三星電子正在推動(dòng)關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的本土化，此舉引起廣泛關(guān)注，因?yàn)樵摴驹噲D減少對日本進(jìn)口的嚴(yán)重依賴。在美國、日本、中國大陸和中國臺灣的全球半導(dǎo)體主導(dǎo)地位競爭日益激烈的背景下，這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變被視為應(yīng)對韓日關(guān)系潛在緊張的主動(dòng)措施。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子半導(dǎo)體部門正在加快努力用韓國國產(chǎn)替代品取代“ArF（氟化氬）空白掩?！?。這些掩模在半導(dǎo)體光刻工藝中至關(guān)重要，占整個(gè)階段的40%以上。目前，三星對這些掩模的采購嚴(yán)重依賴日本的Hoya。然而，三星現(xiàn)在正與韓國生產(chǎn)商S&S Tech密切合作，以實(shí)現(xiàn)本土化。一位業(yè)內(nèi)人士透露，“三星一直在接收少量國產(chǎn)ArF空白掩膜，但最近已開始評估在特定工藝中全面采用?！?/p>

除了ArF空白掩膜，三星還在加大力度將其他高度依賴日本的材料本地化。對于目前由日本三井化學(xué)主導(dǎo)的EUV薄膜，三星正在與韓國FST合作實(shí)現(xiàn)本地化。此外，對于高帶寬存儲器（HBM）的關(guān)鍵材料非導(dǎo)電膜（NCF），三星正在與LG Chem合作。目前，NCF材料100%由日本Resonac供應(yīng)給三星。

三星材料供應(yīng)鏈的多樣化主要是為了應(yīng)對人工智能（AI）革命引發(fā)的半導(dǎo)體需求激增。這種需求需要多樣化目前由一兩家公司壟斷的工藝材料。該戰(zhàn)略還考慮到與美國和日本以及中國大陸和中國臺灣之間日益激烈的半導(dǎo)體主導(dǎo)地位競爭。

日本則在培育Rapidus等新芯片制造公司，以增強(qiáng)國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。如果日本再次對半導(dǎo)體材料實(shí)施類似于2019年的出口限制，韓國國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)線可能會面臨嚴(yán)重中斷。一位資深行業(yè)官員評論說：“在最近國內(nèi)外政治局勢變化的情況下，韓美、韓日、韓中關(guān)系的波動(dòng)性比以往任何時(shí)候都高，三星從多個(gè)角度加強(qiáng)風(fēng)險(xiǎn)管理的努力意義重大?！保ㄐ?趙月）