近日,國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）正式發(fā)布了碳化硅半導(dǎo)體外延晶片全球首個(gè)SEMI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)——《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》（Specification for 4H-SiC Homoepitaxial Wafer）。此標(biāo)準(zhǔn)由瀚天天成電子科技（廈門(mén)）股份有限公司主導(dǎo)編寫(xiě)，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司、Wolfspeed等十二家單位參與編寫(xiě)，歷時(shí)近三年時(shí)間。

據(jù)悉，《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》這一國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布實(shí)施，將在規(guī)范國(guó)際碳化硅半導(dǎo)體外延行業(yè)有序發(fā)展，降低國(guó)際貿(mào)易協(xié)作成本，加速新技術(shù)在全球的推廣等方面具有深遠(yuǎn)的意義。（校對(duì)/趙碧瑩）