǎo)體的安全性、可靠性、穩(wěn)定性的要求較高，終端廠商在同等情況下往往偏好與具有IDM模式的半導(dǎo)體企業(yè)建立合作。

這與長晶科技發(fā)展思路不謀而合。事實上，在形成消費級、工業(yè)級產(chǎn)品競爭優(yōu)勢后，長晶科技早早布局車規(guī)級產(chǎn)品，在支持客戶一站式采購需求，實現(xiàn)市場多樣化訴求方面不斷突破。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，一輛汽車所需的芯片數(shù)量，從傳統(tǒng)燃油車的600～700顆芯片/輛，到每輛電動車所需芯片數(shù)量為1600顆，而更高級的智能汽車對芯片的需求量將有望提升至3000顆。

長晶科技將“創(chuàng)造世界一流的半導(dǎo)體品牌”作為企業(yè)愿景，為實現(xiàn)這一企業(yè)愿景，需要不斷對產(chǎn)品進行優(yōu)化、升級，從以消費電子為主向工規(guī)、車規(guī)應(yīng)用領(lǐng)域轉(zhuǎn)型，對標國際頭部廠商，全面具備參與國際市場競爭的能力，同時也是發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力、實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的重要舉措。

經(jīng)過多年探索實踐，長晶科技依托深厚的研發(fā)實力、標準化的研發(fā)流程和領(lǐng)先的品質(zhì)管控能力，推動車規(guī)級產(chǎn)品的全系認證、迭代升級和規(guī)?；瘧?yīng)用，促進了汽車電子業(yè)務(wù)蓬勃發(fā)展，已實現(xiàn)超過三千款型號產(chǎn)品的車規(guī)級認證，滿足汽車12V，24V和48V系統(tǒng)不同場景的應(yīng)用需求，在以比亞迪、吉利、長安、長城、通用等為代表的整車企業(yè)以及眾多國際頭部Tier 1、Tier 2系統(tǒng)供應(yīng)商中形成規(guī)模采購，成為企業(yè)新的增長驅(qū)動。

聚焦核心技術(shù)，堅持研發(fā)創(chuàng)新

長晶科技成立以來，堅持以半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)的自主可控為己任，逐步從偏設(shè)計領(lǐng)域的半導(dǎo)體公司，發(fā)展為具備芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試一體化能力的國內(nèi)功率器件IDM頭部廠商之一，在南京、深圳、上海、臺灣、無錫等地設(shè)有研發(fā)機構(gòu)，團隊也由2018年初創(chuàng)時的100多人發(fā)展至近2000人的規(guī)模。

歷經(jīng)數(shù)年研發(fā)創(chuàng)新、工程技術(shù)優(yōu)化，長晶科技許多產(chǎn)品從性能和可靠性上都已達到國際主流和先進水平。數(shù)據(jù)顯示，截至2025年7月底，長晶科技知識產(chǎn)權(quán)數(shù)量已達396件，其中專利235件（發(fā)明專利80件），集成電路布圖設(shè)計113件；旗下產(chǎn)品系列和型號超20000個，年銷售產(chǎn)品突破300億顆。

2024年，長晶科技圍繞消費電子、工業(yè)控制、汽車電子和新能源四大核心應(yīng)用，持續(xù)推進功率與電源產(chǎn)品的創(chuàng)新迭代。其技術(shù)脈絡(luò)日益清晰：功率器件領(lǐng)域，完成 CSP 與 SGT MOSFET 的第二代/第三代平臺迭代，F(xiàn)ST3.0 IGBT 單管與模塊產(chǎn)品成功推向市場并持續(xù)迭代；電源管理IC領(lǐng)域，LDO、DCDC、信號鏈、驅(qū)動及邏輯等產(chǎn)品線持續(xù)拓展，部分核心性能指標已達到國際主流水平。

這份堅持與投入，亦收獲廣泛認可——長晶科技獲評國家級專精特新“小巨人”企業(yè)、高新技術(shù)企業(yè)；更高層級的創(chuàng)新載體——國家級博士后科研工作站、江蘇省工程技術(shù)研究中心、江蘇省企業(yè)技術(shù)中心獲批運行；同時，躋身南京市百強高新技術(shù)企業(yè)、制造業(yè)百強及成長型企業(yè)五十強之列。近年來，長晶科技以其在研發(fā)上的深耕與產(chǎn)業(yè)間的協(xié)同，夯實了從設(shè)計、晶圓制造到封測的全鏈條能力基礎(chǔ)，有力支撐著功率半導(dǎo)體與電源管理解決方案在多元場景下的本地化應(yīng)用。

