比利時(shí)微電子研究中心（imec）12月宣布，與日本三井化學(xué)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，將共同推進(jìn)EUV碳納米管光掩膜薄膜（pellicle）技術(shù)商業(yè)化。根據(jù)協(xié)議，三井化學(xué)將把imec基于碳納米管（CNT）顆粒的技術(shù)與三井化學(xué)的薄膜相關(guān)技術(shù)整合，目標(biāo)是在2025~2026年期間將這種新產(chǎn)品引入高功率EUV系統(tǒng)。
根據(jù)imec官方介紹，光掩模防塵薄膜（pellicle）用于保護(hù)光掩膜的清潔，需要高透光率以及長壽命。碳納米管微粒（CNT）能夠提高超薄膜在EUV（極紫外）曝光過程中的性能，其具有極高的EUV透光率（≥94%）、極低的EUV反射率和最小的光學(xué)影響，這些都是先進(jìn)半導(dǎo)體制造中實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能的關(guān)鍵特性。此外，碳納米管顆粒還能夠承受超過1kW的EUV功率，從而滿足未來新一代光刻機(jī)的需求。這一技術(shù)引起了業(yè)界強(qiáng)烈興趣，因此雙方將共同開發(fā)工業(yè)級(jí)碳納米管粒子，以滿足市場(chǎng)需求。
防塵薄膜pellicle原理，來自三井化學(xué)
imec高級(jí)副總裁Steven Scheer表示，該機(jī)構(gòu)長期以來一直支持半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)推進(jìn)光刻技術(shù)路線圖，2015年以來，imec便與供應(yīng)鏈合作，為先進(jìn)的EUV光刻技術(shù)開發(fā)基于碳納米管（CNT）的創(chuàng)新薄膜設(shè)計(jì)。他表示，“我們相信，對(duì)于碳納米管薄膜的計(jì)量、表征、特性和性能的深入理解，將加速三井化學(xué)產(chǎn)品開發(fā)。我們希望共同將碳納米管粒子投入生產(chǎn)，用于未來幾代EUV光刻技術(shù)?！?/p>
根據(jù)光刻行業(yè)路線圖，2025~2026年ASML下一代0.33NA（數(shù)值孔徑）EUV光刻系統(tǒng)將支持功率級(jí)別為600W或更高的光源，屆時(shí)全新的光掩膜防塵薄膜也將商品化，可用于量產(chǎn)2nm及以下制程工藝的芯片。
（校對(duì)/趙月）
