1.《Chemical Reviews》刊發(fā)華科大王春棟教授/羅為教授團(tuán)隊(duì)在ABO3型鈣鈦礦氧化物能源轉(zhuǎn)化應(yīng)用方面綜述性論文；

2.突破硅基材料和集成規(guī)模！復(fù)旦團(tuán)隊(duì)研制二維半導(dǎo)體芯片“無極”，成果登《自然》主刊 ; 

3.中科院上海微系統(tǒng)所在低溫光量子芯片方面取得重要進(jìn)展；

1.《Chemical Reviews》刊發(fā)華科大王春棟教授/羅為教授團(tuán)隊(duì)在ABO3型鈣鈦礦氧化物能源轉(zhuǎn)化應(yīng)用方面綜述性論文；

2025年3月12日，《Chemical Reviews》（IF=51.4）在線刊發(fā)我院王春棟教授/羅為教授團(tuán)隊(duì)關(guān)于鈣鈦礦型 ABO3 氧化物在能源轉(zhuǎn)化方面的最新綜述“Perovskite Type ABO3 Oxides in Photocatalysis, Electrocatalysis, and Solid Oxide Fuel Cells: State of the Art and Future Prospects”。我院王春棟教授、羅為教授，和澳大利亞科廷大學(xué)邵宗平教授為共同通訊作者，原博后Muhammad Humayun博士（現(xiàn)沙特阿拉伯利雅得蘇丹王子大學(xué)助理教授）為論文第一作者，華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院/武漢光電國(guó)家研究中心為論文第一完成單位。

圖1. ABO3型鈣鈦礦A位和B位替位式摻雜/取代元素，通過對(duì)其進(jìn)行調(diào)控，可實(shí)現(xiàn)高的電催化、光催化和燃料電池性能（左）。鈣鈦礦氧化物催化性能提升可行性策略（右）。

光催化和電催化技術(shù)對(duì)于應(yīng)對(duì)能源和環(huán)境挑戰(zhàn)至關(guān)重要，因此人們投入了大量精力來研究和開發(fā)先進(jìn)的催化劑。其中，鈣鈦礦型 ABO3 氧化物因其靈活的物理和化學(xué)性質(zhì)而展現(xiàn)出非常有前景的催化活性。本文綜述了鈣鈦礦型 ABO3 氧化物合成的基本原理和最新進(jìn)展。詳細(xì)討論了電催化析氧反應(yīng) （OER）、氧還原反應(yīng) （ORR）、析氫反應(yīng) （HER）、氮還原反應(yīng) （NRR）、二氧化碳還原反應(yīng) （CO2RR） 和金屬-空氣電池的機(jī)理。此外，還綜述了光催化分解水、CO2 轉(zhuǎn)化、污染物降解和固氮。文中亦強(qiáng)調(diào)了鈣鈦礦型 ABO3 氧化物在固體氧化物燃料電池 （SOF） 中的應(yīng)用。最后，探討了鈣鈦礦型 ABO3 氧化物在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用前景，并展望了當(dāng)前和未來面臨的挑戰(zhàn)。本文旨在全面概述鈣鈦礦型 ABO3 氧化物基催化劑的最新進(jìn)展及其在能源轉(zhuǎn)換和環(huán)境修復(fù)中的應(yīng)用，并為這些熱門研究領(lǐng)域的未來發(fā)展提供指導(dǎo)。

