隨著人工智能、大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)深入發(fā)展驅(qū)動存儲芯片復(fù)蘇增長，NOR Flash正呈現(xiàn)快速發(fā)展態(tài)勢。然而，多年來NOR Flash的核心技術(shù)已經(jīng)止步不前，且MCU E-Flash在28nm以下節(jié)點，全球尚未有可行的解決方案。針對這些關(guān)鍵痛點，領(lǐng)開半導(dǎo)體攜ATopFlash?技術(shù)橫空出世，從底層架構(gòu)攻破行業(yè)壁壘，對NOR Flash進行顛覆性創(chuàng)新，推動產(chǎn)業(yè)繼續(xù)前進。
在NOR Flash技術(shù)類型中，ATopFlash?技術(shù)采用的是先進的電荷陷阱機制（目前廣泛應(yīng)用于3D NAND），相比競爭對手的傳統(tǒng)浮柵機制具有多重技術(shù)和性能上的優(yōu)勢，該核心技術(shù)具備雙重成本優(yōu)勢：一是芯片存儲單元面積縮減約50%，使單位晶圓可產(chǎn)出芯片數(shù)量倍增；二是光罩?jǐn)?shù)量減少近30%，顯著降低晶圓制造成本。這兩大優(yōu)勢共同提升了產(chǎn)品的市場競爭力。在打造具有顛覆性的優(yōu)質(zhì)技術(shù)并取得“0到1”的階段性成功背后，領(lǐng)開半導(dǎo)體專業(yè)過硬的研發(fā)團隊功不可沒。而通過集結(jié)“世界頂尖技術(shù)+世界頂尖專家”以及資本市場支持，領(lǐng)開半導(dǎo)體不斷對產(chǎn)品研發(fā)進行迭代，目前已將產(chǎn)品技術(shù)布局推進至量產(chǎn)前夜，并制定了三大階段性的明確目標(biāo)，以呈現(xiàn)來自中國的“世界性創(chuàng)新”，并向真正做到全球領(lǐng)先持續(xù)邁進。
得益于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)調(diào)整后復(fù)蘇，存儲芯片市場正在持續(xù)向好。CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，在AI服務(wù)器的強勁需求帶動下，2024年全球存儲市場規(guī)模達(dá)1670.00億美元，創(chuàng)出歷史新高。其中，NAND Flash市場規(guī)模696.00億美元，DRAM市場規(guī)模973.00億美元。
然而，存儲芯片作為“兵家必爭之地”，隨著多家半導(dǎo)體龍頭強化布局、大批中小企業(yè)爭相涌入，已形成較穩(wěn)定且競爭激烈的行業(yè)格局。但這并不意味著市場飽和、機會渺茫。
憑借豐富的行業(yè)經(jīng)驗和技術(shù)積累，領(lǐng)開半導(dǎo)體創(chuàng)始人兼CEO金波敏銳發(fā)現(xiàn)，NOR Flash是一個年產(chǎn)值40億美元的市場，保持著每年15%的增速，對初創(chuàng)企業(yè)空間較大?！捌涫袌龆x非常清楚，但核心技術(shù)多年來發(fā)展勢頭緩慢，長期沒有取得重大突破，即目前NOR的主流技術(shù)還是浮柵/ETOX，但ETOX浮柵技術(shù)小于45nm已經(jīng)沒有設(shè)計空間，達(dá)到了物理極限，導(dǎo)致行業(yè)技術(shù)進展五年來徘徊不前。同時，MCU E-Flash小于28nm在全球沒有解決方案。”
但NOR Flash仍有其獨特價值。在技術(shù)路徑方面，NOR的非易失性、超高任意讀取速度、可片上執(zhí)行、寫入速度慢、和價格昂貴等獨特的特性決定了其不適合做大容量存儲。不過，當(dāng)前系統(tǒng)的代碼存儲和預(yù)設(shè)信息存儲媒介成為對NOR的剛需，促使NOR Flash勢必會快速增長。
