天眼查顯示，潤新微電子(大連)有限公司近日取得一項名為“晶圓過渡結(jié)構(gòu)、晶圓及其制備方法、老化測試裝置及老化測試方法”的專利，授權(quán)公告號為CN118866878B，授權(quán)公告日為2025年2月14日，申請日為2024年9月24日。

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了晶圓過渡結(jié)構(gòu)、晶圓及其制備方法、老化測試裝置及老化測試方法，晶圓過渡結(jié)構(gòu)包括多個芯片，其一側(cè)具有過渡層，每個芯片均包括源電極、漏電極、柵電極、第一電阻、第二電阻、第一電阻電極、第二電阻電極、場板、連接段以及由下至上依次設(shè)置的襯底、疊層結(jié)構(gòu)、第一介電層和第二介電層，第二介電層靠近過渡層；連接段用于連接?xùn)烹姌O與第一電阻電極，漏電極還與過渡層連接；場板與柵電極及連接段連接，第一電阻電極與柵電極及第一電阻連接，第一電阻電極還與第二電阻或襯底連接，第一電阻阻值大于第二電阻阻值；所有芯片的源電極均與襯底并聯(lián)連接，過渡層用于使所有芯片的漏電極并聯(lián)連接。