日拱一卒無有盡，功不唐捐終入海。長晶科技將繼續(xù)加大研發(fā)投入，聚焦SGT、IGBT、IC、IPM、汽車電子、第三代半導(dǎo)體等產(chǎn)品的優(yōu)化迭代，對標國際領(lǐng)先水平，逐步擴大功率半導(dǎo)體產(chǎn)品在國內(nèi)的市場占有率；同時，進一步推進產(chǎn)業(yè)升級，重點突破產(chǎn)品在汽車電子、新能源、算力應(yīng)用和智能化等新興領(lǐng)域的應(yīng)用，立足國內(nèi)市場、開拓國際市場。充分利用IDM產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，緊跟國際主流半導(dǎo)體技術(shù)，踐行自主創(chuàng)新，致力于建設(shè)自主可控的功率半導(dǎo)體完整產(chǎn)業(yè)鏈，為“創(chuàng)造世界一流的半導(dǎo)體品牌”持續(xù)奮斗。

3.臺積電2nm機密泄露，日本東京電子陷入困境

臺積電近日因涉嫌竊取芯片技術(shù)一事受到臺灣檢方的調(diào)查，引發(fā)廣泛關(guān)注。中國臺灣檢方逮捕了六人，其中包括一名東京電子（Tokyo Electron）的前雇員，指控他們涉嫌竊取東京電子的商業(yè)機密。

東京電子是全球最大的芯片制造工具供應(yīng)商之一，其臺北分公司一名與此案相關(guān)的員工已被解雇，公司正在積極配合調(diào)查。受此事件影響，東京電子股價周四下跌2.5%，跌至4月底以來的最低水平。

此次東京電子被捕事件引發(fā)了外界對其員工為何參與此類行動、是否有竊取臺積電商業(yè)機密的動機，以及是否與日本發(fā)展本土芯片產(chǎn)業(yè)的雄心有關(guān)的疑問。

早稻田大學(xué)教授長內(nèi)淳表示，東京電子成為焦點“感覺像是一場不幸的意外”。據(jù)知情人士透露，東京電子內(nèi)部已指示員工不要討論此案，公司經(jīng)理已飛往臺灣處理善后事宜。

東京電子表示，目前尚未發(fā)現(xiàn)商業(yè)機密被泄露給第三方的證據(jù)，案件正處于司法審查階段。臺灣檢方也未透露更多調(diào)查細節(jié)。

東京電子在全球芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著重要角色，為臺積電、三星電子和英特爾等企業(yè)提供關(guān)鍵設(shè)備。芯片行業(yè)資深人士認為，東京電子沒有明確理由參與知識產(chǎn)權(quán)盜竊行為，因為這會危及與臺積電的關(guān)系。臺積電是全球最大的芯片制造設(shè)備制造商，也是英偉達和蘋果的供應(yīng)商。

長內(nèi)淳指出，“臺積電是東京電子最重要的客戶，也是半導(dǎo)體行業(yè)的核心參與者，很難想象該公司會因不法行為而冒失去這一切的風(fēng)險?！?/p>

此外，東京電子也面臨美國和中國之間日益緊張關(guān)系的挑戰(zhàn)。公司約40%的銷售額來自中國，但受美國技術(shù)出口限制影響，無法將最先進設(shè)備銷往中國。上周，受預(yù)期訂單取消及中國市場需求低迷影響，東京電子被迫下調(diào)盈利預(yù)期，股價暴跌18%。

這場爭議正值東京電子的低谷期，進一步加劇了其經(jīng)營壓力。隨著案件調(diào)查的深入，東京電子與臺積電的合作關(guān)系以及其在全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈中的地位將面臨新的考驗。

臺積電8月11日召開董事會，將報告2nm泄密案

臺積電董事會8月11日起一連舉行二天，除將討論第二季股利以及資本預(yù)算案外，臺積電近期爆發(fā)員工涉及2nm營業(yè)秘密泄漏案，經(jīng)營團隊將于會中報告相關(guān)案情，外界高度關(guān)注。

臺積電近期驚爆營業(yè)秘密泄漏案，臺積電已對于涉案違規(guī)人員進行嚴厲懲處，并采取相關(guān)法律行動。日本半導(dǎo)體設(shè)備廠TEL也指出，對于涉案的中國臺灣子公司東京威力科創(chuàng)員工，已采取解雇處分。

由于泄漏的營業(yè)秘密傳出疑似是2nm制程技術(shù)，此外，泄密案涉及日本廠商，備受國際關(guān)注。擔(dān)任臺積電法人董事的中國臺灣發(fā)展委員會主任劉鏡清日前說，臺積電董事會將針對案情說明。

