三星電子近日宣布，已成功突破10納米級(jí)第六代（1c）DRAM制程的良率門檻，良率超過50%，并計(jì)劃在下半年導(dǎo)入第六代HBM（HBM4）進(jìn)行量產(chǎn)。這一突破標(biāo)志著三星在高端存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重大進(jìn)展。

1c DRAM制程節(jié)點(diǎn)約為11～12納米，相較于目前主流的第4代（1a，約14nm）和第5代（1b，約12～13nm）DRAM，1c DRAM具備更高密度、更低功耗和更薄的晶粒厚度，有利于在HBM4中堆疊更多層次的記憶體，從而大幅提升容量與頻寬密度。

目前，HBM市場(chǎng)主要由SK海力士和美光主導(dǎo)。SK海力士率先出貨基于1b DRAM制成的HBM4樣品，并掌握HBM3E（第五代HBM）8層與12層市場(chǎng)，美光則緊隨其后。相比之下，三星雖曾向AMD供應(yīng)HBM3E，但未通過NVIDIA測(cè)試，使其在AI記憶體市場(chǎng)的市占受到挑戰(zhàn)。

為扭轉(zhuǎn)這一局面，三星從去年起全力投入1c DRAM的研發(fā)，并由DRAM開發(fā)室長(zhǎng)黃相準(zhǔn)主導(dǎo)重設(shè)計(jì)作業(yè)。黃相準(zhǔn)指出，1c DRAM性能與良率未達(dá)標(biāo)的根本原因在于初期設(shè)計(jì)架構(gòu)，強(qiáng)調(diào)「不從設(shè)計(jì)階段徹底修正，將難以取得進(jìn)展」。據(jù)悉，該案初期因設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)與制造部門缺乏協(xié)作導(dǎo)致進(jìn)度受阻，此次由高層介入調(diào)整設(shè)計(jì)流程，亦反映三星對(duì)重回技術(shù)領(lǐng)先地位的決心。

三星還制定了積極的市場(chǎng)反攻策略，計(jì)劃在下半年供應(yīng)HBM4樣品，并將「客制化HBM」作為新戰(zhàn)略核心。HBM4允許將邏輯晶片（logic die）與DRAM堆疊整合，通過晶圓代工制程優(yōu)化整體架構(gòu)，以滿足不同應(yīng)用需求。為強(qiáng)化整體效能與整合彈性，三星還導(dǎo)入自研4奈米制程，用于量產(chǎn)搭載于HBM4堆疊底部的邏輯晶片。

值得一提的是，根據(jù)報(bào)道，SK海力士對(duì)1c DRAM的投資相對(duì)保守，將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向以1b DRAM支援HBM3E與HBM4的量產(chǎn)，預(yù)計(jì)要到第七代HBM（HBM4E）才會(huì)導(dǎo)入1c制程。這突顯出三星希望通過更早導(dǎo)入先進(jìn)制程，在技術(shù)節(jié)點(diǎn)上搶得先機(jī)。若三星能持續(xù)提升1c DRAM的良率，不僅有助于縮小與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，也將強(qiáng)化其在AI與高效能運(yùn)算市場(chǎng)中的供應(yīng)能力與客戶信任。

此次三星在1c DRAM制程上的突破，不僅是對(duì)其自身技術(shù)實(shí)力的驗(yàn)證，也預(yù)示著未來高端存儲(chǔ)器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局可能發(fā)生新的變化。隨著HBM4的量產(chǎn)和應(yīng)用，三星有望在AI和高性能計(jì)算領(lǐng)域占據(jù)更為重要的地位。