1、AMD MI350 AI加速器漲價70%，需求激增引關(guān)注

2、三星李在镕赴美支持關(guān)稅談判，攜巨額投資與特斯拉合作

3、青禾晶元鍵合技術(shù)突破GeOI產(chǎn)業(yè)化瓶頸：散熱效率提升40%、鍵合面積提升至95%以上！

4、VSAP峴港啟動7000萬美元先進封裝項目

5、市場競爭激烈致業(yè)績下滑 復(fù)旦微電上半年營收微增凈利潤預(yù)減39%-48%

1、AMD MI350 AI加速器漲價70%，需求激增引關(guān)注

7月29日，韓國媒體援引匯豐銀行研究報告指出，AMD對其Instinct MI350 AI加速器進行了價格調(diào)整，售價從15,000美元上調(diào)至25,500美元，漲幅高達70%。此次價格調(diào)整引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

AMD Instinct MI350 AI加速器在性能上對標英偉達的B200，但其價格優(yōu)勢一直備受市場青睞。此次大幅漲價，AMD方面暗示市場需求顯著增加，可能是導(dǎo)致價格上調(diào)的主要原因。據(jù)悉，MI350加速器在人工智能和高性能計算領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，其高性能和較低的價格使其在市場上具有較強的競爭力。

回顧過往，AMD在AI加速器市場的布局已久。Instinct系列作為其主打產(chǎn)品線，一直在不斷迭代升級，以滿足日益增長的市場需求。此次MI350的價格調(diào)整，雖然短期內(nèi)可能會對部分用戶的采購計劃產(chǎn)生影響，但從長遠來看，市場對高性能AI加速器的需求依然旺盛，AMD有望繼續(xù)在這一領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位。

值得一提的是，匯豐銀行的研究報告還指出，隨著AI技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用場景的拓展，AI加速器的市場需求將持續(xù)增長。AMD此次漲價或許正是基于對未來市場前景的樂觀預(yù)期。此外，報告還提到，AMD在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新上的持續(xù)投入，是其能夠在激烈的市場競爭中保持優(yōu)勢的關(guān)鍵因素。

2、三星李在镕赴美支持關(guān)稅談判，攜巨額投資與特斯拉合作

三星電子會長李在镕近日啟程前往美國華盛頓，旨在支持與美國的貿(mào)易談判。此次行程正值韓美貿(mào)易談判進入關(guān)鍵階段，雙方在關(guān)稅問題上展開激烈博弈。李在镕的此次出行，是其自7月17日最高法院宣判無罪后的首次公開活動。

李在镕于當(dāng)天下午3點50分抵達金浦機場，隨即前往美國。在美方相互關(guān)稅生效前三天，李在镕此行很可能將提出擴大對美半導(dǎo)體投資和先進人工智能（AI）半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)合作，作為韓方的談判底牌。

三星電子在美國得克薩斯州奧斯汀已運營一家代工工廠，并計劃到2030年在美國當(dāng)?shù)赝顿Y超過370億美元（約合54萬億韓元），建設(shè)半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。目前，該公司正在德克薩斯州泰勒市建設(shè)一家鑄造廠，預(yù)計明年開始運營。

值得一提的是，三星電子在前一天與特斯拉簽署了一份價值22.8萬億韓元的代工供應(yīng)合同，這是該公司有史以來最大的合同之一。根據(jù)合同，三星將從明年開始在泰勒的工廠生產(chǎn)特斯拉的下一代人工智能芯片AI6。業(yè)內(nèi)人士分析，這份合同不僅符合美國政府重振半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和招商引資的政策，也將為韓美貿(mào)易談判增添有力籌碼。

3、青禾晶元鍵合技術(shù)突破GeOI產(chǎn)業(yè)化瓶頸：散熱效率提升40%、鍵合面積提升至95%以上！

技術(shù)背景與優(yōu)勢

鍺擁有高折射率特性，當(dāng)光線從一種介質(zhì)進入鍺材料時，會發(fā)生較大角度的偏折，這一特性使得鍺在操控光線方面具有強大的能力，能夠精準地改變光線的傳播路徑，為光學(xué)器件的設(shè)計和應(yīng)用提供了豐富的可能性。