劉鏡清表示，檢調(diào)等機構(gòu)已經(jīng)進入調(diào)查，目前還在查證階段，要厘清動機跟目的。此案與臺積電日本投資應(yīng)沒有關(guān)聯(lián)。

臺積電向來對于董事會地點、時間和議案不會多做說明，董事會會后將會公告相關(guān)決議。臺積電通常會在每季第2個月的第2個星期二公告決議內(nèi)容，這次可能在8月12日公告決議事項。

消息傳出臺積電董事會將于8月11日起在南科廠舉行，臺積電運行副總經(jīng)理暨共同首席運營官秦永沛與資深副總經(jīng)理暨副共同首席運營官侯永清現(xiàn)身新竹高鐵站，可能準備搭車前往臺南，向董事會報告疑似2nm泄密案。

據(jù)臺積電年報指出，每季定期董事會開會時間長達2天，除決議各議案，并與經(jīng)營團隊討論經(jīng)營策略及未來方針，以為股東創(chuàng)造最高利益。

據(jù)了解，臺積電董事會預(yù)計會核準第2季股利，基于股利政策是可持續(xù)且穩(wěn)定成長，每股現(xiàn)金股利將至少5元新臺幣起跳。此外，臺積電董事會也將核準資本預(yù)算案，應(yīng)對未來擴產(chǎn)需求。臺積電董事會雖然會報告營業(yè)秘密泄漏案，不過不會有決議。（聯(lián)合新聞網(wǎng)）

4.英特爾CEO陳立武將于周一會見特朗普，力圖化解“立即辭職”危機

據(jù)知情人士表示，在美國總統(tǒng)唐納德·特朗普上周要求其下臺后，英特爾CEO陳立武將于本周一訪問白宮。英特爾和白宮尚未立即回應(yīng)置評請求。

報道稱，預(yù)計陳立武將與特朗普進行深入交談，同時解釋其個人和職業(yè)背景，并可能提出英特爾與美國政府合作的方式。

陳立武希望通過展示其對美國的承諾，并保證將英特爾的制造能力作為國家安全問題的重要性，來贏得特朗普的認可。

近期，特朗普要求陳立武立即辭職，稱其與中國企業(yè)的關(guān)系使其“高度矛盾”，并對扭轉(zhuǎn)這家陷入困境的美國芯片巨頭的計劃表示懷疑。

陳立武表示，他贊同美國總統(tǒng)致力于推進美國國家和經(jīng)濟安全的承諾。

特朗普的介入標志著美國總統(tǒng)公開呼吁罷免公司CEO的罕見案例，并引發(fā)了投資者的爭論。

今年4月報道稱，陳立武向數(shù)百家中國先進制造和芯片公司投資至少2億美元，其中一些公司與中國軍方有關(guān)聯(lián)。

陳立武是一位出生于馬來西亞的華裔美國企業(yè)高管，他曾于2008年至2021年12月?lián)蜟adence Design公司CEO。

5.換取出口許可！英偉達、AMD擬向美國政府上繳15%在華銷售AI芯片收入

據(jù)知情人士透露，作為與美國特朗普政府達成的一項協(xié)議的一部分，英偉達和AMD公司同意將其對華芯片銷售收入的15%支付給美國政府，以獲得出口許可證。

該知情人士補充說，英偉達計劃將其H20芯片在中國銷售收入的15%，而AMD也將支付相同比例的MI308芯片銷售收入。

此前，報道稱，美國商務(wù)部于上周五開始發(fā)放H20芯片許可證，而就在上周三，英偉達CEO黃仁勛與美國總統(tǒng)進行了會面。

由于中美之間的貿(mào)易緊張局勢加劇， 美國政府今年早些時候凍結(jié)了部分對華先進芯片的銷售。

英偉達發(fā)言人表示，公司遵守美國出口規(guī)定，并補充說，盡管該公司已數(shù)月未向中國出口H20芯片，但希望這些規(guī)定能夠允許美國公司在中國競爭。AMD尚未立即回應(yīng)置評請求。

此外，據(jù)報道，英特爾CEO陳立武預(yù)計將于周一訪問白宮，近期特朗普因質(zhì)疑陳立武與中國企業(yè)的關(guān)系而要求解雇他。

6.新突破！國產(chǎn)光刻機陸續(xù)交付

近期，國產(chǎn)光刻機迎來新的突破進展，芯上微裝第500臺步進光刻機成功交付，璞璘科技自主研發(fā)的首臺PL-SR系列噴墨步進式納米壓印設(shè)備已順利通過驗收并交付國內(nèi)特色工藝客戶。標志著我國在高端半導(dǎo)體裝備制造領(lǐng)域邁出堅實步伐，成功打破國外廠商在該領(lǐng)域的技術(shù)壟斷。