ABO3 鈣鈦礦氧化物最初是由礦物 CaTiO3 引發(fā)的，該礦物于1839年由德國(guó)科學(xué)家古斯塔夫·羅斯（Gustav Rose）首次在烏拉爾山脈發(fā)現(xiàn)。這種礦物后來被稱作為“鈣鈦礦”，以致敬列夫·阿列克謝維奇·馮伯爵Perovski（俄羅斯礦物學(xué)家）。到目前為止，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了諸多類型的鈣鈦礦，形成了廣泛的 ABO3 氧化物系列。鈣鈦礦型 ABO3 氧化物因其獨(dú)特的晶體結(jié)構(gòu)、高化學(xué)和熱穩(wěn)定性以及可調(diào)節(jié)的結(jié)構(gòu)而受到重視。理想情況下，單個(gè)鈣鈦礦型 ABO3 氧化物具有一個(gè)立方晶體晶胞（空間群 Pm3m），其結(jié)構(gòu)由一個(gè)柔性框架組成，該框架由共享 BO6 八面體的角鏈（B 位陽離子與六個(gè)氧陰離子配位）組成，并且 A 位陽離子（12 倍配位）占據(jù)立方八面體對(duì)稱性的中心位置。A 位陽離子 （A2+） 比 B 位陽離子 （B4+） 尺寸更大，而氧陰離子以 O2- 的形式存在。在鈣鈦礦型 ABO3 氧化物中，A 位陽離子通常包括鑭系元素、堿或堿土元素，而 B 位陽離子包括過渡金屬，如 Co、Mn、Cr、Fe、Ti 和 Ni。在 A 位點(diǎn)和 B 位點(diǎn)，均可以通過調(diào)整多種元素來改變其組成，這為鈣鈦礦材料的多樣性特性提供了可能。大量的研究集中在通過摻雜不同元素取代 A 位點(diǎn)和 B 位點(diǎn)，從而開發(fā)具有高催化性能的新型功能材料。此外，由于鈣鈦礦的晶格畸變，其對(duì)稱性可以調(diào)整為四方、斜方、單斜和菱面體結(jié)構(gòu)，因?yàn)椴煌年栯x子具有不同的離子半徑。晶格畸變極大地影響了鈣鈦礦的電子特性、晶場(chǎng)效應(yīng)和偶極矩，最終影響電荷載流子的激發(fā)和轉(zhuǎn)移，從而顯著改變了催化性能。元素周期表突出顯示了用于設(shè)計(jì)和合成一些重要的鈣鈦礦型 ABO3 氧化物的元素組成。合成鈣鈦礦型 ABO3 氧化物時(shí)，通常優(yōu)先選擇某些具有適當(dāng)氧化態(tài)的元素。這些氧化物中的 A 位通常包含較大的堿性或稀土金屬（例如 Ca、Sr、La 等），而 B 位通常包含較小的過渡金屬（例如，Ti、Mn、Fe 等）。在元素周期表中突出顯示這些元素展示了定制鈣鈦礦特性的豐富選擇，這對(duì)于提升催化、能量轉(zhuǎn)換和電子材料等各種應(yīng)用的性能至關(guān)重要。

圖2. （a） 鈣鈦礦氧化物晶胞 （ABX3） 的示意圖，以及 （b） 通過角共享八面體連接的鈣鈦礦氧化物的晶體結(jié)構(gòu)。（c） 理想的 ABO3 鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)在所有三個(gè)空間方向上都表現(xiàn)出傾斜。[BO6] 八面體沿不同方向發(fā)生畸變，這降低了立方結(jié)構(gòu)的對(duì)稱性，從而形成替代晶體結(jié)構(gòu)。正號(hào)表示同相旋轉(zhuǎn) （c+），而負(fù)號(hào)表示異相旋轉(zhuǎn) （c–），兩者都發(fā)生在 z 軸周圍。（d） 元素周期表突出顯示了用于設(shè)計(jì)和合成鈣鈦礦型 ABO3 氧化物的元素組成。

鈣鈦礦氧化物因其在能源轉(zhuǎn)換和環(huán)境修復(fù)方面的潛在應(yīng)用而被廣泛研究。本綜述全面回顧了鈣鈦礦型 ABO3 氧化物在各個(gè)領(lǐng)域的合成和優(yōu)化及其最新進(jìn)展。重要的是，催化劑的本征特性和工作條件對(duì)其整體催化性能起著重要作用。由于各種催化過程的反應(yīng)系統(tǒng)存在差異，因此開發(fā)一種適用于所有催化劑的通用設(shè)計(jì)方法具有挑戰(zhàn)性。然而，催化劑設(shè)計(jì)有一些總體規(guī)則需要遵守，特別是本體成分控制、電子結(jié)構(gòu)優(yōu)化、表面改性、異質(zhì)結(jié)構(gòu)制造、雙功能優(yōu)化、穩(wěn)定性優(yōu)化以及原位和原位表征的順序。

