近來(lái)，成熟制程DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格上漲明顯。由于主流DRAM制造商轉(zhuǎn)向生產(chǎn)新一代DDR5和LPDDR5X產(chǎn)品，并將于2025年底前大幅削減DDR4和LPDDR4的產(chǎn)量，這導(dǎo)致近期成熟制程DRAM價(jià)格上漲明顯。DDR4和LPDDR4被視為成熟制程產(chǎn)品。不過(guò)根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，6月23日-27日當(dāng)周，DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)熱度略為降溫，受到市場(chǎng)追價(jià)力道趨緩，加上月底工廠進(jìn)行庫(kù)存盤(pán)點(diǎn)影響，整體購(gòu)貨動(dòng)能明顯放緩，氛圍轉(zhuǎn)為觀望。

DDR4現(xiàn)貨價(jià)格漲勢(shì)有所降溫

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce報(bào)告，近來(lái)DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格漲勢(shì)十分明顯。6月16日-6月20日當(dāng)周DDR4 1Gx8 3200/2666部分，SK Hynix DJR-XNC/CJR-XNC價(jià)格跳空達(dá)到3.65~3.80美元，Samsung WC-BCWE現(xiàn)貨少量報(bào)價(jià)高漲至8.60美元附近。

不過(guò)，本周DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)熱度略為降溫，市場(chǎng)追價(jià)力道有所趨緩。供應(yīng)商為求回籠資金，開(kāi)始調(diào)整報(bào)價(jià)，在低價(jià)部位有買(mǎi)家競(jìng)價(jià)進(jìn)場(chǎng)，實(shí)際有零星實(shí)單成交，但整體交易量未能顯著放大。DDR4 1Gx8 3200/2666部分，SK Hynix DJR-XNC/CJR-XNC價(jià)格向下修正來(lái)到3.4x~3.5x美元，Samsung WC-BCWE現(xiàn)貨少量報(bào)價(jià)回檔至8.20美元附近。

模組方面的現(xiàn)貨參考價(jià)格：KST DDR4 8G 3200 $28.75、KST DDR4 16G 3200 $54.75、KST DDR4 32G 3200 $107.00。而KST DDR5 8G 5600 $20.50、KST DDR5 16G 5600 $36.50、KST DDR5 32G 5600 $68.50。

行業(yè)普遍認(rèn)為，美國(guó)關(guān)稅政策是造成DDR4價(jià)格飛漲的原因之一。美國(guó)政府緩征對(duì)等關(guān)稅90天，促使電腦制造商積極儲(chǔ)備存儲(chǔ)器庫(kù)存，帶動(dòng)DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器價(jià)格連連跳漲。此外，主流DRAM制造商轉(zhuǎn)向生產(chǎn)DDR5也是當(dāng)前DDR4價(jià)格畸形上漲的原因之一。TrendForce表示，全球三大DRAM供應(yīng)商三星電子、SK海力士和美光（Micron）縮減舊制程DDR4產(chǎn)能，協(xié)助推動(dòng)價(jià)格上漲。

光大證券分析，存儲(chǔ)芯片價(jià)格近期呈現(xiàn)上漲態(tài)勢(shì)，背后有多方面原因。從供給端來(lái)看，此前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)處于下行周期，供過(guò)于求，價(jià)格低迷，三星、美光、SK海力士等全球存儲(chǔ)芯片大廠為扭轉(zhuǎn)局面，紛紛削減產(chǎn)能。例如美光從2024年9月開(kāi)始削減NANDFlash閃存產(chǎn)量，并計(jì)劃將減產(chǎn)幅度擴(kuò)大至30%，三星也在2024年11月宣布減產(chǎn)，目標(biāo)是將NANDFlash芯片產(chǎn)量減少15%～20%。經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的減產(chǎn)，市場(chǎng)庫(kù)存得到有效去化，供應(yīng)壓力緩解，為價(jià)格上漲奠定基礎(chǔ)。

需求端上，AI技術(shù)的迅猛發(fā)展成為關(guān)鍵推動(dòng)因素。AI服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求極為旺盛，其存儲(chǔ)成本占比達(dá)40%～60%，單臺(tái)搭載HBM芯片價(jià)值量超3000美元。不僅如此，AI在智能手機(jī)、個(gè)人電腦、智能穿戴等消費(fèi)電子領(lǐng)域以及智能汽車(chē)領(lǐng)域的加速滲透，使得終端設(shè)備對(duì)更高容量和更高性能存儲(chǔ)芯片的需求大增。如AI手機(jī)標(biāo)配DRAM升至16GB，AI電腦內(nèi)存擴(kuò)至32GB。

廠商仍然看好下半年市場(chǎng)前景

這一價(jià)格趨勢(shì)將對(duì)存儲(chǔ)廠商形成利好，將對(duì)三星2025年第二季度的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)產(chǎn)生積極影響。盡管成熟制程的DRAM產(chǎn)品并非三星的核心業(yè)務(wù)，但需求增長(zhǎng)將使其能夠快速消耗現(xiàn)有庫(kù)存。成熟制程DRAM業(yè)務(wù)的強(qiáng)勁表現(xiàn)，有望在一定程度上抵消三星在HBM業(yè)務(wù)上的低迷。

IBK證券分析師認(rèn)為，2025年第二季度DDR4價(jià)格漲幅最大，三星成為最大受益者，在銷(xiāo)量、價(jià)格和利潤(rùn)率方面均出現(xiàn)積極變化。然而，三星的HBM訂單量低于此前預(yù)期?？紤]到這一點(diǎn)，三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)第二季度的利潤(rùn)績(jī)效可能與此前的預(yù)測(cè)相差不大。

展望后續(xù)市場(chǎng)情況，預(yù)計(jì)下半年云服務(wù)提供商將對(duì)AI硬件的持續(xù)投資，推動(dòng)對(duì)高性能計(jì)算和存儲(chǔ)硬件的需求，服務(wù)器領(lǐng)域的高速、大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求仍有望保持增長(zhǎng)。隨著AI大模型技術(shù)在智能終端本地化和定制化應(yīng)用的加速，智能終端設(shè)備處理能力與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求顯著提升，單機(jī)存儲(chǔ)容量不斷增長(zhǎng)，同時(shí)，大模型與智能終端設(shè)備結(jié)合愈發(fā)緊密，應(yīng)用場(chǎng)景不斷擴(kuò)展和細(xì)化，推動(dòng)智能終端市場(chǎng)的中長(zhǎng)期存儲(chǔ)需求持續(xù)增長(zhǎng)。

隨著AI產(chǎn)業(yè)持續(xù)高速發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求維持高位，再疊加廠商謹(jǐn)慎控制產(chǎn)能，存儲(chǔ)芯片價(jià)格有望在一段時(shí)間內(nèi)保持上漲態(tài)勢(shì)，行業(yè)有望進(jìn)入新一輪上行周期。對(duì)此，有專(zhuān)家指出，供應(yīng)枯竭加上需求增加，意味著DRAM和NAND價(jià)格漲勢(shì)將持續(xù)一段時(shí)間，在關(guān)稅情勢(shì)緩和和DDR4供應(yīng)回復(fù)穩(wěn)定之前，未來(lái)幾個(gè)月存儲(chǔ)器價(jià)格將繼續(xù)走高。不過(guò)，相關(guān)專(zhuān)家也指出，仍需關(guān)注消費(fèi)電子市場(chǎng)需求整體情況，如果智能手機(jī)等出貨量不及預(yù)期，可能對(duì)存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲幅度形成一定的制約。