天眼查顯示，杰華特微電子股份有限公司“功率器件及其制造方法”專利公布，申請公布日為2025年2月14日，申請公布號為CN119451210A。 

本公開提供了一種功率器件及其制造方法，該功率器件包括：半導(dǎo)體層，包括沿第二表面朝向第一表面的方向依次鄰接的第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)、阱區(qū)和第三摻雜區(qū)；隔離部，自半導(dǎo)體層的第一表面伸至第二摻雜區(qū)中，并與阱區(qū)和第三摻雜區(qū)鄰接；以及柵極導(dǎo)體，位于隔離部中，半導(dǎo)體器件還包括：電阻結(jié)構(gòu)與二極管結(jié)構(gòu)，電阻結(jié)構(gòu)和/或二極管結(jié)構(gòu)的至少部分位于隔離部中，電阻結(jié)構(gòu)用于構(gòu)成第一電阻，二極管結(jié)構(gòu)用于構(gòu)成第一二極管，第一電阻的一端與第三摻雜區(qū)電連接，第一電阻的另一端與第一二極管的陰極電連接，第一二極管的陽極與阱區(qū)電連接。通過在功率器件中設(shè)置額外的電阻與二極管，從而調(diào)節(jié)功率器件中不同區(qū)域的電勢，進而降低功率器件的導(dǎo)通壓降。