這綜述是王春棟教授在能源轉(zhuǎn)化應(yīng)用方面的階段性研究成果。團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期從事電催化的探索，近三年在能源轉(zhuǎn)化研究方面取得了系統(tǒng)的研究成果（Adv. Mater., 2024, 2400523；Adv. Funct. Mater. 2023, 2303986；Adv. Funct. Mater. 2024, 2401011；Adv. Funct. Mater. 2024, 2408872; Adv. Funct. Mater，2024, 2408823; ACS Nano 2023, 17, 10906；ACS Nano 2024, 18, 1214；ACS Catalysis 2024, 14, 12051; Chem Catalysis, 2024, 100840; Coord. Chem. Rev., 2023, 488, 215189; Sci. Bull, 2022, 67, 1763; Research, 2022, 9837109; J. Am. Chem. Soc., 2022, 144, 3, 1174-1186.）。

2.突破硅基材料和集成規(guī)模！復(fù)旦團(tuán)隊(duì)研制二維半導(dǎo)體芯片“無極”，成果登《自然》主刊 ; 

近日，二維半導(dǎo)體芯片取得里程碑式突破。復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室周鵬、包文中聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功研制全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的32位RISC-V架構(gòu)微處理器“無極（WUJI）”。

該成果突破二維半導(dǎo)體電子學(xué)工程化瓶頸，首次實(shí)現(xiàn)5900個(gè)晶體管的集成度，是由復(fù)旦團(tuán)隊(duì)完成、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)產(chǎn)技術(shù)，使我國(guó)在新一代芯片材料研制中占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)，為推動(dòng)電子與計(jì)算技術(shù)進(jìn)入新紀(jì)元提供有力支撐。

相關(guān)成果于北京時(shí)間4月2日晚間以《基于二維半導(dǎo)體的RISC-V 32比特微處理器》（“A RISC-V 32-Bit Microprocessor Based on Two-dimensional Semiconductors”）為題發(fā)表于《自然》（Nature）主刊。

115→5900實(shí)現(xiàn)二維邏輯芯片最大規(guī)模驗(yàn)證紀(jì)錄

面對(duì)摩爾定律逼近物理極限的全球性挑戰(zhàn)，具有單個(gè)原子層厚度的二維半導(dǎo)體是目前國(guó)際公認(rèn)的破局關(guān)鍵，科學(xué)家們一直在探索如何將二維半導(dǎo)體材料應(yīng)用于集成電路中。

十多年來，國(guó)際學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界已掌握晶圓級(jí)二維材料生長(zhǎng)技術(shù)，成功制造出擁有數(shù)百個(gè)原子長(zhǎng)度、若干個(gè)原子厚度的高性能基礎(chǔ)器件。但是在復(fù)旦團(tuán)隊(duì)取得新突破之前，國(guó)際上最高的二維半導(dǎo)體數(shù)字電路集成度僅為115個(gè)晶體管，由奧地利維也納工業(yè)大學(xué)團(tuán)隊(duì)在2017年實(shí)現(xiàn)。

核心難題在于，要將這些原子級(jí)精密元件組裝成完整的集成電路系統(tǒng)，依舊受制于工藝精度與規(guī)模勻性的協(xié)同良率控制。經(jīng)過五年攻關(guān)，復(fù)旦團(tuán)隊(duì)將芯片從陣列級(jí)或單管級(jí)推向系統(tǒng)級(jí)集成，基于二維半導(dǎo)體材料（二硫化鉬MoS2）制造的32位RISC-V架構(gòu)微處理器“無極（WUJI）”成功問世。

該芯片通過自主創(chuàng)新的特色集成工藝，以及開源簡(jiǎn)化指令集計(jì)算架構(gòu)（RISC-V），集成5900個(gè)晶體管，在國(guó)際上實(shí)現(xiàn)二維邏輯芯片最大規(guī)模驗(yàn)證紀(jì)錄。

