近日，宏微科技在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，公司第三代半導(dǎo)體研發(fā)取得重要成果。車規(guī)級1200V碳化硅（SiC）MOSFET芯片已通過可靠性驗證并實現(xiàn)小批量出貨，自主研發(fā)的SiC SBD（肖特基勢壘二極管）芯片也通過多家終端客戶驗證，部分產(chǎn)品進入小批量出貨階段。

在新能源汽車領(lǐng)域，宏微科技控股子公司芯動能于2024年底實現(xiàn)第100萬只車規(guī)級電驅(qū)雙面散熱塑封模塊下線，成為國內(nèi)第二家具備該產(chǎn)品大規(guī)模量產(chǎn)能力的半導(dǎo)體企業(yè)。該模塊兼容IGBT和SiC MOSFET芯片，可滿足200kW以內(nèi)電機控制器需求。公司推出的GVD模塊（適用于增程式車型）及800V高壓平臺產(chǎn)品已批量交付，形成灌封與塑封模塊雙軌并行的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)方面，宏微科技第七代IGBT技術(shù)（M7i）性能顯著提升，相較第六代產(chǎn)品電流密度提升20%，開關(guān)損耗降低10%，最高工作溫度達(dá)175℃，覆蓋650V至1200V全電壓等級，并在新能源汽車電機控制器等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同方面，宏微科技與華虹宏力于2025年初簽署五年戰(zhàn)略合作備忘錄，聯(lián)合研發(fā)IGBT與FRD等核心產(chǎn)品，優(yōu)化工藝平臺以提升市場競爭力。此次合作將強化公司在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心技術(shù)優(yōu)勢。

（校對/黃仁貴）