作為初始代碼的載體，NOR Flash被廣泛應(yīng)用于各個智能化領(lǐng)域，包括主板BIOS、數(shù)字機頂盒、家庭網(wǎng)關(guān)、路由器、IoT、汽車電子、穿戴式設(shè)備、安防監(jiān)控等，并在人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)推動下加速增長。其中，NOR在智能穿戴、AMOLED屏、手機攝影、IoT設(shè)備、汽車電子、5G基站、增強現(xiàn)實、虛擬現(xiàn)實、AI用戶端等具備較大增長空間。
目前，鑒于需求變化、技術(shù)路線和成本效益等考量，全球三大存儲芯片廠商相繼減產(chǎn)并退出NOR Flash，同時部分國內(nèi)和中國臺灣存儲廠商已經(jīng)占據(jù)行業(yè)主導(dǎo)地位。金波指出，在主流技術(shù)已到極限且無更先進的解決方案情況下，“卡全世界脖子的問題，就是我們的機會?！倍男判脑醋灶I(lǐng)開半導(dǎo)體ATopFlash?技術(shù)，這是滿足將來產(chǎn)業(yè)新產(chǎn)品唯一的技術(shù)選擇。
底層創(chuàng)新鑄就“六大優(yōu)勢”
正如摩爾定律所揭示的，半導(dǎo)體行業(yè)的本質(zhì)在于持續(xù)的技術(shù)迭代，而創(chuàng)新正是推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心動力。回歸初心，敢于創(chuàng)新、而非內(nèi)卷，掌握基礎(chǔ)核心黑科技才是硬道理。基于這一理念，領(lǐng)開半導(dǎo)體立足于從底層架構(gòu)攻破行業(yè)壁壘，從而對NOR Flash進行顛覆性創(chuàng)新。金波認(rèn)為，領(lǐng)開半導(dǎo)體是一家半導(dǎo)體技術(shù)公司，而不僅僅是一家芯片設(shè)計公司。隨著中國半導(dǎo)體制造水平的持續(xù)提升和國內(nèi)市場規(guī)模的快速擴張，過去五到十年間，國內(nèi)首批芯片設(shè)計企業(yè)實現(xiàn)了跨越式發(fā)展。但若未能掌握核心技術(shù)，企業(yè)終將面臨發(fā)展瓶頸，靠內(nèi)卷和壓榨供應(yīng)鏈而取得的成本優(yōu)勢，不可持續(xù)。畢竟，依靠擠壓國內(nèi)供應(yīng)鏈取得優(yōu)勢成本對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說是一場零和游戲。
據(jù)悉，ATopFlash?技術(shù)是領(lǐng)開自有知識產(chǎn)權(quán)，獨立于工藝的非揮發(fā)性存儲芯片的底層設(shè)計架構(gòu)的發(fā)明，可用于量產(chǎn)之 55/40/28nm以及擴展至FinFET 20/14/10/ 7nm 以下邏輯工藝制程，由于該技術(shù)對邏輯工藝包容度高，非常適合應(yīng)用于嵌入式Flash IP。
對于其關(guān)鍵創(chuàng)新，金波闡釋道，ATopFlash?技術(shù)是NOR架構(gòu)的全新突破，同時沿用了傳統(tǒng)的電壓控制而非MRAM/RRAM嘗試的電流控制。其物理機制是現(xiàn)在最新的電荷陷阱（Charge Trap，廣泛用于3D NAND），并通過多維創(chuàng)新，實現(xiàn)面積可以繼續(xù)微縮，并填補了嵌入式在28nm以下的真空。
目前，在NOR Flash技術(shù)類型中，全球采用電荷陷阱技術(shù)的僅有英飛凌(Cypress)、普冉和領(lǐng)開半導(dǎo)體。金波指出，“英飛凌(Cypress)的MirrorBit技術(shù)方案采用45m單晶體管，是將電荷放置在兩個角落，但已達(dá)到物理極限不能再微縮，否則兩個電荷將觸碰在一起。而普冉的SONOS 2T1b技術(shù)源自于英飛凌(Cypress)授權(quán)，采用Memory+NMOS選擇管架構(gòu)，可以做到40nm。但由于單位位節(jié)面積較大，只適用于低容量產(chǎn)品，并且由于NMOS選擇管的耐高壓特性，繼續(xù)微縮會直接影響晶體管可靠性，因此SONOS 2T1b技術(shù)繼續(xù)微縮性價比不高。”
相較Cypress SONOS 2T1b而言，ATopFlash?技術(shù)采用基于電荷陷阱機制的“雙存儲組對”架構(gòu)，可以運用(但不局限于)先進的邏輯工藝平臺，且具有多重技術(shù)和性能優(yōu)勢。
