11月5日晚間，彤程新材公告稱，公司全資子公司上海彤程電子材料有限公司（簡稱“彤程電子”）在上?；瘜W(xué)工業(yè)區(qū)投資建設(shè)年產(chǎn)1.1萬噸半導(dǎo)體、平板顯示用光刻膠及2萬噸相關(guān)配套試劑項(xiàng)目的工程階段已竣工，目前已逐步進(jìn)入試生產(chǎn)階段。

公告顯示，該項(xiàng)目工程階段已竣工，目前已逐步進(jìn)入試生產(chǎn)階段。公司上?；瘜W(xué)工業(yè)區(qū)工廠占地36200平方米，設(shè)計(jì)能力年產(chǎn)1千噸半導(dǎo)體光刻膠、1萬噸顯示用光刻膠和2萬噸高純EBR試劑（光刻膠去邊劑）。同時(shí)在國際國內(nèi)半導(dǎo)體廠商及光刻膠廠商戰(zhàn)略合作推動(dòng)下，完成了產(chǎn)線優(yōu)化及品控升級(jí)。具體情況如下：?

一、半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)能建設(shè)情況

公司上海化學(xué)工業(yè)區(qū)工廠年產(chǎn)1千噸半導(dǎo)體光刻膠量產(chǎn)產(chǎn)線，主要包括年產(chǎn)300/400噸ArF及KrF光刻膠量產(chǎn)產(chǎn)線，通過采用超高純PFA（涂層）設(shè)備、引入高精度物料流量控制系統(tǒng)、配以自研的高精度高效率光刻過濾系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)ppt級(jí)金屬雜質(zhì)及0.1um級(jí)別的顆粒管控，具備不同配方先進(jìn)制程光刻膠的生產(chǎn)能力。?

二、半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)品開發(fā)及量產(chǎn)能力情況

（一）ArF光刻膠產(chǎn)品情況

在ArF光刻膠產(chǎn)品方面，公司已經(jīng)完成ArF光刻膠部分型號(hào)的開發(fā)，首批ArF光刻膠的各項(xiàng)出貨指標(biāo)能對(duì)標(biāo)國際光刻膠大廠產(chǎn)品，已具備量產(chǎn)能力，目前處于量產(chǎn)前的光刻工藝測(cè)試及產(chǎn)品驗(yàn)證階段，能否驗(yàn)證通過尚存在一定的不確定性。

產(chǎn)能可同時(shí)供應(yīng)國內(nèi)大部分芯片制造商，能較好地滿足國內(nèi)先進(jìn)制程光刻膠的部分需求。?

（二）、G線、I線及KrF光刻膠產(chǎn)品情況

目前，公司G線光刻膠已經(jīng)占據(jù)國內(nèi)較大的市場(chǎng)份額；I線光刻膠已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)6"、8"、12"集成電路產(chǎn)線，支持的工藝制程涵蓋14nm及以上工藝。KrF光刻膠量產(chǎn)品種達(dá)20種以上，穩(wěn)定供應(yīng)國內(nèi)頭部芯片制造商。?

三、其他電子化學(xué)品項(xiàng)目建設(shè)及開發(fā)情況

為了解決ArF光刻膠所需的高純?nèi)軇┘皣鴥?nèi)先進(jìn)工藝制程的需求，公司已經(jīng)搭建完成高純EBR裝置，成為國內(nèi)首家建有高純EBR精餾塔設(shè)備及掌握高純精餾技術(shù)的本土溶劑供應(yīng)商。?

公司生產(chǎn)的EBR溶劑已達(dá)到G4等級(jí)規(guī)格，可滿足國內(nèi)40納米以下工藝制程的芯片制造技術(shù)需求，年產(chǎn)2萬噸的規(guī)模量產(chǎn)能力可有效滿足國內(nèi)先進(jìn)制程需求。預(yù)計(jì)第四季度將完成高純度G5等級(jí)EBR的驗(yàn)證，已在國內(nèi)幾家先進(jìn)芯片制造商中逐步推動(dòng)產(chǎn)品驗(yàn)證。