GeOI（Germanium on insulator, 絕緣體上鍺）襯底技術(shù)作為新一代半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵解決方案，憑借其獨特性能，在高頻電子器件、光電子集成及量子計算等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。該技術(shù)通過在絕緣層上集成鍺薄膜，結(jié)合了鍺材料的高載流子遷移率和硅基工藝的成熟特性。目前，全球范圍內(nèi)GeOI技術(shù)正處于從實驗室研發(fā)向產(chǎn)業(yè)化過渡的關(guān)鍵階段。

產(chǎn)業(yè)化面臨的主要挑戰(zhàn)

在實際應(yīng)用推廣過程中，GeOI技術(shù)主要面臨三大技術(shù)瓶頸：

熱管理難題

鍺材料的熱導(dǎo)率僅為58 W/m·K，遠低于硅材料的150 W/m·K。這一特性導(dǎo)致高功率器件工作時產(chǎn)生嚴重的熱積累問題，采用傳統(tǒng)高溫鍵合工藝的GeOI器件，在高負載工況下溫升可達100℃以上。但通過采用低溫SAB（Surface Activated Bonding）鍵合工藝，將鍺薄膜直接鍵合于高阻硅襯底，無中間氧化層，能夠減小溫度變化引發(fā)的熱應(yīng)力，降低界面開裂風(fēng)險，有效提升散熱，顯著提升器件的性能與可靠性。

界面缺陷和鍵合強度

Ge表面易形成不穩(wěn)定的氧化層，該氧化層不僅易揮發(fā)，且與SiO?界面的結(jié)合力較弱；同時，鍵合界面可能存在微空洞或污染物，這些因素共同導(dǎo)致鍵合強度下降。通過特殊工藝，對鍵合界面進行處理，能夠有效去除自然氧化層，實現(xiàn)Ge和Si的直接鍵合，提高鍵合表面潔凈度，減少污染，提升鍵合界面強度。

產(chǎn)品成本挑戰(zhàn)

一方面，全球鍺材料年供應(yīng)量僅200噸，受此限制，高純鍺材料的市場價格高達硅材料的10倍以上；另一方面，現(xiàn)有硅基產(chǎn)線無法直接兼容多種尺寸的GeOI襯底，需要針對性改造，包括光刻、蝕刻等關(guān)鍵工藝參數(shù)的重新優(yōu)化，這將使設(shè)備改造成本增加30%-50%。使用多尺寸兼容設(shè)備，可以降低改造成本；在產(chǎn)線中集成晶圓回收模塊，實現(xiàn)Ge 重復(fù)利用，也可以降低產(chǎn)品成本。

關(guān)鍵技術(shù)突破

針對上述挑戰(zhàn)，青禾晶元SAB61超高真空常溫鍵合系列設(shè)備提供了創(chuàng)新解決方案：

在熱管理方面

設(shè)備采用常溫鍵合技術(shù)，通過超高真空（10??Pa）條件下的等離子體活化實現(xiàn)原子級結(jié)合。這一工藝完全避免了傳統(tǒng)高溫鍵合帶來的熱應(yīng)力問題，實測顯示器件散熱效率提升40%。

在鍵合強度方面

通過清洗工藝或等離子體活化去除自然氧化層，提升鍵合表面潔凈度，提高鍵合界面強度。

在量產(chǎn)成本方面

設(shè)備支持2-12英寸晶圓的混線生產(chǎn)，并集成H-cut回收模塊。這種設(shè)計使鍺材料利用率提升80%以上，8英寸GeOI襯底的單片生產(chǎn)成本從200美元降至75美元。

GeOI技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的新紀元

未來，隨著鍺回收工藝的持續(xù)優(yōu)化、異質(zhì)材料常溫鍵合集成技術(shù)的突破，以及太赫茲通信、量子計算專用器件等應(yīng)用方向的深入探索，GeOI技術(shù)將在更廣闊的領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵支撐作用。產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新將成為推動技術(shù)落地的核心動力，而國產(chǎn)設(shè)備的突破，則為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球競爭中贏得了重要的技術(shù)話語權(quán)。