“反相器是一個(gè)非?；A(chǔ)且重要的邏輯電路，它的良率直接反映了整個(gè)芯片的質(zhì)量?！睆?fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授周鵬介紹，二維材料不像硅晶圓可以通過直拉法生長(zhǎng)出高質(zhì)量的大尺寸單晶，而是需要通過化學(xué)氣相沉積（CVD）法來生長(zhǎng)，這就導(dǎo)致了材料本身的缺陷和不均勻性。本項(xiàng)研究中的反相器良率高達(dá)99.77%，具備單級(jí)高增益和關(guān)態(tài)超低漏電等優(yōu)異性能，這是一個(gè)工程性的突破。

將ENIAC和Intel 4004 以及無極誕生年實(shí)現(xiàn)了加法上的運(yùn)算聯(lián)系

“我們要確保每一道工藝都能與其他步驟無縫銜接，從而實(shí)現(xiàn)最高良率和最佳性能?！闭撐墓餐谝蛔髡?、微電子學(xué)院直博生敖明睿介紹，團(tuán)隊(duì)制造了900個(gè)反相器陣列，每個(gè)陣列包含30×30個(gè)反相器。經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試，發(fā)現(xiàn)其中898個(gè)反相器的邏輯功能完好無損，翻轉(zhuǎn)電壓和爭(zhēng)議值都非常理想，領(lǐng)先于同類研究。

“如果把制造硅基芯片比作在石頭上雕刻，那么二維芯片就是在一塊豆腐上雕花?！蔽㈦娮訉W(xué)院研究員包文中打比方道，二維半導(dǎo)體作為一種最薄的半導(dǎo)體形態(tài)，必須采用更溫和、精細(xì)的工藝方法進(jìn)行“雕刻”。

團(tuán)隊(duì)通過柔性等離子(Plasma)處理技術(shù)等低能量工藝，對(duì)二維半導(dǎo)體表面進(jìn)行加工，從而避免了高能粒子對(duì)材料造成的損害，充分發(fā)揮出二維半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)，也確保芯片質(zhì)量。

AI for Science高效篩選最優(yōu)工藝參數(shù)組合

二維半導(dǎo)體芯片制作涉及上百道工藝，每步工藝之間還存在相互影響，這些工藝參數(shù)變量聯(lián)立起來的組合幾乎是天文數(shù)字。這也是二維半導(dǎo)體研發(fā)的最大難點(diǎn)。

“單靠人工調(diào)整參數(shù)幾乎是不可能任務(wù)?！卑闹薪榻B，在二維半導(dǎo)體領(lǐng)域，研發(fā)工藝參數(shù)的復(fù)雜性遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基工藝。如何才能確保每一道工藝步驟都能與其他步驟協(xié)同工作？面對(duì)這一挑戰(zhàn)，AI for Science提供了新的解法。

早在2021年，團(tuán)隊(duì)曾在《自然·通訊》（Nature Communications）上發(fā)表了一篇文章（https://www.nature.com/articles/s41467-021-26230-x），探討采用機(jī)器學(xué)習(xí)方法優(yōu)化工藝參數(shù)，此次研究正是在這一基礎(chǔ)上發(fā)展而來。“我們?cè)谇捌诜e累了大量工藝參數(shù)，讓AI計(jì)算出最佳工藝配方。如果沒有這些前期的數(shù)據(jù)積累，AI的效果就會(huì)大打折扣?！卑矫黝Ｕf。

通過“原子級(jí)界面精準(zhǔn)調(diào)控+全流程AI算法優(yōu)化”的雙引擎，團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了從材料生長(zhǎng)到集成工藝的精準(zhǔn)控制，在短時(shí)間內(nèi)篩選出最優(yōu)的工藝參數(shù)組合，大大提高了實(shí)驗(yàn)效率。

以接觸層的工藝優(yōu)化為例，團(tuán)隊(duì)收集了大量歷史數(shù)據(jù)，包括不同條件下接觸電阻的變化情況。將這些數(shù)據(jù)輸入AI模型之后，AI模型能在研究人員的指示下，根據(jù)已有數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)最優(yōu)的接觸層生長(zhǎng)參數(shù)和摻雜濃度。在后道工藝中，團(tuán)隊(duì)也應(yīng)用了AI技術(shù)，涉及多個(gè)步驟的精確耦合調(diào)控，確保每步操作達(dá)到最佳效果。

