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潤石“基于薄柵氧化層工藝的高壓開關(guān)的控制電路”專利獲授權(quán)

來源:愛集微 #潤石科技#
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天眼查顯示,江蘇潤石科技有限公司近日取得一項名為“基于薄柵氧化層工藝的高壓開關(guān)的控制電路”的專利,授權(quán)公告號為CN117713788B,授權(quán)公告日為2024年4月23日,申請日為2024年2月5日。

本申請實施例提供了一種基于薄柵氧化層工藝的高壓開關(guān)的控制電路,高壓開關(guān)電路包括薄柵氧化層高壓NMOS管和薄柵氧化層高壓PMOS管,所述控制電路包括第一控制電路和第二控制電路;所述第一控制電路通過控制所述薄柵氧化層高壓NMOS管的柵極電壓和源極電壓的壓差以使所述薄柵氧化層高壓NMOS管安全開啟,所述第二控制電路通過控制所述薄柵氧化層高壓PMOS管的柵極電壓和源極電壓的壓差以使所述薄柵氧化層高壓PMOS管安全開啟,通過設(shè)置第一控制電路和第二控制電路安全開啟所述高壓開關(guān)電路中的NMOS管和PMOS管,有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中薄柵氧高壓器件容易因器件耐壓性不好,進(jìn)而作為高壓開關(guān)使用時容易被擊穿的問題。 

責(zé)編: 愛集微
來源:愛集微 #潤石科技#
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