100V 新品發(fā)布
全球領(lǐng)先的氮化鎵 (GaN) 供應(yīng)商英諾賽科 (Innoscience) 宣布推出兩款基于 100V 雙冷卻 En-FCLGA 封裝的新產(chǎn)品：INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，可實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能微型逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS)（直流輸入）和最大功率點(diǎn)跟蹤 (MPPT) 優(yōu)化器的最高效率。
兩款新品 INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD 使用與之前發(fā)布的產(chǎn)品INN100EA035A相同的封裝（雙冷En-FCLGA 3.3X3.3），這是業(yè)界首款硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SFET) 的點(diǎn)對(duì)點(diǎn) (P2P) 替代品，可立即提升效率并提高功率密度，在36V 至 80V 的輸入條件下，系統(tǒng)功率損耗可降低 50% 以上。
英諾賽科領(lǐng)先的 Dual-Cool En-FCLGA 封裝與傳統(tǒng)的單冷卻封裝相比，導(dǎo)熱率高出 65%，從而顯著提高系統(tǒng)熱性能、降低工作溫度、提高效率并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度（降低 BOM 成本）。
產(chǎn)品亮點(diǎn)
先進(jìn)的100V E-mode GaN技術(shù)
極低的柵極電荷QG,typ @ VDS
超低的導(dǎo)通電阻RDS(on)
占板面積非常小
100V Dual-cool En-FCLGA
En-FCLGA3.3X3.3
Rdson_Max 5~7mohm
支持雙面散熱，可直接P2P Source down MOS
性能優(yōu)勢(shì)
超低導(dǎo)通電阻，幫助能量損耗大幅降低
超低驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)損耗，減少了系統(tǒng)的能量損耗，提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度
緊湊尺寸設(shè)計(jì)，在空間有限的應(yīng)用場(chǎng)景中優(yōu)勢(shì)明顯
雙面散熱，提高散熱效率，有效提升系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性
應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
PCB Layout友好，垂直電路路徑設(shè)計(jì)，最小化了PCB寄生電阻
系統(tǒng)效率高，36V-80V輸入，系統(tǒng)效率均大于95.5%
支持光伏優(yōu)化器MPPT應(yīng)用，全面提升效率、降低系統(tǒng)損耗
當(dāng)前，英諾賽科Topside cooling En-FCLGA 3.3X3.3封裝系列的三款產(chǎn)品INN100EA035A、INN100EA050DAD和INN100EA070DAD 均已成功量產(chǎn)，批量訂單實(shí)現(xiàn)交付。
三款產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)如下表所示：
Key performance parameters at TJ = 25 °C
此外，英諾賽科100V P2P Drain down MOS 的En-FCLGA 5X6封裝產(chǎn)品組合也即將重磅發(fā)布，電阻涵蓋1.8~5mohm，敬請(qǐng)期待！
詳細(xì)資料及樣品申請(qǐng)：jiaxinhuang@innoscience.com （或直接與銷售聯(lián)系）
