2025年1月12日，全磊光電化合物半導體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目工程正式拉開了建設(shè)的大幕。

（來源：全磊光電）

全磊光電成立于2016年，總部位于廈門，專注化合物半導體外延片材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要為光電子和微電子行業(yè)客戶提供光通信、數(shù)據(jù)中心、智能傳感等應(yīng)用的高品質(zhì)外延片，包含InP和GaAs基多種光電產(chǎn)品，涵蓋激光器（FP/DFB/VCSEL）以及探測器（MPD/PIN/APD）等各系列產(chǎn)品。

全磊光電官方消息顯示，其在廈門總部建有化合物半導體研發(fā)中心和生產(chǎn)制造基地，并在蘇州工業(yè)園區(qū)設(shè)有全資子公司蘇州全磊光電有限公司。該公司建有完整的MOCVD材料外延產(chǎn)線和相配套的檢測中心，并通過ISO9001質(zhì)量管理體系和ISO14001環(huán)境管理體系認證。該公司憑借自主核心技術(shù)、先進的制造設(shè)備以及完善的質(zhì)量管理體系，逐步建立了穩(wěn)定的客戶網(wǎng)絡(luò)，產(chǎn)品已廣泛供應(yīng)給中國、日本以及歐美國家的多個客戶。

投資廈門1月3日消息顯示，全磊光電化合物半導體外延片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目位于火炬（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)，由全磊光電股份有限公司投建，計劃采購金屬有機化學氣相沉積設(shè)備等主要生產(chǎn)工藝設(shè)備、測試設(shè)備和配套設(shè)備設(shè)施，生產(chǎn)化合物半導體外延片/芯片產(chǎn)品。項目建成投產(chǎn)后，全磊光電將從現(xiàn)有的砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）基外延片產(chǎn)品，逐步拓展至氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）產(chǎn)品，并應(yīng)用于光通信、智能傳感、微波射頻、功率器件等領(lǐng)域。

全磊光電指出，化合物半導體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目的開工建設(shè)，既是公司發(fā)展的必然選擇，也是順應(yīng)時代、把握市場機遇、實現(xiàn)跨越發(fā)展式的關(guān)鍵之舉。園區(qū)將引進國際領(lǐng)先的生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)工藝，打造集智能化生產(chǎn)、研發(fā)創(chuàng)新以及配套服務(wù)于一體的產(chǎn)業(yè)化基地，致力于實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)的規(guī)模化、智能化、集約化，推動全磊光電成為化合物半導體行業(yè)的企業(yè)龍頭，打造國際領(lǐng)先的化合物半導體產(chǎn)品和產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為國家半導體行業(yè)的發(fā)展貢獻更多的力量。