成果產(chǎn)品具備單級(jí)高增益和關(guān)態(tài)超低漏電等優(yōu)異性能。通過嚴(yán)格的自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備測(cè)試，團(tuán)隊(duì)驗(yàn)證了在1 kHz時(shí)鐘頻率下，千門級(jí)芯片可以串行實(shí)現(xiàn)37種32位RISC-V指令，滿足32位RISC-V整型指令集（RV32I）要求。其集成工藝優(yōu)化程度和規(guī)?；娐返尿?yàn)證結(jié)果，均達(dá)到了國(guó)際同期最優(yōu)水平。

“這表明我們的芯片不僅可以進(jìn)行簡(jiǎn)單的邏輯運(yùn)算，還能執(zhí)行復(fù)雜的指令集?！闭撐墓餐谝蛔髡摺⑽㈦娮訉W(xué)院直博生周秀誠說。

全鏈條自主研發(fā)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

RISC-V作為一種開源簡(jiǎn)化指令集計(jì)算架構(gòu)，已逐漸成為當(dāng)前芯片研發(fā)領(lǐng)域的主流選擇。本次研發(fā)的芯片正是采用RISC-V架構(gòu)作為設(shè)計(jì)基礎(chǔ)。

“我們的最終目標(biāo)是將技術(shù)送到千家萬戶，建立開放兼容的用戶生態(tài)?！蔽㈦娮訉W(xué)院研究員韓軍在本次工作中負(fù)責(zé)RISC-V架構(gòu)設(shè)計(jì)。他介紹，選擇這一架構(gòu)意味著對(duì)接全球技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)且無需依賴封閉架構(gòu)，未來可自主構(gòu)建用戶生態(tài)，不受制于國(guó)外廠商的架構(gòu)和IP專利。

在團(tuán)隊(duì)開發(fā)的二維半導(dǎo)體集成工藝中，70%左右的工序可直接沿用現(xiàn)有硅基產(chǎn)線成熟技術(shù)，而核心的二維特色工藝也已構(gòu)建包含20余項(xiàng)工藝發(fā)明專利，結(jié)合專用工藝設(shè)備的自主技術(shù)體系，為產(chǎn)業(yè)化落地鋪平道路。

下一步，團(tuán)隊(duì)將進(jìn)一步提高芯片集成度，尋找并搭建穩(wěn)定的工藝平臺(tái)，為未來開發(fā)具體的應(yīng)用產(chǎn)品打下基礎(chǔ)。周鵬提到，在實(shí)時(shí)信號(hào)處理方面，二維半導(dǎo)體芯片有望適用于物聯(lián)網(wǎng)、邊緣算力、AI推理等前沿計(jì)算場(chǎng)景。

當(dāng)前，國(guó)際上對(duì)二維半導(dǎo)體的研究仍在起步階段，尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，本次成果意味著中國(guó)有機(jī)會(huì)在二維半導(dǎo)體材料上取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

“我們希望通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用拓展，搶占這一領(lǐng)域的制高點(diǎn)?！敝荠i說。

復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、浙江紹芯實(shí)驗(yàn)室（紹興復(fù)旦研究院）、微電子學(xué)院周鵬和包文中為論文通訊作者，博士生敖明睿、周秀誠為論文共同第一作者。研究工作得到了科技部、國(guó)家自然科學(xué)基金委、上海市科委等項(xiàng)目的資助，以及教育部創(chuàng)新平臺(tái)的支持。

3.中科院上海微系統(tǒng)所在低溫光量子芯片方面取得重要進(jìn)展；

近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所李浩、尤立星團(tuán)隊(duì)在低溫光量子芯片方面取得重要進(jìn)展。面向集成光量子計(jì)算、量子互連等應(yīng)用需求，研制出集成泵浦濾波與單光子探測(cè)功能的糾纏接收芯片，并完成低溫光量子芯片間的糾纏分發(fā)應(yīng)用演示，相關(guān)成果以“On-chip superconducting nanowire single-photon detectors integrated with pump rejection for entanglement characterization”為題發(fā)表于中國(guó)科學(xué)院一區(qū)學(xué)術(shù)期刊Photonics Research上。

