隨著高性能計(jì)算算力密度的不斷攀升，數(shù)據(jù)中心的電源架構(gòu)正加速向800V直流（或±400V）HVDC高壓體系演進(jìn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，800V架構(gòu)能夠顯著降低供配電網(wǎng)絡(luò)中的能量損耗，提升整體能效，并為兆瓦級機(jī)柜的規(guī)?；渴鹛峁┘夹g(shù)支撐。

在這一趨勢下，長電科技憑借多年在功率半導(dǎo)體封測領(lǐng)域的深耕與技術(shù)積累，已率先完成從分立器件到高集成度模塊的全鏈路封測解決方案，為電源性能、配電效率、散熱能力以及系統(tǒng)成本和尺寸提供全面優(yōu)化，以滿足不斷增長的功率需求，更好地承載未來高性能計(jì)算領(lǐng)域的發(fā)展需求。

在初級電源轉(zhuǎn)換單元（PSU）環(huán)節(jié)，長電科技既能提供基于TO263-7L、TOLL、TOLT等先進(jìn)大功率分立封裝，又能提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的塑封功率模塊，兼容包括氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）第三代半導(dǎo)體材料功率器件。分立器件和塑封模塊都已穩(wěn)定大規(guī)模量產(chǎn)。面對800V直流架構(gòu)，長電科技已提前完成技術(shù)布局與量產(chǎn)驗(yàn)證。

中間總線轉(zhuǎn)換（IBC）作為800V與后段12V／4.8V低壓輸出之間的核心橋梁，其高功率密度與極低PDN損耗的性能要求，對封裝技術(shù)提出了極高挑戰(zhàn)。長電科技在此領(lǐng)域能夠提供雙面散熱的PDFN封裝，并針對氮化鎵MOSFET與硅基MOSFET均提供了成熟的封測方案。公司實(shí)現(xiàn)了多層高密度系統(tǒng)級封裝（SiP），已在一流服務(wù)器板卡項(xiàng)目中批量交付。

在負(fù)載點(diǎn)電源（PoL）環(huán)節(jié)，長電科技同樣占據(jù)優(yōu)勢地位。公司面向DrMOS、多相控制器等產(chǎn)品提供成熟的QFN、新型LGA高度集成封裝方案。長電科技憑借自主研發(fā)的多層SiP工藝，實(shí)現(xiàn)了兩相至八相多路輸出的小型化電源管理模塊，單相最高電流可達(dá)60A以上。同時(shí)，團(tuán)隊(duì)已完成新一代高集成度模塊的研發(fā)，并在SiP互連可靠性測試中取得優(yōu)異成績。

貫穿PSU、IBC與PoL三大子系統(tǒng)，面對800V大壓差的板級應(yīng)用需求，長電科技在封裝工藝上實(shí)現(xiàn)了“分立與集成并重、單片與模塊并行”的技術(shù)格局，并在量產(chǎn)節(jié)奏上同步跟進(jìn)市場需求。與此同時(shí)，通過與多家材料、設(shè)備以及系統(tǒng)集成商的深度合作，長電科技在產(chǎn)業(yè)鏈上下游間建立了穩(wěn)固的協(xié)同網(wǎng)絡(luò)，為客戶提供包括熱仿真、可靠性測試、性能優(yōu)化在內(nèi)的全流程增值服務(wù)。

展望未來

隨著800V直流供電方案在全球算力平臺中的規(guī)?；瘧?yīng)用，長電科技將繼續(xù)發(fā)揮在封測領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，不斷優(yōu)化高壓散熱封裝、高密度SiP以及模塊級可靠性驗(yàn)證，為新一代數(shù)據(jù)中心電源領(lǐng)域邁向更高水平發(fā)展帶來創(chuàng)新空間。