5月28日，長飛先進武漢基地一期實現(xiàn)量產(chǎn)通線，首片6寸碳化硅晶圓于今日成功下線。

據(jù)悉，長飛先進武漢基地一期占地面積344畝，將聚集上千位全球碳化硅半導體人才，打造國內(nèi)碳化硅產(chǎn)能最大的一體化新高地。公開消息顯示，長飛先進武漢基地聚焦第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資80億元，規(guī)劃年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓。

長飛先進武漢基地項目自2023年9月1日破土動工，2024年6月完成主體建筑結(jié)構(gòu)封頂。2024年12月，長飛先進武漢基地建設迎來項目首批設備搬入儀式舉辦，標志著長飛先進武漢基地即將邁入工藝驗證新階段，全面投產(chǎn)正式進入倒計時。

碳化硅是第三代半導體材料的典型代表，憑借耐高溫、耐高壓、高頻化、低損耗等材料優(yōu)勢，碳化硅功率器件在新能源汽車、風光儲、智能電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、軌道交通等多個領域應用廣泛，是引領新能源領域的“下一代功率半導體”。

據(jù)中國光谷消息，長飛先進武漢晶圓廠總經(jīng)理李剛指出，一片直徑6英寸的晶圓可分割出數(shù)百顆碳化硅芯片，用于5臺新能源車。基地選用了更先進的設備打造產(chǎn)線，產(chǎn)品性能將大幅提升，達產(chǎn)后將具備年產(chǎn)36萬片碳化硅芯片的制造能力，極大緩解國內(nèi)新能源汽車高端芯片需求。