第一，全世界最小的架構(gòu)之一，比ETOX 的1T1bit小半個contact。第二，節(jié)省了一層 金屬層。第三，單一器件，使工藝更加統(tǒng)一&簡潔。第四，大幅提高讀取電流。第五，徹底避免了潛在的NMOS選擇管的可靠性問題。第六，微縮路徑僅受制于第一金屬層的間距大小，隨著工藝節(jié)點推進，進一步微縮的路徑通暢。
正是基于ATopFlash?技術(shù)的這些特點和性能優(yōu)勢，領(lǐng)開半導(dǎo)體才有了底氣“卡全世界的脖子”。而讓金波尤為自豪的是，作為技術(shù)研發(fā)的老兵，無論SONOS 2T1b還是ATopFlash?技術(shù)，他均是技術(shù)架構(gòu)發(fā)明人。
關(guān)鍵特性形成“降維打擊”
“技術(shù)創(chuàng)新永無止境”，這是金波在半導(dǎo)體行業(yè)摸爬滾打多年體現(xiàn)出的重要信條和特征。因此，他以極大勇氣和信心創(chuàng)立領(lǐng)開半導(dǎo)體，決心將ATopFlash?技術(shù)從理念轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實。
“存儲是一個老實人的行業(yè)，只能老老實實的開發(fā)技術(shù)，取得成本優(yōu)勢。目前我們的技術(shù)毫無疑問是世界領(lǐng)先的?！苯鸩ㄗ孕诺乇硎荆坏╊I(lǐng)開的技術(shù)優(yōu)勢保持下去、擴展開來，就能彎道超車、熱刀切黃油，在行業(yè)競爭中形成降維打擊。
據(jù)悉，領(lǐng)開于2025年5月實現(xiàn)55nm出片技術(shù)驗證成功，并力爭在今年下半年實現(xiàn)新產(chǎn)品流片，從而成為行業(yè)嶄新的行業(yè)標(biāo)桿。
ATopFlash?技術(shù)的核心優(yōu)勢包括兩大成本優(yōu)勢。芯片的成本包含兩大部分，分子是晶圓價格/成本，分母是單位晶圓芯片顆粒數(shù)。首先，領(lǐng)開半導(dǎo)體的芯片單元存儲面積較同行小了近一半，意味著在一片晶圓上可以大幅增加芯片顆粒數(shù)。其次，制造工藝簡單。在芯片制造環(huán)節(jié)中，光罩通常占據(jù)不菲成本，而ATopFlash?技術(shù)的光罩經(jīng)實測僅需22層，大幅少于主流技術(shù)的30層。
至于可靠性，ATopFlash?達(dá)到10萬次擦寫和十年數(shù)據(jù)保存的業(yè)界JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，前期產(chǎn)品的溫度范圍為-40C–85C，滿足消費和工業(yè)應(yīng)用。通過微調(diào)工藝和設(shè)計，將來可達(dá)125C車軌標(biāo)準(zhǔn)。
金波指出，“ATopFlash?技術(shù)還可以滿足端側(cè)AI芯片的更高需求。特別是高容量和高速讀取，接下來可以做不少文章”。正因如此，ATopFlash?技術(shù)很可能成為未來產(chǎn)業(yè)新產(chǎn)品的唯一技術(shù)選擇。
專業(yè)過硬團隊“一馬當(dāng)先”
眾所周知，存儲芯片行業(yè)競爭向來尤為激烈且格局已較穩(wěn)固，但“后來者總有機會”。
如今，通過集結(jié)“世界頂尖專家打造世界頂尖技術(shù)”以及數(shù)千萬元研發(fā)投入，領(lǐng)開半導(dǎo)體熬過了起步的艱難階段，達(dá)成了“從0到1”的發(fā)展目標(biāo)，即將迎來產(chǎn)品市場化的爆發(fā)期。而在打造具有競爭力的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品并取得階段性成功背后，領(lǐng)開半導(dǎo)體的研發(fā)團隊功不可沒。
