科研動態(tài) | 國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

作者：集小微 2小時前

來源：寬禁帶半導(dǎo)體教育部重點實驗室 #HEMT# #AlN# #國家工程研究中心#

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近期，寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團隊在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領(lǐng)域取得重要突破，成功開發(fā)出一種基于低溫磁控濺射氮化鋁（AlN）覆蓋層的新型p-GaN HEMT器件。該成果以“Improved p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs with magnetron-sputtered AlN cap layer”為題發(fā)表于國際權(quán)威期刊《Applied Surface Science》（中科院二區(qū)TOP期刊，影響因子6.3），第一作者為博士后賈茂，通訊作者為侯斌副教授、楊凌教授與馬曉華教授。研究通過創(chuàng)新性的AlN界面工程設(shè)計，顯著提升了器件的柵極可靠性、動態(tài)性能與長期穩(wěn)定性，為GaN功率器件的商業(yè)化應(yīng)用提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。

(a)柵極反向電流，(b)柵極正向漏電流隨不同柵極面積的變化，

(a)p-GaN層的XPS價帶和n1s核能級譜；(b)AlN層的XPS價帶和n1s核能級譜，(c)能帶

零柵偏置時AlN/p-GaN hemt的門控區(qū)圖和(d)AlN/p-GaN/AlGaN/GaN二極管的電容電壓特性。

(a)脈沖轉(zhuǎn)移特性測試原理圖，(b)脈沖轉(zhuǎn)移具有不同靜態(tài)偏置的AlN/p-GaN HEMT的特性，(c)脈沖輸出特性測試原理圖和(d)具有不同靜態(tài)偏置的AlN/p-GaN HEMT脈沖輸出特性特性。

研究團隊采用低溫磁控濺射工藝在p-GaN柵極表面沉積AlN覆蓋層，通過X射線光電子能譜（XPS）測試證實，AlN與p-GaN界面處形成的1.2 eV價帶偏移能有效抑制柵極漏電流，改善界面質(zhì)量。與傳統(tǒng)鎢肖特基柵極p-GaN HEMT（W/p-GaN HEMT）相比，新型AlN/p-GaN HEMT展現(xiàn)出以下關(guān)鍵性能提升：閾值電壓優(yōu)化，閾值電壓（Vth）從0.61 V提升至0.82 V，器件開啟特性更穩(wěn)定；柵極可靠性突破，柵極正向擊穿電壓提升至17 V，工作電壓范圍從7 V擴展至12 V，柵極漏電流降低3個數(shù)量級（ID/IG從104優(yōu)化至107）；界面電容-電壓（C-V）遲滯效應(yīng)顯著減小，表明界面缺陷密度降低；導(dǎo)通電阻（Ron）較傳統(tǒng)器件降低15.3%，有效減少了導(dǎo)通狀態(tài)的能量損耗。

(a)tBD分布的威布爾圖和(b)25℃下W/p GaN HEMTs的壽命預(yù)測。(c)tBD分布的威布爾圖和(d)25℃時AlN/p-GaN HEMTs的壽命預(yù)預(yù)測。

研究團隊進一步揭示了AlN/p-GaN HEMT的柵極泄漏機制，在中壓范圍內(nèi)，泄漏電流主要由Poole-Frenkel（PF）發(fā)射主導(dǎo)?；诖四Ｐ屯扑?，器件在室溫下的十年壽命最大正向柵壓（VG）可達6.8 V（失效概率63.2%），較傳統(tǒng)W/p-GaN HEMT（5.4 V）提升26%。此外，AlN覆蓋層通過調(diào)控金屬/p-GaN肖特基接觸的耗盡區(qū)，維持了GaN溝道的高效耗盡狀態(tài)，使關(guān)態(tài)擊穿電壓進一步提升。

磁控濺射AlN工藝具有低溫生長、成本低廉、工藝兼容性高等優(yōu)勢，可無縫對接現(xiàn)有GaN器件產(chǎn)線。研究團隊指出，該技術(shù)有望加速p-GaN HEMT在高壓快充、新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心電源等高頻高功率場景的規(guī)?；瘧?yīng)用。本次研究由國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金等支持，相關(guān)技術(shù)已申請多項發(fā)明專利。