圖 1 能量-時(shí)間糾纏接收芯片應(yīng)用示意圖。

低溫光量子技術(shù)可用于低溫信號(hào)高保真讀出、跨平臺(tái)量子系統(tǒng)互連等，在量子計(jì)算和經(jīng)典高性能計(jì)算融合發(fā)展的趨勢(shì)下愈發(fā)關(guān)鍵。超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器（SNSPD）憑借近理想探測(cè)效率、納秒級(jí)響應(yīng)速度及極低暗計(jì)數(shù)率，已成為構(gòu)建光量子技術(shù)體系的關(guān)鍵組件。實(shí)現(xiàn)SNSPD異質(zhì)集成的光量子芯片，可大幅降低芯片間光子耦合損耗，在提升系統(tǒng)集成度的同時(shí)顯著增強(qiáng)量子操作保真度與可擴(kuò)展性。微環(huán)諧振器等片上量子光源通常需要使用毫瓦級(jí)泵浦光激發(fā)，導(dǎo)致單光子信號(hào)易受泵浦噪聲淹沒。因此，協(xié)同實(shí)現(xiàn)高抑制比泵浦濾波和單光子探測(cè)是進(jìn)一步解鎖低溫光量子芯片集成度和應(yīng)用的重要突破口。本工作中，研究團(tuán)隊(duì)提出了硅基無源泵浦濾波器與SNSPD的單片異質(zhì)集成方案（如圖2）。該方案采用交錯(cuò)布拉格光柵結(jié)構(gòu)作為無源泵浦濾波器，兼容低溫工作環(huán)境的同時(shí)對(duì)SNSPD制備過程中引入的額外工藝步驟容忍度大，適合進(jìn)行級(jí)聯(lián)以獲得高抑制比。實(shí)驗(yàn)測(cè)得片上SNSPD在1550 nm波段實(shí)現(xiàn)飽和探測(cè)，系統(tǒng)探測(cè)效率達(dá)到20.1 %（片上量子效率約90%），低溫片上泵浦濾波抑制比超過56 dB，展現(xiàn)了該異質(zhì)集成芯片的優(yōu)異性能（圖3）。

圖 2 芯片結(jié)構(gòu)示意與電子顯微鏡圖。

圖 3 片上泵浦濾波器與SNSPD性能表征結(jié)果。

為了驗(yàn)證該芯片的能量-時(shí)間糾纏接收功能，研究團(tuán)隊(duì)將微環(huán)中自發(fā)四波混頻產(chǎn)生的能量-時(shí)間糾纏光子對(duì)經(jīng)過波分復(fù)用器后分別發(fā)送至兩顆集成泵浦濾波器和SNSPD的芯片上，在兩組非正交測(cè)量基下測(cè)得Franson雙光子干涉原始可見度分別達(dá)到92.85% ± 5.95%與91.91% ± 7.34%（如圖4），違背了貝爾不等式，完成低溫光量子芯片間的糾纏分發(fā)演示應(yīng)用，展現(xiàn)了其在未來量子糾纏分發(fā)網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用潛力。

圖 4 Franson雙光子干涉實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

論文第一作者為上海微系統(tǒng)所博士研究生舒志運(yùn)，通訊作者為上海微系統(tǒng)所李浩研究員。上海微系統(tǒng)所尤立星研究員、清華大學(xué)張巍教授等對(duì)本工作進(jìn)行了深入指導(dǎo)。該研究得到了科技創(chuàng)新2030重大項(xiàng)目 (2023ZD0300100)、上海市量子重大專項(xiàng) (2019SHZDZX01)、國(guó)家自然科學(xué)基金(61971408, 12033007, 92365210, U24A20320)以及中國(guó)科學(xué)院青年促進(jìn)會(huì)項(xiàng)目(2020241, 2021230)的資助。