羅姆公布了面向功率元件用途的GaN類HEMT的開發(fā)情況。該公司以前一直致力于開發(fā)耐壓600V的產(chǎn)品，“曾推出過耐壓600V以上的SiC制功率元件，今后將致力于開發(fā)100V以下的低耐壓產(chǎn)品”（解說員）。

　　在會場上，羅姆讓Si制MOSFET產(chǎn)品和新開發(fā)產(chǎn)品進入工作狀態(tài)，對兩者的開關特性進行了比較。展示了與MOSFET相比，新開發(fā)產(chǎn)品可急峻導通/ 截止的情形。演示中，開發(fā)產(chǎn)品的開關頻率為2.5MHz，輸出電流為15A。在相同開關頻率下，“具有可流過25A的實力”（解說員）。將來以實現(xiàn) 10MHz以上的開關為目標。

　　另外，目前閾值電壓為-3.5V，可實現(xiàn)不施加柵極電壓也會導通的“常開動作”。今后還將力爭實現(xiàn)常關動作。 （記者：根津 禎）