天眼查顯示，江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司近日取得一項名為“襯底及其制備方法”的專利，授權(quán)公告號為CN117913124B，授權(quán)公告日為2024年6月14日，申請日為2024年3月20日。

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，提供一種襯底及其制備方法，該襯底包括：基底，N層調(diào)試層，N層埋層，N為大于0的整數(shù)，所述調(diào)試層位于所述基底的一側(cè)表面，且所述調(diào)試層與所述埋層間隔排布，所述調(diào)試層用于調(diào)試外延工藝參數(shù)，所述埋層用于在其表面形成所述調(diào)試層。本發(fā)明的襯底，實現(xiàn)了基底的循環(huán)利用，減少了基底的使用量，進而降低了外延過程的運營成本。