據(jù)無錫濱湖發(fā)布消息,6月5日下午4點(diǎn),無錫光量子芯片中試平臺(tái)順利下線首片6寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓,這是我國首條光子芯片中試線,同時(shí)超低損耗、超高帶寬的高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片也實(shí)現(xiàn)規(guī)?;慨a(chǎn)。
光量子芯片是光量子計(jì)算的核心硬件載體,其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程將推動(dòng)我國在量子信息領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主可控,更是搶占全球量子科技競爭制高點(diǎn)的戰(zhàn)略支撐。此前,因共性關(guān)鍵工藝技術(shù)平臺(tái)的缺失,我國光量子技術(shù)面臨“實(shí)驗(yàn)室成果難以量產(chǎn)”的困境,是制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”難題,而無錫光量子芯片中試平臺(tái)的啟用成為破局關(guān)鍵。
據(jù)悉,上海交大無錫光子芯片研究院于2022年底破土動(dòng)工,并率先啟動(dòng)國內(nèi)首條光子芯片中試線建設(shè)。2023年10月,研究院大樓封頂。2024年1月,中試線首批關(guān)鍵設(shè)備入場,同年9月,集光子芯片研發(fā)、設(shè)計(jì)、加工和應(yīng)用于一體的無錫光量子芯片中試平臺(tái)正式啟用。
無錫光量子芯片中試平臺(tái)負(fù)責(zé)人介紹,“一片直徑6寸的晶圓可以切割出350顆芯片,在濱湖達(dá)產(chǎn)后,無錫光量子芯片中試平臺(tái)將具備年產(chǎn)1.2萬片薄膜鈮酸鋰晶圓的量產(chǎn)能力?!保ㄐ埥埽?/p>