2024 年 9 月 10 日，以色列 MIGDAL HAEMEK ——高價(jià)值模擬半導(dǎo)體代工解決方案的領(lǐng)先廠商 Tower Semiconductor（納斯達(dá)克股票代碼：TSEM）宣布，基于其先進(jìn)的 300mm RFSOI 技術(shù)的 Wi-Fi 7 射頻前端模塊 (FEM) 器件已正式投產(chǎn)。通過與 Broadcom 公司（納斯達(dá)克股票代碼：AVGO）的合作，Tower實(shí)現(xiàn)了將Wi-Fi FEM 器件集成在單個(gè) RFSOI 芯片上。與現(xiàn)有的非 SOI 技術(shù)相比，這一創(chuàng)新解決方案具有卓越的性能和效率，為先進(jìn)移動(dòng)應(yīng)用市場樹立了新的標(biāo)準(zhǔn)。

“憑借 Tower RFSOI 技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢，Broadcom 為 Wi-Fi 7 移動(dòng)應(yīng)用市場設(shè)計(jì)并推出了一系列緊湊型高性能 FEM。”Broadcom 無線通信與連接市場副總裁 Vijay Nagarajan 表示?！斑@些 FEM 是我們與 Tower 長期合作的成果，是專門為移動(dòng) Wi-Fi 應(yīng)用對于尺寸、能效的嚴(yán)格要求而量身定制的?！?/p>

“我們很高興能與 Broadcom 這樣的市場領(lǐng)導(dǎo)者合作，擴(kuò)展 Tower 領(lǐng)先的 RFSOI 平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)集成前端模塊設(shè)計(jì)的創(chuàng)新架構(gòu)選項(xiàng)，包括一些用于LNA 和功率放大器的特殊器件，以及用于縮小邏輯面積的高柵密度標(biāo)準(zhǔn)單元。”Tower Semiconductor 總裁 Marco Racanelli 博士表示?！癇roadcom 在射頻 FEM 產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面的一流能力與我們的技術(shù)優(yōu)勢相輔相成，從而使兩家公司都實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能和集成度。這種合作關(guān)系凸顯了我們與客戶保持一致的路線圖和推進(jìn)突破性產(chǎn)品的決心，也加強(qiáng)了 Tower 致力于提供卓越技術(shù)和制造解決方案、助力客戶獲得成功的決心?！?/p>

這種高度集成的工藝縮小了芯片面積，同時(shí)還支持新功能和新頻段。Tower 的 RFSOI 技術(shù)平臺(tái)具有同類最佳的硅基開關(guān)和低噪聲放大器性能，已在行業(yè)內(nèi)廣泛應(yīng)用。將功率放大器集成到該技術(shù)中，可消除在獨(dú)立的芯片之間傳遞信號所帶來的額外損耗，而高電阻率 SOI 基底面可支持電感器等無源元件，從而以更高的品質(zhì)因數(shù)提高功率放大器的效率。

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