天眼查顯示，深圳大普微電子股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“寄生電容過載的檢測(cè)方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN117420966B，授權(quán)公告日為2024年5月28日，申請(qǐng)日為2023年12月19日。
本申請(qǐng)實(shí)施例涉及存儲(chǔ)設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域，公開了一種物理地址的編址方法及閃存設(shè)備，方法包括：獲取第一介質(zhì)最小單元的編號(hào)、第一介質(zhì)最小單元所在的超級(jí)頁(yè)的編號(hào)、第一介質(zhì)最小單元所在的超級(jí)塊的編號(hào)；將超級(jí)塊的編號(hào)與超級(jí)頁(yè)的編號(hào)，分別轉(zhuǎn)換為第一偏移量、第二偏移量；根據(jù)第一介質(zhì)最小單元的編號(hào)、第一偏移量與第二偏移量，確定第一物理最小單元地址。通過將第一介質(zhì)最小單元所在的超級(jí)塊的編號(hào)與超級(jí)頁(yè)的編號(hào)，分別轉(zhuǎn)換為第一偏移量、第二偏移量，結(jié)合第一介質(zhì)最小單元的編號(hào)確定第一物理最小單元地址，本申請(qǐng)能夠提高比特位的利用率，使得介質(zhì)最小單元的物理地址對(duì)應(yīng)的位寬小于PMA分區(qū)編址格式對(duì)應(yīng)的位寬，節(jié)省閃存設(shè)備的內(nèi)存空間。
