BMS（電池管理系統(tǒng)）是電池系統(tǒng)的核心控制單元，能夠通過實施監(jiān)控電池的電壓、電流、溫度等參數(shù)，優(yōu)化充放電過程，保障電池的安全性與壽命。BMS被視為電池系統(tǒng)的“大腦”， 支撐著大規(guī)模電池組高效運行。根據(jù)2025年最新行業(yè)報告，儲能系統(tǒng)的故障約43%與BMS功能不足或失效有關。而電池系統(tǒng)中的監(jiān)測、模擬、傳感及保護等多種功能的芯片則是其中的關鍵。
作為全球氮化鎵功率芯片的領導者，英諾賽科率先切入BMS市場。2022年，其開發(fā)的40V雙向VGaNTM成功導入OPPO智能手機，成為行業(yè)首款進入手機內(nèi)部的氮化鎵芯片！近年來，基于30V-120V新型雙向氮化鎵研發(fā)與制造平臺，英諾賽科不斷創(chuàng)新，相繼開發(fā)出多款雙向芯片（VGaNTM），并基于VGaNTM開發(fā)BMS解決方案，為更安全可靠的BMS系統(tǒng)提供助力。
雙向 VGaNTM
1 產(chǎn)品特性
雙向?qū)?、雙向關斷能力
極低的導通電阻
更寬的SOA邊界
耐短路沖擊
一顆可替代兩顆或多顆Si MOS
2 技術優(yōu)勢
超低導通電阻，降低損耗
GaN依賴材料優(yōu)勢，一顆VGaNTM器件替代兩顆背靠背串聯(lián)的MOSFET 等創(chuàng)新結構，可以使得BMS充放電損耗減低40%，可顯著減少能量損耗和發(fā)熱。
體積與重量優(yōu)勢
單芯片實現(xiàn)能量雙向流動（充電/放電），一顆VGaNTM替代兩顆背靠背的MOSFET，GaN方案體積比Si MOS方案減少30%以上，適合高密度電池包（如無人機、便攜設備），助力BMS小型化。
高Robustness可靠性
GaN 器件的高擊穿電壓，可以抵抗更高的應用過充電壓；GaN器件閾值電壓溫度穩(wěn)定性和飽和區(qū)電流負溫度系數(shù)等特性，使得器件的安全區(qū)更寬。抗擊電路電流能力更強。
系統(tǒng)成本優(yōu)化
低損耗減少散熱需求，節(jié)省冷卻系統(tǒng)成本；整體BMS成本可下降20%。
3 應用領域
OVP保護
BMS電池保護
智能手機USB端口過壓保護
雙向變換器中的高側(cè)負載開關
多電源系統(tǒng)中的開關電路
VGaNTM BMS 創(chuàng)新方案
1 方案一：INNDBMS120LS4
應用產(chǎn)品：
INV100FQ030C*8
INS1011SD (VGaN Driver IC)
電流：120A
熱測試：
82.9℃
100A@Ta=33℃/no airflow,no heatsink
79.9℃
120A@Ta=32.2℃/no airflow,with heatsink
2 方案二：INNDBMS120HS3
應用產(chǎn)品：
INV100FQ030C*8
電流：120A
熱測試：
63.9℃
100A@Ta=32.1℃/no airflow,no heatsink
83.2℃
120A@Ta=36.3℃/no airflow no heatsink
3 方案三：INNDBMS180HS1
應用產(chǎn)品：
INV100FQ030C*16
電流：180A
熱測試：
73.9℃
150A@Ta=36.8℃/no airflow,no heatsink
88.4℃
120A@Ta=36.3℃/no airflow no heatsink
BMS 是電池系統(tǒng)的“大腦”，直接影響電池安全、壽命和性能。英諾賽科基于8英寸硅基氮化鎵的先發(fā)優(yōu)勢與創(chuàng)新技術，為客戶提供了一系列高頻高效、雙向性能、高度集成等特性的VGaNTM芯片與參考方案，不僅解決了BMS系統(tǒng)的安全性與體積瓶頸，也將助力客戶快速建立市場競爭力！隨著汽車、儲能等領域?qū)﹄姵谺MS需求的擴增，英諾賽科將推出更多適配產(chǎn)品與方案，為客戶提供最佳選擇！
