【編者按】2024年度IC風(fēng)云榜再度升級(jí)，獎(jiǎng)項(xiàng)擴(kuò)展至35個(gè)、榜單增至59項(xiàng)，不僅在形式和深度上煥然一新，而且分類更加科學(xué)全面，產(chǎn)業(yè)觸達(dá)程度更深、行業(yè)影響力持續(xù)擴(kuò)大。本屆評(píng)委會(huì)由半導(dǎo)體投資聯(lián)盟超100家會(huì)員單位、500+半導(dǎo)體行業(yè)CEO共同擔(dān)任，獲獎(jiǎng)名單將于2024半導(dǎo)體投資年會(huì)暨IC風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮上隆重揭曉，激發(fā)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新潛能，樹立產(chǎn)業(yè)新標(biāo)桿。
【候選企業(yè)】上海復(fù)享光學(xué)股份有限公司（以下簡稱：復(fù)享光學(xué)）
【候選獎(jiǎng)項(xiàng)】年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)扮演著決定性角色，是確保芯片制造精度與成本控制的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。面對(duì)長期依賴進(jìn)口的技術(shù)挑戰(zhàn)，復(fù)享光學(xué)以其自主研發(fā)的EPD光譜儀ZURO產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)領(lǐng)域的突破，不僅攻克了依賴進(jìn)口的技術(shù)瓶頸，還顯著提升了制造良率和效率。
作為國家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)和上海市科委集成電路支撐項(xiàng)目的承擔(dān)單位，復(fù)享光學(xué)在微納光學(xué)量檢測(cè)領(lǐng)域擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)和深厚技術(shù)積累，已成為中國先進(jìn)光譜技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。公司以賦能微納制造，推動(dòng)光子技術(shù)進(jìn)步為使命，歷時(shí)十余年精心打磨，依托百余項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，掌握深度光譜技術(shù)，并能夠有效地結(jié)合客戶場景，成功研發(fā)出終點(diǎn)檢測(cè)系列產(chǎn)品，為客戶提供了全方位的解決方案。不僅填補(bǔ)了國內(nèi)技術(shù)空白，還在全球范圍內(nèi)證明了其技術(shù)的領(lǐng)先性。
EPD光譜儀ZURO憑借其在深度光譜技術(shù)方面的領(lǐng)先性，有效應(yīng)對(duì)等離子體刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、深孔刻蝕、原子層刻蝕等高難度工藝。其高性能特點(diǎn)，如極低光強(qiáng)有效檢出、突破 25000:1 的高動(dòng)態(tài)范圍、全信號(hào)區(qū)段的高信噪比，結(jié)合ideaEPD軟件的人工智能終點(diǎn)判斷算法和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化技術(shù)，保證了刻蝕工藝的高精度和穩(wěn)定性，能從容應(yīng)對(duì)3D NAND臺(tái)階刻蝕、溝槽型SiC MOSFET凹槽刻蝕、超小開口率深硅刻蝕、III-V族化合物半導(dǎo)體EPI結(jié)構(gòu)刻蝕等場景中的終點(diǎn)判斷。
復(fù)享光學(xué)的EPD光譜儀ZURO在國內(nèi)多家Fab廠穩(wěn)定運(yùn)行，成為眾多知名頭部半導(dǎo)體企業(yè)的首選合作伙伴。其出色的技術(shù)性能和產(chǎn)品質(zhì)量，得到了市場和行業(yè)的高度認(rèn)可，展現(xiàn)了復(fù)享光學(xué)在微納光學(xué)量檢測(cè)和深度光譜技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的重大貢獻(xiàn)。
未來，復(fù)享光學(xué)將繼續(xù)深入研究和創(chuàng)新光譜技術(shù)，推動(dòng)產(chǎn)品的不斷升級(jí)，助力全球半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。復(fù)享光學(xué)的技術(shù)突破和創(chuàng)新實(shí)踐，已經(jīng)成為國內(nèi)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域不可或缺的一環(huán)，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步貢獻(xiàn)著中國智造的力量。
2024半導(dǎo)體投資年會(huì)暨IC風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮將于2023年12月舉辦，獎(jiǎng)項(xiàng)申報(bào)已啟動(dòng)，目前征集與候選企業(yè)/機(jī)構(gòu)報(bào)道正在進(jìn)行中，歡迎報(bào)名參與，共赴行業(yè)盛宴！
【年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)】
旨在表彰補(bǔ)短板、填空白或?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)替代，對(duì)于我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自立自強(qiáng)發(fā)展具有重要意義的企業(yè)。
【報(bào)名條件】
1、深耕半導(dǎo)體某一細(xì)分領(lǐng)域，近一年內(nèi)實(shí)現(xiàn)新產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；
2、產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新性強(qiáng)，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)生一定效益，促進(jìn)完善供應(yīng)鏈自立自強(qiáng)。
【評(píng)選標(biāo)準(zhǔn)】
1、技術(shù)或產(chǎn)品的主要性能和指標(biāo)（30%）；
2、技術(shù)的創(chuàng)新性（40%）；
3、產(chǎn)品銷量情況（30%）。
