英諾賽科宣布推出新產(chǎn)品 INN100EA035A，這是一款 100V GaN 功率器件，采用先進(jìn)的雙冷卻 En-FCLGA 封裝，與傳統(tǒng)的單冷卻封裝相比，導(dǎo)熱率高出 65%。改進(jìn)的熱性能降低了工作溫度并提高了效率，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，使其成為 AI 服務(wù)器 48V DC-DC 電源傳輸?shù)睦硐脒x擇。

INN100EA035A 及En-FCLGA封裝產(chǎn)品

INN100EA035A 是一款100V E-Mode氮化鎵產(chǎn)品，采用En-FCLGA3.3X3.3封裝，Rdson_Max 3.5mohm，雙面散熱，且具有低導(dǎo)阻、低柵極電荷、低開關(guān)損耗以及零反向恢復(fù)電荷等特點(diǎn)，這一特性對于效率要求極高的AI和48V電源應(yīng)用尤為重要。與傳統(tǒng)的MOSFET方案相比，該器件的功率密度提升20%；與業(yè)界最先進(jìn)的MOSFET相比，系統(tǒng)功率損耗可降低大于35%。

產(chǎn)品系列

由于其性能和特性，INN100EA035A 被設(shè)計(jì)用于 AI GPU 電源輸送和多種其他 48V 應(yīng)用。英諾賽科還發(fā)布了基于該技術(shù)的產(chǎn)品系列，采用 Dual-Cool 封裝，Rdson（Max25C）范圍從 1.8mohm 到 7mohm，底部源極占位面積與漏極占位面積相匹配，可輕松用高性能低成本 GaN 解決方案取代傳統(tǒng)的 Si MOSFET 解決方案。

• En-FCLGA3.3X3.3 P2P Source down MOS

• En-FCLGA 5X6 P2P Drain down MOS

INN100EA035A規(guī)格書首頁

卓越性能

• 超低導(dǎo)通電阻，能量損耗大幅降低

• 超低驅(qū)動(dòng)和開關(guān)損耗，減少系統(tǒng)能耗，提高系統(tǒng)響應(yīng)速度

• 緊湊size，在空間有限的應(yīng)用場景中具有極大優(yōu)勢

• 雙面散熱，提高散熱效率，有效提升系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性

應(yīng)用優(yōu)勢

• PCB Layout友好，垂直電流路徑設(shè)計(jì)，最小化PCB寄生電阻

• 系統(tǒng)功率損耗降低大于35%，與業(yè)界最先進(jìn)的MOSFET相比，功率損耗降低大于35%

• 功率密度提升20%，與傳統(tǒng)MOSFET方案相比，該器件功率密度提升20%

應(yīng)用領(lǐng)域

• AI與48V電源領(lǐng)域

這款全新的功率氮化鎵器件憑借其業(yè)界首創(chuàng)的技術(shù)、卓越的性能以及顯著的系統(tǒng)應(yīng)用優(yōu)勢，必將在AI和48V電源領(lǐng)域掀起一場技術(shù)革命。我們相信，它將為客戶帶來更高的價(jià)值，推動(dòng)行業(yè)的不斷發(fā)展和進(jìn)步，開啟AI和48V電源領(lǐng)域的新篇章！

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