近期，上海芯上微裝科技股份有限公司（簡稱：芯上微裝，AMIES）舉辦第500臺步進光刻機交付儀式，標志著我國高端半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)邁上新的臺階。

先進封裝光刻機是芯上微裝的拳頭產(chǎn)品，具備高分辨率、高套刻精度、超大曝光視場等顯著特點，具有強大的翹曲和厚膠處理能力，可根據(jù)客戶的具體工藝需求靈活配置設(shè)備。該類產(chǎn)品能夠滿足Flip-chip、Fan-in、Fan-out WLP/PLP、2.5D/3D等先進封裝技術(shù)的要求，獲得了市場的高度認可，目前全球市占率達到35%，國內(nèi)市占率達到90%。

此次發(fā)運的第500臺步進光刻機將交付給盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）有限公司。盛合晶微是全球領(lǐng)先的集成電路晶圓級先進封測企業(yè)，致力于支持各類高性能芯片，尤其是圖形處理器（GPU）、中央處理器（CPU）、人工智能（AI）芯片等，通過超越摩爾定律的異構(gòu)集成方式，實現(xiàn)高算力、高帶寬、低功耗等的全面性能提升。近幾年，盛合晶微著力發(fā)展先進的3DIC加工和集成技術(shù)，實現(xiàn)跨越式發(fā)展，同時推動先進集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈整體水平提升。

芯上微裝將持續(xù)深耕先進封裝、IC前道、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域，力爭建設(shè)成為國內(nèi)領(lǐng)先、具有國際競爭力的半導(dǎo)體高端裝備企業(yè)。

根據(jù)資料顯示，芯上微裝成立于2025年02月，是一家專注于高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)、生產(chǎn)和服務(wù)的創(chuàng)新型科技企業(yè)。公司致力于為IC前道芯片制造、晶圓級/板級先進封裝、化合物半導(dǎo)體和新型顯示等應(yīng)用領(lǐng)域提供高精度、高性能、高可靠性的設(shè)備及解決方案。目前芯上微裝的主力產(chǎn)品為晶圓級先進封裝光刻機、激光退火設(shè)備和前道晶圓缺陷檢測設(shè)備。

國產(chǎn)半導(dǎo)體裝備重大突破！璞璘科技納米壓印光刻機交付客戶

8月5日，璞璘科技在其微信公眾號中宣布，其自主研發(fā)的首臺PL-SR系列噴墨步進式納米壓印設(shè)備已順利通過驗收并交付國內(nèi)特色工藝客戶。這一里程碑事件標志著我國在高端半導(dǎo)體裝備制造領(lǐng)域邁出堅實步伐，成功打破國外廠商在該領(lǐng)域的技術(shù)壟斷。

據(jù)悉，PL-SR系列設(shè)備實現(xiàn)了多項關(guān)鍵突破。該設(shè)備攻克了步進硬板的非真空完全貼合、噴膠與薄膠壓印、壓印膠殘余層控制等核心技術(shù)難題，可支持線寬小于10nm的納米壓印光刻工藝。值得注意的是，這一技術(shù)指標已超越國際巨頭佳能同類產(chǎn)品FPA-1200NZ2C（支持14nm線寬）的水平。設(shè)備配備自主研發(fā)的模板面型控制系統(tǒng)、納米壓印光刻膠噴墨算法系統(tǒng)等核心模塊，展現(xiàn)出強大的自主創(chuàng)新能力。

相比傳統(tǒng)EUV光刻技術(shù)，納米壓印技術(shù)可降低60%的設(shè)備投資成本，并將耗電量控制在EUV技術(shù)的10%。特別在存儲芯片制造領(lǐng)域，該技術(shù)因適合重復(fù)性圖形結(jié)構(gòu)而展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢，為國內(nèi)存儲芯片廠商突破制程瓶頸提供了新的技術(shù)路徑。目前，該設(shè)備已完成存儲芯片、硅基微顯等多個領(lǐng)域的研發(fā)驗證。

此次突破具有重要的戰(zhàn)略意義。佳能同類產(chǎn)品此前明確對中國禁運，PL-SR系列的成功交付不僅打破了這一技術(shù)封鎖，更為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控提供了關(guān)鍵裝備支撐。雖然納米壓印技術(shù)在復(fù)雜邏輯芯片制造上仍有效率瓶頸，但在存儲芯片等特定領(lǐng)域已展現(xiàn)出替代潛力，有望助力國內(nèi)廠商提升市場競爭力。