近日，新型ReRAM存儲器研發(fā)企業(yè)燕芯微宣布完成近億元天使輪融資，本輪融資由領(lǐng)航新界領(lǐng)投，燕緣創(chuàng)投、考拉基金、思瑞浦旗下芯陽基金、華宇科創(chuàng)投、佰維存儲等機構(gòu)共同戰(zhàn)略投資。

公開資料顯示，燕芯微成立于2024年，總部在上海，由北京大學集成電路學院先進存儲與智能計算實驗室孵化，基于北京大學多年ReRAM產(chǎn)學研積累，提出「器件-陣列-芯片」成套ReRAM全自主知識產(chǎn)權(quán)關(guān)鍵技術(shù)，是國內(nèi)新型存儲器研發(fā)先鋒。

與傳統(tǒng)存儲相比，ReRAM具備高存儲密度、高速讀寫、低功耗和高可靠性等優(yōu)點，可在28nm以下制程節(jié)點完全替代eFlash；同時填補DRAM與NAND之間的空白領(lǐng)域，開拓大容量、高密度存儲市場；在端側(cè)推理計算領(lǐng)域，能夠深度契合大模型計算需求，解決AI芯片面臨的能效低、內(nèi)存墻等困境，在未來擁有巨大的潛在市場。

燕芯微基于北京大學多年ReRAM產(chǎn)學研積累，面向嵌入式存儲、獨立式存儲、存算一體、特種應(yīng)用等不同方向，成功構(gòu)建集成密度最高、性能處于業(yè)界領(lǐng)先水平且具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的全套ReRAM技術(shù)體系，技術(shù)路線已被國際認可。面對材料兼容性痛點，燕芯微自研后道兼容TAO PVD成膜關(guān)鍵技術(shù)，兼容現(xiàn)行BEOL工藝，無需設(shè)備改造，擁有高均一性。擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的全新ReRAM器件結(jié)構(gòu)設(shè)計不引入惰性金屬，具備低壓及高可靠優(yōu)勢；全新ReRAM陣列集成設(shè)計已打破同節(jié)點集成密度紀錄。

燕芯微專注高密度存儲芯片和存算AI芯片的產(chǎn)品研發(fā)，具備器件、工藝、陣列、電路、架構(gòu)、算法一體的完善產(chǎn)品研發(fā)能力。（校對/趙月）