無(wú)線充電簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是不需要借助于電導(dǎo)線的裝置，利用電磁感應(yīng)原理、電磁波共振原理或者其它將磁場(chǎng)作為傳送功率橋梁的技術(shù)，在發(fā)送端和接收端兩個(gè)地方采取相應(yīng)的裝置來(lái)對(duì)產(chǎn)生的交流信號(hào)進(jìn)行發(fā)送和接收進(jìn)而完成充電的一項(xiàng)技術(shù)。

手機(jī)無(wú)線充采用的的是磁感應(yīng)式：初級(jí)線圈產(chǎn)生一定頻率的交流電，通過(guò)電磁感應(yīng)在次級(jí)線圈中產(chǎn)生一定的電流，從而將能量從傳輸轉(zhuǎn)化到接收端。

只要任意數(shù)碼設(shè)備上有Qi的標(biāo)識(shí)，意味著都可以用Qi無(wú)線充電器進(jìn)行充電。Qi2.0是Qi的升級(jí)版，是WPC無(wú)線充電聯(lián)盟制定的全新增強(qiáng)型無(wú)線充電標(biāo)準(zhǔn)。Qi2.0的充電功率由Qi1.3的7.5W提升到Qi2.0的15W，同時(shí)對(duì)現(xiàn)有的BPP和EPP協(xié)議進(jìn)行優(yōu)化，形成全新的MPP協(xié)議使其擁有更好的兼容性和更高的充電效率。

下圖是芯洲科技基于MPP的發(fā)射端方案，適配器提供9V的電壓，通過(guò)SCT12A2升壓9.5-19V給全橋供電，通過(guò)鑒權(quán)IC的安全認(rèn)證以及MCU和受電端的握手后，MCU控制全橋在線圈上產(chǎn)生交變的電流，使線圈上的磁場(chǎng)產(chǎn)生變化實(shí)現(xiàn)電磁轉(zhuǎn)化，實(shí)現(xiàn)無(wú)線充電。

圖3 MPP發(fā)射端方案框圖

升壓IC，在Qi2.0的標(biāo)準(zhǔn)中最大充電功率為15W，為了提高效率，需要提高電壓以減小電流，在Qi2.0的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)最高電壓可到19V，這就要求在適配器之后必須用一顆升壓芯片對(duì)適配器的輸出進(jìn)行升壓，給全橋供電。

一路全橋在MCU的控制下在線圈上產(chǎn)生交變的電流，使線圈上的磁場(chǎng)產(chǎn)生變化實(shí)現(xiàn)電磁轉(zhuǎn)化；一路LDO可以給MCU供電；還有一路Buck在多充的場(chǎng)合，可給小功率的無(wú)線充供電，例如手表無(wú)線充電。

鑒權(quán)IC實(shí)際是安全芯片的一種，有防偽認(rèn)證、通訊保護(hù)和保護(hù)數(shù)據(jù)安全性的作用，給大功率充電提供了安全保護(hù)，WPC發(fā)布的Qi2.0要求，要通過(guò)Qi2.0的認(rèn)證就必須包含鑒權(quán)。

和受電端握手，調(diào)控BOOST芯片的輸出電壓，通過(guò)控制占空比去調(diào)控全橋的輸出功率，以適配受電端的充電需求。

SCT63240A集成了全橋、LDO和BUCK為一體。全橋耐壓20V，功率20W，集成一路3.3V/200mA的LDO和一路5V/1A的BUCK，不再需要額外的LDO給MCU供電，極大地簡(jiǎn)化TX原理圖方案，使方案的成本和用料得到精簡(jiǎn)。

SCT12A2是一顆升壓IC，最高輸出電壓21V，開(kāi)關(guān)電流15A，輸出功率30W以上，完全符合Qi2.0的需求，可以驅(qū)動(dòng)一顆P-MOSFET做負(fù)載開(kāi)關(guān)，解決了BOOST IC不能完全關(guān)斷的問(wèn)題。

在MPP方案中，客戶比較關(guān)注的兩個(gè)點(diǎn)——效率和尺寸，SCT12A5都做了極大的優(yōu)化：

1. 效率：輸入9V輸出17V，功率21W的條件下，效率達(dá)到了97%；

2. 尺寸：更小的封裝尺寸，QFN3*4的尺寸對(duì)于空間要求更小。