專利申請中的氮氣鼓泡技術(shù)，顯著提升了濕法刻蝕均勻性以及清洗性能。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“盛美上?！保苿?chuàng)板股票代碼：688082），作為一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)晶圓級封裝應(yīng)用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應(yīng)商，今日宣布對其Ultra C wb濕法清洗設(shè)備進(jìn)行了重大升級。此次全新升級旨在滿足先進(jìn)節(jié)點制造工藝的苛刻技術(shù)要求。

升級后的Ultra C wb采用了專利申請中的氮氣（N2）鼓泡技術(shù)，有效解決了濕法刻蝕均勻性差和副產(chǎn)物二次沉積問題。在先進(jìn)節(jié)點制造工藝中，這些問題常見于高深寬比溝槽和通孔結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)濕法清洗工藝。氮氣鼓泡技術(shù)不但提升了化學(xué)藥液傳輸效率，而且提高了濕法刻蝕槽內(nèi)溫度、濃度和流速的均勻性。濕法刻蝕過程中質(zhì)量傳遞效率的提高可防止副產(chǎn)物在晶圓微結(jié)構(gòu)內(nèi)積聚，從而避免二次沉積。這項技術(shù)在500層以上的3D NAND，3D DRAM，3D 邏輯器件中有巨大的應(yīng)用前景。

盛美上?？偨?jīng)理王堅表示：

性能提升始終是首要的追求，通過專利申請中的集成氮氣鼓泡技術(shù)，盛美提升了Ultra C wb設(shè)備的工藝性能。批式處理工藝始終是濕法加工領(lǐng)域的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與單晶圓濕法清洗相比，其在成本效益、生產(chǎn)效率及化學(xué)品消耗方面具有顯著優(yōu)勢。

升級后的Ultra C wb設(shè)備具有以下全新特性與優(yōu)勢：

提升蝕刻均勻性：相較于傳統(tǒng)的槽式濕法清洗設(shè)備，Ultra C wb平臺配備了氮氣鼓泡技術(shù)，將晶圓內(nèi)以及晶圓間的濕法刻蝕均勻性提高了50%以上。

提高顆粒去除性能：在先進(jìn)節(jié)點工藝中，Ultra C wb平臺的卓越清洗能力已被證明能夠高效去除化學(xué)藥液添加劑的有機(jī)殘留物。

擴(kuò)展工藝能力：升級后的清洗臺模塊已通過三道先進(jìn)節(jié)點工藝驗證，包括：疊層氮化硅蝕刻、溝道孔多晶硅蝕刻以及柵極線鎢蝕刻，可搭配多種化學(xué)藥液使用。

自主知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計：專利申請中的氮氣鼓泡設(shè)計可生成均勻分布的大尺寸氣泡，且氣泡密度精準(zhǔn)可控。該專利申請的氮氣鼓泡核心技術(shù)可以應(yīng)用在盛美上海的Ultra C Tahoe（單片槽式組合清洗設(shè)備）平臺上，更好地解決客戶未來的工藝需求。