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聯(lián)合攻關(guān),九峰山實驗室支持華中科技大學(xué)團隊突破新型光刻膠技術(shù)

來源:九峰山實驗室 #九峰山實驗室# #九峰山#
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作為半導(dǎo)體制造不可或缺的材料,光刻膠質(zhì)量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。但光刻膠技術(shù)門檻高,市場上制程穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產(chǎn)品屈指可數(shù)。當半導(dǎo)體制造節(jié)點進入到100 nm甚至是10 nm以下,如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形,成為光刻制造的共性難題。

針對上述瓶頸問題,九峰山實驗室、華中科技大學(xué)組成聯(lián)合研究團隊,支持華中科技大學(xué)團隊突破“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”技術(shù)。該研究通過巧妙的化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計,以兩種光敏單元構(gòu)建“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”,最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優(yōu)良、space圖案寬度值正態(tài)分布標準差(SD)極?。s為0.05)、性能優(yōu)于大多數(shù)商用光刻膠。且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導(dǎo)體量產(chǎn)制造中對吞吐量和生產(chǎn)效率的需求。該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向,同時為EUV光刻膠的著力開發(fā)做技術(shù)儲備。相關(guān)成果以“Dual nonionic photoacids synergistically enhanced photosensitivity for chemical amplified resists”為題,于2024年2月15日在國際頂級刊物Chemical Engineering Journal (IF=15.1)發(fā)表。該項目由國家自然科學(xué)基金、973計劃共同資助,主要作者為華中科技大學(xué)光電國家研究中心朱明強教授,湖北九峰山實驗室工藝中心柳俊教授和向詩力博士。

光刻膠全自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)開發(fā)

光刻膠線邊緣粗糙度與分辨率通常難以協(xié)同調(diào)控,應(yīng)對上述瓶頸問題,九峰山實驗室與華中科技大學(xué)研發(fā)人員共同設(shè)計新結(jié)構(gòu)體系和光響應(yīng)機制尋求解決策略。

此項研究分別將光敏單元:4,5-二甲氧基-2-硝基芐基甲基丙烯酸酯(MONMA)和光致產(chǎn)酸劑(PAG):4,5-二甲氧基-2-硝基苯對甲苯磺酸酯(MONS)引入基質(zhì)中,光照下,基質(zhì)中自由分散的MONS光解成游離的小分子強酸,而聚合物主鏈上的MONMA則形成局域化羧酸,兩種酸同步協(xié)同催化叔丁基甲基丙烯酸酯(TBMA)保護基團轉(zhuǎn)化為可溶解于2.38% TMAH水基顯影液的羧酸(圖1)。TBMA生成的羧酸反過來可催化TBMA產(chǎn)生更多的羧酸,顯著加快酸單元的擴散增殖,可明顯降低光刻膠對曝光系統(tǒng)光照強度的要求。

圖1. 幾種不同光刻膠體系在紫外光輻照下膜層的紫外吸收光譜動態(tài)變化:(a) P(MONMA-TBMA); (b) P(MONMA-HEMA-TBMA); (c) MONS/PMMA; (d) MONS/PTBMA; (e) MONS/P(MONMA-TBMA); (f) MONS/P(MONMA-HEMA-TBMA)。

MONS/MONMA二元配合體系互相調(diào)制,將最終生成的光酸濃度控制在最佳范圍,因此該體系光刻膠的線邊緣粗糙度低且分辨率高。同時因MONMA與MONS分子結(jié)構(gòu)的高度相似性,MONS分子可完全分散溶解于三元聚合物P(MONMA-HEMA-TBMA)體系中,而不會出現(xiàn)相分離,確保了最終的光刻效果。在光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡的多重驗證下,最終得到的光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優(yōu)良,space圖案寬度值正態(tài)分布的標準差(SD)極小,約為0.05(圖2)。

圖3.(a)光刻顯影后P(MONMA-HEMA-TBMA)化學(xué)放大膠的光學(xué)顯微鏡效果圖;(b)光刻膠十字圖案表面形貌的掃描電鏡圖像;(c)光刻膠溝道圖案表面形貌的掃描電鏡圖像;(d)光刻膠溝道圖案寬度正態(tài)分布。

“用”為導(dǎo)向,產(chǎn)學(xué)研用深度融合

依托九峰山實驗室工藝平臺,上述具有自主知識產(chǎn)權(quán)的光刻膠體系在產(chǎn)線上完整了初步工藝驗證,并同步完成了各項技術(shù)指標的檢測優(yōu)化,實現(xiàn)了從技術(shù)開發(fā)到成果轉(zhuǎn)化的全鏈條打通。
九峰山實驗室面向國家重大戰(zhàn)略和產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)需求,將繼續(xù)堅持以“用”為導(dǎo)向,與高校及研究機構(gòu)積極開展共同研究,推進產(chǎn)學(xué)研用深度融合,為學(xué)術(shù)成果加速產(chǎn)業(yè)化提供先進的工藝開發(fā)平臺,發(fā)揮產(chǎn)業(yè)技術(shù)“燈塔”作用。



責編: 愛集微
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