引言：AI時代存力發(fā)展和創(chuàng)新突破

隨著大模型參數(shù)量突破萬億級，GPU/NPU的算力正以每年10倍的速度迭代升級，然而存力性能的進(jìn)化卻顯得遲緩滯后，缺乏富有想象力的創(chuàng)新，正逐漸成為制約AI迅猛發(fā)展的瓶頸。在MemoryS 2025閃存市場峰會上，得一微首次創(chuàng)新性地提出“AI存力芯片”概念，為整個芯片行業(yè)帶來了突破性的設(shè)計思路。

得一微董事長吳大畏先生在接受集微網(wǎng)專訪時指出：“AI存力芯片不是簡單的功能疊加，而是從架構(gòu)層重構(gòu)了計算范式，讓存儲介質(zhì)從‘被動數(shù)據(jù)容器’進(jìn)化為‘主動智能中樞’，最終實現(xiàn)讓每比特數(shù)據(jù)創(chuàng)造更多智能的自我進(jìn)化?！?/p>

認(rèn)知躍遷，讓存力學(xué)會思考

“傳統(tǒng)存力主控芯片主要承擔(dān)基礎(chǔ)的數(shù)據(jù)讀寫管理功能，采用指令響應(yīng)式的被動處理架構(gòu)?！眳谴笪废壬诮邮芗⒕W(wǎng)專訪時介紹，“而得一微的AI存力芯片，通過在芯片層面集成AI存力智能體單元，實現(xiàn)存力智能體與算力智能體之間的高效交互，從而提升數(shù)據(jù)處理的智能化水平。不僅是給AI配存力，更是讓存力學(xué)會思考?！?/p>

吳大畏進(jìn)一步說明：“相較于傳統(tǒng)的存儲加速方案，該技術(shù)著眼于提升存儲介質(zhì)的認(rèn)知能力。通過將神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器（NPU）與存儲控制器深度集成，得一微正構(gòu)建存算協(xié)同的智能處理范式，為下一代存儲架構(gòu)發(fā)展創(chuàng)新提供新的技術(shù)路徑?！?/p>

架構(gòu)重構(gòu)，得一微閃存大模型的創(chuàng)新路徑

在人工智能的廣闊領(lǐng)域中，得一微從蘋果公司的一篇論文《LLM in a flash: Efficient Large Language Model Inference with Limited Memory》（中文譯名《閃存中的大模型：有限內(nèi)存的高效大模型推理》）中汲取了寶貴靈感，積極探索存力芯片如何更好地服務(wù)大型語言模型（LLM）。這篇論文為大模型在有限內(nèi)存環(huán)境下實現(xiàn)高效推理提供了全新的視角和思路，而得一微敏銳地捕捉到了這一理念的巨大潛力，堅信閃存技術(shù)與大模型的深度融合將開辟出前所未有的創(chuàng)新路徑，為人工智能的發(fā)展注入新的活力。

與此同時，閃迪的HBF高帶寬閃存開發(fā)成果為整個業(yè)界注入了新活力。HBF高帶寬閃存憑借其卓越的性能和創(chuàng)新架構(gòu)，顯著提升了數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲效率，為大模型的穩(wěn)定運(yùn)行提供了更為堅實的硬件基礎(chǔ)。這一技術(shù)突破不僅精準(zhǔn)滿足了大模型對海量數(shù)據(jù)存儲和快速讀寫的嚴(yán)苛需求，更為存力芯片與大模型的融合發(fā)展提供了有力支撐。

在大模型架構(gòu)演進(jìn)方向上，得一微將稀疏模型架構(gòu)視為未來發(fā)展的必然趨勢。盡管當(dāng)前MoE（Mixture of Experts）架構(gòu)在大模型中取得了顯著成果，但在得一微看來，這并非大模型架構(gòu)的終極目標(biāo)，未來宏觀的模塊稀疏逐漸向微觀的神經(jīng)元級別稀疏邁進(jìn)，而這種神經(jīng)元級別的稀疏架構(gòu)與閃存技術(shù)的特性高度契合，有望充分發(fā)揮閃存的存儲和讀寫優(yōu)勢，實現(xiàn)大模型在效能、成本等方面的全面優(yōu)化。

基于此，得一微著力研發(fā)如何利用閃存技術(shù)特性，設(shè)計出更高效、更靈活適配神經(jīng)元級稀疏模型的AI存力芯片架構(gòu)，通過技術(shù)創(chuàng)新推動大模型向更高效率演進(jìn)。

技術(shù)矩陣，存儲控制+存算互聯(lián)+存算一體的協(xié)同進(jìn)化

“閃存和大模型融合的架構(gòu)創(chuàng)新只是起點(diǎn)，真正的考驗在于量產(chǎn)化落地。”吳大畏在采訪中透露，得一微“AI存力芯片”技術(shù)路徑，通過存儲控制、存算互聯(lián)、存算一體三大核心技術(shù)矩陣，正在重構(gòu)數(shù)據(jù)流，引領(lǐng)存力芯片智能化升級。

優(yōu)化存儲調(diào)度：通過先進(jìn)的存儲控制技術(shù)，優(yōu)化數(shù)據(jù)在存儲介質(zhì)中的存取策略，最大化存儲帶寬利用率，降低訪問延遲。使數(shù)據(jù)在存儲介質(zhì)中的讀寫更加高效、流暢，為AI應(yīng)用提供了更快速、更穩(wěn)定的數(shù)據(jù)支持。

