SemiQon是一家從芬蘭研究機(jī)構(gòu)VTT剝離出來的公司，宣布已開發(fā)出能夠在低溫環(huán)境下高效運(yùn)行的p型和n型晶體管。這些晶體管使得創(chuàng)建CMOS邏輯電路成為可能，并且可以在現(xiàn)有的CMOS晶圓廠中制造，而無需額外的基礎(chǔ)設(shè)施。

SemiQon研究人員發(fā)表了《用于量子電子的毫開爾文Si-MOSFETs》論文，詳細(xì)介紹了在420mK下具有0.3 mV/dec亞閾值擺幅的晶體管的特性。這些晶體管是在全耗盡型絕緣體上硅（FDSOI）晶圓上制造的MOSFET。

VTT最近還討論了使用混合量子CMOS技術(shù)構(gòu)建基于自旋的量子比特多路復(fù)用器。該芯片基于定制絕緣體上硅 (SOI) 工藝，采用全硅柵極堆棧和50nm柵極寬度。該電路在5.6K至300mK范圍內(nèi)表現(xiàn)出低噪聲。

傳統(tǒng)的控制電子設(shè)備是使用傳統(tǒng)方法制造的，但由此產(chǎn)生的散熱會(huì)影響低溫，并且需要距離和絕緣，從而對量子計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)造成限制。

SemiQon表示，其晶體管設(shè)計(jì)在1K及以下的溫度下表現(xiàn)最佳，這是大多數(shù)量子計(jì)算機(jī)運(yùn)行的溫度范圍。在低溫環(huán)境下，這些晶體管的功耗僅為傳統(tǒng)室溫晶體管的0.1%。

這使得控制和讀出電子設(shè)備可以與量子位處理器一起放置在低溫恒溫器內(nèi)部。

“這有可能加速量子技術(shù)的發(fā)展，甚至開啟低溫電子學(xué)的新時(shí)代，”SemiQon首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Himadri Majumdar表示。

SemiQon表示，除了量子計(jì)算之外，這些晶體管還有提高航天應(yīng)用和高性能計(jì)算（HPC）中的能源效率的潛力。

SemiQon預(yù)計(jì)將在2025年向客戶交付其首批低溫優(yōu)化的CMOS晶體管。（校對/李梅）