意法半導(dǎo)體(ST)推出能夠降低電信系統(tǒng)、運(yùn)算系統(tǒng)、太陽能逆變器、工業(yè)自動化以及汽車電子等應(yīng)用對環(huán)境影響的新一代高效能功率元件。
意法半導(dǎo)體全新STripFET VII DeepGATE金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)擁有目前市場銷售的80伏特(V)和100伏特功率電晶體中最高的導(dǎo)電效率，同時提高開關(guān)效率。此外，新產(chǎn)品有助于簡化設(shè)計(jì)，使用數(shù)量更少且封裝更小的元件，可減少系統(tǒng)功耗和提高能效目標(biāo)，從而降低了設(shè)備尺寸和成本。

強(qiáng)化的MOSFET閘極結(jié)構(gòu)是意法半導(dǎo)體STripFET VII DeepGATE技術(shù)的重要突破，在降低元件通態(tài)電阻的同時還降低內(nèi)部電容和閘極電荷，進(jìn)一步提高開關(guān)速度和效率。新產(chǎn)品的抗雪崩能力優(yōu)異，使產(chǎn)品在可能損壞元件的惡劣條件中仍可正常工作，因此STripFET VII DeepGATE是汽車電子應(yīng)用的理想選擇。

現(xiàn)可訂購的STripFET VII DeepGATE樣品或產(chǎn)品超過十五種，包括STP270N8F7 80V元件和一系列100伏特元件，客戶可選擇TO-220、DPAK、PowerFLAT 5x6和兩針腳或六針腳H2PAK封裝。

意法半導(dǎo)體網(wǎng)址：www.st.com