打通高速通道：利用存算互聯(lián)技術(shù)，構(gòu)建更高效（更高帶寬、更低延遲）、更智能（支持QoS、確定性延遲）的連接通道，讓數(shù)據(jù)能更快、更順暢地直達(dá)計算單元。大幅縮短數(shù)據(jù)傳輸時間，提高系統(tǒng)的整體響應(yīng)速度，為AI負(fù)載的高效處理提供有力保障。

顛覆性架構(gòu)：探索存算一體技術(shù)，將部分計算直接放在存儲單元內(nèi)部或近端執(zhí)行，從根本上減少甚至消除數(shù)據(jù)搬運(yùn)的需求，實現(xiàn)指數(shù)級的能效比提升和延遲降低。這也是讓龐大算力得以“吃飽”、“高效工作”的關(guān)鍵所在。

全棧生態(tài)賦能，加速AI時代存力進(jìn)化

基于存儲控制、存算互聯(lián)和存算一體三大技術(shù)支柱，得一微在AI手機(jī)、AI PC、AI汽車、AIoT及AI服務(wù)器五大領(lǐng)域，構(gòu)建起覆蓋智慧終端、智能汽車與智算中心的完整存力生態(tài)，展現(xiàn)出強(qiáng)大的技術(shù)實力和市場影響力。

AI手機(jī)突破：得一微作為國產(chǎn)存力主控芯片設(shè)計企業(yè)，已大規(guī)模進(jìn)入核心手機(jī)廠商供應(yīng)鏈，其技術(shù)實力得到了閃存原廠的高度認(rèn)可。得一微自研的eMMC存力主控芯片歷經(jīng)10多年市場量產(chǎn)驗證，還推出了中國大陸首款商用量產(chǎn)UFS 3.1存力主控芯片，讀寫速度超過2GB/s，性能卓越可靠，為智能手機(jī)普及AI應(yīng)用提供了強(qiáng)有力的支持，持續(xù)為用戶帶來更流暢的智能體驗。

AI汽車攻堅：得一微車規(guī)級存力芯片已成功應(yīng)用于東風(fēng)、長安、吉利、上汽、陜汽、一汽、長城等多家主流車企，成為公司成長最快的業(yè)務(wù)之一。目前，公司已構(gòu)建起完備的車規(guī)級存力產(chǎn)品矩陣，量產(chǎn)了多款車規(guī)eMMC、BGA SSD，并即將推出車規(guī)UFS存力芯片。這些產(chǎn)品依托得一微自主底層芯片設(shè)計能力，在性能、可靠性和能效等方面深度優(yōu)化，符合嚴(yán)苛的車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，為智能汽車提供安全可靠的存儲保障，助力汽車行業(yè)向智能化、電動化方向邁進(jìn)。

AI服務(wù)器躍遷：得一微AI-MemoryX顯存擴(kuò)展解決方案，依托自研芯片和AI存儲系統(tǒng)級創(chuàng)新，顯著提升了單機(jī)的顯存容量，突破大模型訓(xùn)練的顯存瓶頸，為AI服務(wù)器的高性能運(yùn)行提供關(guān)鍵支持。隨著AI-MemoryX技術(shù)的迭代創(chuàng)新，得一微將以AI-MemoryX SSD進(jìn)入智算中心存力市場，推動產(chǎn)品從功能型向智能型升級。此外，得一微還積極布局CXL存算芯片設(shè)計開發(fā)，提升存算融合效率，為未來數(shù)據(jù)中心、AI計算等場景帶來創(chuàng)新解決方案。

AI PC進(jìn)化：得一微SSD存力主控芯片年出貨量數(shù)千萬顆，新一代PCIe 5.0存力主控芯片即將推出，支持高達(dá)14.5 GB/s傳輸速率，采用先進(jìn)的架構(gòu)設(shè)計，實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的延遲，進(jìn)一步滿足AI PC、邊緣計算等場景對存儲性能的極致需求，助力AI技術(shù)的規(guī)?；瘧?yīng)用。

AIoT智能滲透：在AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）領(lǐng)域，得一微存力解決方案早已實現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，其eMMC、SD卡、TF卡年出貨量超億顆，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能家居、智能安防、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等多個領(lǐng)域，為萬物智聯(lián)提供高可靠、低功耗的存力支持，助力各行業(yè)智能化升級。

河圖計劃，引領(lǐng)存力智能革命

站在2025年的技術(shù)高地，得一微正式啟動“河圖計劃”——基于存算一體架構(gòu)的AI存力芯片研發(fā)戰(zhàn)略。該計劃通過突破性的架構(gòu)創(chuàng)新，推動存儲介質(zhì)從“數(shù)據(jù)容器”向“智能載體”演進(jìn)，引領(lǐng)存力芯片行業(yè)進(jìn)入全新的發(fā)展階段。這一計劃也直指得一微“讓每比特數(shù)據(jù)創(chuàng)造更多智能”的企業(yè)愿景。

正如吳大畏先生所言，“未來的存儲設(shè)備將是會‘思考’的智能體，當(dāng)每個SSD固態(tài)硬盤都具備自我認(rèn)知架構(gòu)，它們不僅能存儲數(shù)據(jù)，更能理解數(shù)據(jù)、優(yōu)化數(shù)據(jù)，甚至在休眠狀態(tài)下持續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)價值挖掘和自我進(jìn)化——這才是存力真正的智能革命。”

當(dāng)存力長出AI大腦，存力也將成為一種重要的算力。得一微正憑借其卓越的技術(shù)實力和創(chuàng)新精神，成為這一變革中的關(guān)鍵突破者，引領(lǐng)存力芯片行業(yè)邁向更智能、高效的未來，為全球存力進(jìn)化提供先進(jìn)智能的中國方案。