GeOI技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進程，不僅是材料科學(xué)領(lǐng)域的一次重要突破，更是半導(dǎo)體制造能力的全面躍升。在5G/6G通信、高性能計算、光電集成等前沿領(lǐng)域的持續(xù)推動下，GeOI襯底有望成為下一代半導(dǎo)體器件的核心基石，進而開啟全新的技術(shù)時代。 

4、VSAP峴港啟動7000萬美元先進封裝項目

7月28日，位于越南峴港市第二軟件園區(qū)的VSAP先進封裝技術(shù)實驗室項目（Fab - Lab）正式宣告啟動，這一項目的落地標志著當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體領(lǐng)域迎來新的里程碑。

據(jù)悉，該項目總投資高達1.8萬億越南盾，折合約7000萬美元。如此龐大的資金投入，充分展示了項目各方對先進封裝技術(shù)研發(fā)的堅定決心和強大信心。先進封裝技術(shù)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對于提升芯片性能、降低功耗以及實現(xiàn)系統(tǒng)級集成等方面具有至關(guān)重要的作用。

VSAP先進封裝技術(shù)實驗室的選址經(jīng)過綜合考量，最終落戶峴港市第二軟件園區(qū)。該園區(qū)擁有完善的基礎(chǔ)設(shè)施和良好的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，而峴港市在人才和科研實力方面也表現(xiàn)突出，為項目的推進和研發(fā)奠定了堅實基礎(chǔ)。該實驗室將專注于前沿封裝技術(shù)的研究，涵蓋系統(tǒng)級封裝（SiP）等多個領(lǐng)域，有望取得自主知識產(chǎn)權(quán)的成果，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供強有力的技術(shù)支撐。項目的啟動將對當(dāng)?shù)亟?jīng)濟發(fā)展具有顯著帶動作用，建設(shè)和運營過程中還將創(chuàng)造大量就業(yè)機會，吸引高端人才，研發(fā)成果的轉(zhuǎn)化將進一步推動產(chǎn)業(yè)升級和結(jié)構(gòu)優(yōu)化。

值得一提的是，峴港市在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的布局已久，此次VSAP先進封裝技術(shù)實驗室的啟動，無疑是該市在這一領(lǐng)域邁出的重要一步。未來，隨著項目的深入推進，峴港市有望成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要節(jié)點，也預(yù)示著越南在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的地位有望進一步提升。

5、市場競爭激烈致業(yè)績下滑 復(fù)旦微電上半年營收微增凈利潤預(yù)減39%-48%

7月29日，復(fù)旦微電（688385.SH）發(fā)布2023年上半年業(yè)績預(yù)告，預(yù)計實現(xiàn)營業(yè)收入18.2億元至18.5億元，同比增長1.44%至3.12%；實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤1.8億元至2.1億元，同比下降39.67%至48.29%。

報告期內(nèi)，復(fù)旦微電的研發(fā)投入、總資產(chǎn)、負債及經(jīng)營活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流凈額等財務(wù)指標具體情況尚未披露。

關(guān)于報告期內(nèi)業(yè)績變動的原因，復(fù)旦微電說明稱，公司各產(chǎn)品線所面對的市場競爭激烈，盡管公司積極拓展新產(chǎn)品和新市場，鞏固或擴大市場占有率，但歸母凈利潤仍出現(xiàn)較大幅度下滑。報告期內(nèi)，除非揮發(fā)存儲器外，集成電路設(shè)計板塊各產(chǎn)品線均取得增長，致營業(yè)收入有所提升；綜合毛利率水平同比基本穩(wěn)定。

在運營方面，復(fù)旦微電持續(xù)加大研發(fā)力度，推動產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新，積極應(yīng)對市場變化。公司通過多產(chǎn)品線的均衡發(fā)展，努力提升市場競爭力，盡管面臨諸多挑戰(zhàn)，但仍保持了營業(yè)收入的穩(wěn)步增長。