據(jù)金波介紹，領(lǐng)開半導(dǎo)體規(guī)模雖然不算大，但已擁有15位專業(yè)過硬的研發(fā)人員，其中包括刷新過全球存儲芯片研發(fā)速度記錄的“行業(yè)大拿”，以及擁有30年以上的半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)品研發(fā)和工程管理經(jīng)驗的外籍專家。與此同時，領(lǐng)開半導(dǎo)體還在不斷向海外知名企業(yè)和國內(nèi)一流大學(xué)伸出橄欖枝，“兩條腿走路”持續(xù)保持高層次人才濃度、世界級和旺盛活力水準(zhǔn)。
其中，作為從業(yè)近三十年的行業(yè)老兵及領(lǐng)開半導(dǎo)體掌舵人，金波曾在多家半導(dǎo)體企業(yè)任職高管，在綜合管理、技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)線管理、晶圓行業(yè)經(jīng)驗和產(chǎn)業(yè)投資等方面具有一系列顯著成果，同時也是全球所有65nm以下獨立以及MCU嵌入式SRAM 6T cell通用架構(gòu)的發(fā)明人。
至于人才引進標(biāo)準(zhǔn)方面，在金波看來，具備真本事和強執(zhí)行力至關(guān)重要，好的結(jié)果往往源自于此。而這在內(nèi)部共同討論形成的核心價值觀和企業(yè)文化中有所體現(xiàn)，其中包括三項執(zhí)行力：做得出來，賣得出去；執(zhí)行力：沒有測量，沒有性能；執(zhí)行力：提前計劃&快速行動。
“除了執(zhí)行力，我們還看重是否注重團隊精神，是否篤信技術(shù)才是核心競爭力等?！彼f。
階段目標(biāo)劍指“全球領(lǐng)先”
鑒于具有競爭力的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品以及專業(yè)過硬的團隊“齊聚”，領(lǐng)開半導(dǎo)體已經(jīng)制定了三大階級性的明確目標(biāo)，即2026年打造全線產(chǎn)品，2028年嘗試登陸科創(chuàng)板，真正做到全球領(lǐng)先。
金波表示，“通常一項芯片技術(shù)需要5-10年的研發(fā)。但憑借厚積薄發(fā)，領(lǐng)開半導(dǎo)體在短短兩年之內(nèi)，已經(jīng)實現(xiàn)55nm技術(shù)驗證，同時40nm先導(dǎo)產(chǎn)品設(shè)計已完成80%，處于量產(chǎn)前夜階段。另外，存儲芯片是標(biāo)準(zhǔn)件芯片，具有相同的接口和操作命令，客戶可以即插即用，這使得具備核心技術(shù)和成本優(yōu)勢的ATopFlash?技術(shù)能實現(xiàn)快速推廣和起量，未來前景廣闊?！?/p>
無疑，半導(dǎo)體作為高科技行業(yè)，依靠核心技術(shù)突破才是正道。而憑借原創(chuàng)技術(shù)打造的核心優(yōu)勢，領(lǐng)開半導(dǎo)體在營收利潤和毛利率上有望處于“高位預(yù)期”，同時在行業(yè)價格競爭中更加富有彈性。這使得ATopFlash?技術(shù)相關(guān)項目容易受資本青睞，并成為上市公司優(yōu)先并購標(biāo)的。
如今，隨著半導(dǎo)體行業(yè)不斷深入發(fā)展，更多投資人開始關(guān)注這家實力不凡的初創(chuàng)企業(yè)。例如具有清華背景的飛圖創(chuàng)投連續(xù)領(lǐng)投兩輪。在領(lǐng)開半導(dǎo)體總部遷至寧波后，寧波天使投資引導(dǎo)基金、鎮(zhèn)海產(chǎn)業(yè)投資基金、甬股交的潤寧基金均以真金白銀給予支持，助力其企業(yè)規(guī)模不斷擴大、產(chǎn)品研發(fā)和市場推廣的后勁更加充足。
在給企業(yè)命名時，金波便賦予了其愿景：領(lǐng)先潮流、開拓未來，以及使命：自主、自強和創(chuàng)新。在使命踐行方面，如今剛完成技術(shù)積累的領(lǐng)開半導(dǎo)體，已經(jīng)取得了17項國內(nèi)技術(shù)專利，另有多項專利正在申請中。而在此舉背后，金波堅信，中國的半導(dǎo)體肯定將成全世界第一，而專利注冊在國內(nèi)寓意著這是來自中國的“世界性創(chuàng)新”。同時，依托中國工程師的辯證思維天然優(yōu)勢，領(lǐng)開半導(dǎo)體將來也勢必能平穩(wěn)快速地“壯大”，從而站上世界之巔。
